飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
-
PHP10N60E
典型值。马克斯。单位
-
60
0.75
-
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
（ BR ） DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
600
-
-
2.0
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
0.68
3.0
6.5
2
80
10
75
6.8
37
11
32
98
37
3.5
4.5
7.5
1295
163
86
-
-
0.75
4.0
-
100
1000
200
100
12
55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 5 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 5 A
V
DS
= 600 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 10 A; V
DD
= 480 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 300 V ;
D
= 30
;
R
G
= 5.6
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 10 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
600
6
9.6
38
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHP10N60E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）
PHP10N60E
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
D
单脉冲
tp
D = TP / T
0.01
T
t
1E+00 1E+01
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.001
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03 1E-02 1E-01
脉冲宽度TP （多个）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
漏极电流ID （ A）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TJ = 25℃
PHP10N60E
VGS = 10 V
5V
4.8 V
4.6 V
4.4 V
4.2 V
4V
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0
1
2
3
4
漏 - 源电压， VDS （V ）
5
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
100
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
RDS （ ON）= VDS / ID
PHP10N60E
TP = 10我们
1
10
100美
1毫秒
1
特区
10毫秒
100毫秒
0.8
0.6
0.4
0.2
PHP10N60E
0.1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0
0
1
2
3
4
5
漏极电流ID （ A）
6
7
8
1.4
1.2
4.6V
4.8V
5V
VGS = 10 V
4V
4.2V
4.4V
TJ = 25℃
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
3
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产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHP10N60E
源极 - 漏极二极管电流IF （ A）
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
栅 - 源电压，V GS （V）的
ID = 10A
TJ = 25℃
200V
100 V
VDD=480V
PHP10N60E
PHP10N60E
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
150 C
TJ = 25℃
0
20
40
60
80
栅极电荷QG （ NC）
100
120
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
漏源电压， VSDS （V ）
图13 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;参数V
DS
图16 。源极 - 漏极二极管特性。
I
F
= F（V
SDS
） ;参数T
j
开关时间， TD （上） ， TR ， TD （关闭） ， TF （ NS ）
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
栅极电阻RG （欧姆）
VDD = 300V
RD = 30欧姆
PHP10N60E
TD （关闭）
10
非重复性雪崩电流， IAS （ A）
25 C
TJ前雪崩= 125℃
1
tf
tr
TD （上）
VDS
tp
ID
PHP10N60E
1E-05
1E-04
雪崩的时候， TP （S ）
1E-03
1E-02
40
50
0.1
1E-06
图14 。典型的开关时间;吨
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
= F （r
G
)
图17 。最大允许非重复
雪崩电流（I
AS
）与雪崩时间（t
p
);
非钳位感性负载
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
归一化漏源击穿电压
V（ BR ） DSS @ TJ
V（ BR ） DSS @ 25℃
100
最大重复性雪崩电流， IAR （ A）
10
TJ前雪崩= 25℃
125 C
1
0.1
PHP10N60E
0.01
1E-06
-50
0
50
TJ ，结温（ C）
100
150
0.85
-100
1E-05
1E-04
雪崩的时候， TP （S ）
1E-03
1E-02
图15 。归一化漏源击穿电压;
V
（ BR ） DSS
/V
（ BR ） DSS 25 C
= F （T
j
)
图18 。最大允许重复雪崩
电流（I
AR
）与雪崩时间（t
p
)
1998年12月
5
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