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飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP2N40E
概述
N沟道增强模式
在场效应功率晶体管
塑料外壳具有高
雪崩能量功能，稳定
阻断电压，开关速度快和
高的热循环性能
具有低的热阻。意
在开关电源的使用
电源（SMPS ） ，电机控制
电路和通用
开关应用。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
漏源导通电阻
马克斯。
400
2.5
50
3.5
单位
V
A
W
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
TAB
符号
d
g
1 23
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
DM
I
DR
I
DRM
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值
值）
源极 - 漏极二极管的电流
（DC）的
源极 - 漏极二极管的电流
（脉冲峰值）
总功耗
储存温度
结温
条件
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
400
400
30
2.5
1.6
10
2.5
10
50
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
雪崩限值
符号参数
W
DSS
条件
分钟。
马克斯。
单位
漏源不重复的我
D
= 2.5 A; V
DD
≤
50 V ; V
GS
= 10 V ;
非钳位感应关关R
GS
= 50
能源
T
j
= 25°暴涨之前
T
j
= 100前激增
漏源重复
I
D
= 2.5 A; V
DD
≤
50 V ;
非钳位电感关断V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
; T
j
≤
150 C
能源
W
DSR1
-
-
-
120
20
3.6
mJ
mJ
mJ
1.脉冲宽度和频率限制T
J（下最大）
1996年10月
1
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP2N40E
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
分钟。
-
-
典型值。
-
60
马克斯。
2.5
-
单位
K / W
K / W
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
源极 - 漏极二极管的正向
电压
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 320 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 1.25 A
I
F
= 2.5 A; V
GS
= 0 V
分钟。
400
2.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
3.0
10
0.1
10
3.1
1.4
马克斯。
-
4.0
100
1.0
100
3.5
2.0
单位
V
V
A
mA
nA
V
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
t
rr
Q
rr
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
总栅极电荷
门源费
栅漏（米勒）充电
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管的反向
恢复时间
源极 - 漏极二极管的反向
恢复电荷
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 15 V ;我
D
= 1.25 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.9
225
30
6.0
12
2
6
10
30
30
20
350
2.5
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
315
42
12
-
-
-
15
45
40
30
-
-
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
nH
nH
nH
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.5 A; V
DS
= 320 V
V
DD
= 30 V ;我
D
= 2.2 A;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
I
F
= 2.5 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 100 V
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
1996年10月
2
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP2N40E
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
民
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
民
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值（3×）
0,6
2,4
图1 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.请参阅安装用于TO220信封的说明。
3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1996年10月
3
启1.000
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
功率MOS晶体管
PHP2N40E
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1996年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1996年10月
4
启1.000
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