PHD/PHP36N03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师02 - 2006年6月8日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
兼容逻辑电平
I
低栅电荷
1.3应用
I
的DC- DC转换器
I
开关模式电源
1.4快速参考数据
I
V
DS
≤
30 V
I
R
DSON
≤
17 m
I
I
D
≤
43.4 A
I
P
合计
≤
57.6 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
地连接到漏
G
[1]
简化的轮廓
mb
mb
符号
D
2
1
3
1 2 3
mbb076
S
SOT428 （ DPAK ）
[1]
SOT78 （ 3引脚TO - 220AB ）
这是无法接受的SOT428封装的管脚2的连接。
飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
PHD36N03LT
PHP36N03LT
DPAK
SC-46
描述
塑料单端的表面安装封装; 3导线（一根导线
裁剪）
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔;
3引脚TO- 220AB
VERSION
SOT428
SOT78
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C
25
°C ≤
T
j
≤
175
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±20
43.4
30.7
173.6
57.6
+175
+175
43.4
173.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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2 13
飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa16
120
I
DER
(%)
80
03aa24
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100
%
-
I
D
(
25°C
)
图2.归连续漏极电流为
的安装基座温度功能
001aae811
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1毫秒
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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牧师02 - 2006年6月8日
3 13
PHP36N03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
版本03 - 2010年3月29日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
1.2特点和优点
由于要求低的简单栅极驱动
栅极电荷
适用于逻辑电平栅极驱动
来源
1.3应用
的DC- DC转换器
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
P
合计
快速参考
条件
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V;
SEE
图1
和
3
T
mb
= 25°C ;看
图2
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
30
43.4
57.6
单位
V
A
W
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
漏电流
总功率
耗散
栅极 - 漏极电荷
符号参数
动态特性
Q
GD
V
GS
= 10 V ;我
D
= 36 A;
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图11
和
12
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;牛逼
j
= 25 °C;
SEE
图9
和
10
-
2.9
-
nC
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
14
17
m
恩智浦半导体
PHP36N03LT
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
[1]
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
这是无法接受对销2的连接。
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PHP36N03LT
TO-220AB
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导SOT78
TO-220AB
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 100 ℃;看
图1
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25°C ;看
图1
和
3
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25°C ;看
科幻gure 3
T
mb
= 25°C ;看
图2
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 ℃;
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
最大
30
30
20
30.7
43.4
173.6
57.6
175
175
43.4
173.6
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
源极 - 漏极二极管
PHP36N03LT_3
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