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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第230页 > PCHMB400A6A
IGBT
模块
电路
菜刀400A 600V
PCHMB400A6A
外形绘图
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
大约重量:500g
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PCHMB400A6A
600
+/ - 20
400
800
1470
-40到+150
-40到+125
2500
3
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=600V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=400A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=400mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 300V
R
L
= 0.75欧姆
R
G
= 1.6欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.1
-
40000
0.25
0.45
0.2
0.6
马克斯。
4.0
1.0
2.6
8.0
-
0.45
0.85
0.35
0.8
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
400
800
单位
A
典型值。
1.9
0.15
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=400A,V
GE
=0V
I
F
=400A,V
GE
=-10V,di/dt=400A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.25
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.085
0.20
PCHMB400A6A
Fig.1-输出特性
(典型值)
800
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=160A
800A
V
GE
=20V
12V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
15V
10V
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
600
400
9V
200
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
400
350
300
250
200
16
T
C
=125℃
I
C
=160A
800A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=0.75Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
0
300
600
900
1200
1500
100V
4
2
0
1800
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
200000
100000
50000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
20000
10000
5000
2000
1000
500
200
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
tr
tf
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
100
200
300
400
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PCHMB400A6A
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
5
800
(典型值)
T
C
=25℃
700
600
2
V
CC
=300V
I
C
=400A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
1
正向电流I
F
(A)
500
400
300
200
100
0
花花公子
0.5
tr
0.2
tf
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
2000
1000
500
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=400A
T
C
=25℃
TRR
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
200
集电极电流I
C
(A)
800
1200
1600
2000
2400
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
100
50
I
RRM
20
10
5
0
400
0.1
0
200
400
600
800
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
5x10
-1
(℃/W)
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
2x10
-4
1x10
-4 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
1次脉冲
1
10
1
时间T
(s)
IGBT
模块
电路
菜刀400A 600V
PCHMB400A6A
外形绘图
2- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
大约重量:500g
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PCHMB400A6A
600
+/ - 20
400
800
1470
-40到+150
-40到+125
2500
3
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=600V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=400A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=400mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 300V
R
L
= 0.75欧姆
R
G
= 1.6欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.1
-
40000
0.25
0.45
0.2
0.6
马克斯。
4.0
1.0
2.6
8.0
-
0.45
0.85
0.35
0.8
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
400
800
单位
A
典型值。
1.9
0.15
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=400A,V
GE
=0V
I
F
=400A,V
GE
=-10V,di/dt=400A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.25
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.085
0.20
PCHMB400A6A
Fig.1-输出特性
(典型值)
800
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=160A
800A
V
GE
=20V
12V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
15V
10V
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
600
400
9V
200
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
400
350
300
250
200
16
T
C
=125℃
I
C
=160A
800A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=0.75Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
0
300
600
900
1200
1500
100V
4
2
0
1800
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
200000
100000
50000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
20000
10000
5000
2000
1000
500
200
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
tr
tf
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
100
200
300
400
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PCHMB400A6A
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
5
800
(典型值)
T
C
=25℃
700
600
2
V
CC
=300V
I
C
=400A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
1
正向电流I
F
(A)
500
400
300
200
100
0
花花公子
0.5
tr
0.2
tf
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
2000
1000
500
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=400A
T
C
=25℃
TRR
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
200
集电极电流I
C
(A)
800
1200
1600
2000
2400
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
100
50
I
RRM
20
10
5
0
400
0.1
0
200
400
600
800
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
5x10
-1
(℃/W)
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
2x10
-4
1x10
-4 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
1次脉冲
1
10
1
时间T
(s)
IGBT
M½½½½½
C½½½½½½
□ 回 路 図
CIRCUIT
400 A,
600V
外 ½ 寸 法 図
PCHMB400A6A
OUTLINE DRAWING
Dimension:[mm½
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
I½½½
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
DC
1½½
重量:500½
R½½½½ V½½½½
600
±20
400
800
1,470
40+150
40+125
2,500
3(30.6)
U½½½
( RMS)
N½
(kgf½cm)
ゲートエミッタ間電圧
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
C
CP
C
j
英镑
ISO
(终端到基地交流, 1分钟)
模组基地散热器
母线主接线
隔离电压
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
CHARACTERISTICS
電 気 的 特 性 :
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
C½½½½½½½½½½½½½
S½½½½½ T½½½ C½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
CES
CE
= 600V, V
GE
= 0V
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
M½½.
4.0
T½½.
2.1
40,000
0.25
0.45
0.20
0.60
M½½. U½½½
4.0
1.0
2.6
8.0
0.45
0.85
0.35
0.80
½A
½F
GES
CE ( SAT )
GE (日)
IES
间崛起
时间
GE
=
±20V,
CE
= 0V
C
= 400A, V
GE
= 15V
CE
= 5V, I
C
= 400毫安
CES
= 10V, V
GE
= 0V,½= 1MHz
CC
L
G
GE
=
=
=
=
300V
0.75
1.6
±15V
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲートし きい値 電圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
ス イ ッ チ ン グ 時 間
ターンオン时间开启时间
开关时间
下降时间坠落
时间
ターンオフ时间关断时间
½
r
½
on
½
f
½
关闭
½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
フリーホイーリングダイオードの
FREE
I½½½
S½½½½½
R½½½½ V½½½½
U½½½
DC
F
400
正向电流
1½½
FM
800
C½½½½½½½½½½½½½
S½½½½½
F
½
rr
T½½½ C½½½½½½½½
F
= 400A, V
GE
= 0V
F
= 400A, V
GE
= -10V
½i/½t = 400A/s
M½½.
T½½.
1.9
M½½. U½½½
2.4
½
峰值正向电压
反向恢复时间
0.15 0.25
的 特 性 :
THERMAL CHARACTERISTICS
C½½½½½½½½½½½½½
S½½½½½ T½½½ C½½½½½½½½
IGBT
日(J -C )
结到外壳
热阻抗
D ½ ½
½ ½
M½½.
T½½. M½½. U½½½
0.085
℃/W
0.20
PCHMB400A6A
Fig.1-输出特性
(典型值)
800
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=160A
800A
V
GE
=20V
12V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
15V
10V
14
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
600
400
9V
200
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
400
350
300
250
200
16
T
C
=125℃
I
C
=160A
800A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
400A
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=0.75Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
0
300
600
900
1200
1500
100V
4
2
0
1800
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
200000
100000
50000
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
1
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
20000
10000
5000
2000
1000
500
200
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
tr
tf
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
100
200
300
400
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PCHMB400A6A
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
5
800
(典型值)
T
C
=25℃
700
600
2
V
CC
=300V
I
C
=400A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
1
正向电流I
F
(A)
500
400
300
200
100
0
花花公子
0.5
tr
0.2
tf
0.1
0.05
1
2
5
10
20
50
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
(典型值)
2000
1000
500
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=400A
T
C
=25℃
TRR
R
G
=1.6Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
200
集电极电流I
C
(A)
800
1200
1600
2000
2400
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
100
50
I
RRM
20
10
5
0
400
0.1
0
200
400
600
800
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
5x10
-1
(℃/W)
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
2x10
-4
1x10
-4 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
1次脉冲
1
10
1
时间T
(s)
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