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飞利浦半导体

初步speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

PHE13009

概述

该PHE13009在TO220AB外壳供高使用硅NPN功率开关晶体管

高频电子照明镇流器应用，变频器，逆变器，开关稳压器，电机控制系统，

等等

快速参考数据

符号

CESM

CBO

首席执行官

合计

CESAT

FEsat

参数

集电极 - 发射极电压峰值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

总功耗

集电极 - 发射极饱和电压

下降时间

条件

= 0 V

典型值。

0.32

0.1

马克斯。

700

400

1.0

0.5

单位

≤

25 C

= 5.0 A;我

= 1.0 A

= 5.0 A; V

= 5 V

= 5.0 A;我

= 1.0 A

钉扎 - TO220AB

针

TAB

BASE

集热器

辐射源

集热器

描述

引脚配置

TAB

符号

1 23

极限值

限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）

符号

CESM

首席执行官

CBO

合计

英镑

参数

集电极到发射极电压

集电极到发射极电压（开基）

集电极基极电压（发射极开路）

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

储存温度

结温

条件

= 0 V

分钟。

-65

马克斯。

700

400

700

150

单位

≤

25 C

热阻

符号

日J- MB

日J-一

参数

结到安装基座

结到环境

在自由空气

条件

典型值。

马克斯。

1.56

单位

K / W

1999年3月

启1.000

飞利浦半导体

初步speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

PHE13009

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

CES

CBO

CES

首席执行官

EBO

CEOsust

CESAT

BESAT

FEsat

参数

集电极截止电流

条件

= 0 V; V

= V

CESMmax

= 0 V; V

= V

CESMmax

;

= 125 C

首席执行官

= V

CEOMmax

(400V)

= 9 V ;我

= 0 A

= 0 ;我

= 10毫安;

L = 25毫亨

= 5.0 A;我

= 1.0 A

= 8.0 A;我

= 1.6 A

= 5.0 A;我

= 1.0 A

= 8.0 A;我

= 1.6 A

= 5.0 A; V

= 5 V

= 8.0 A; V

= 5 V

分钟。

400

典型值。

0.32

1.0

1.1

马克斯。

1.0

5.0

0.1

1.0

2.0

1.3

1.6

单位

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极电压维持

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

直流电流增益

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

参数

开关时间（阻性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

开关时间（感性负载）

关闭存储时间

关断下降时间

条件

CON

= 5 A;我

BON

= -I

B关

= 1 A;

= 75欧姆; V

BB2

= 4 V;

CON

= 5 A;我

BON

= 1 ; L

= 1

-V

= 5 V

CON

= 5A ;我

BON

= 1 ; L

= 1

-V

= 5 V ;牛逼

= 100 C

典型值。

马克斯。

单位

2.2

0.26

3.3

0.7

1.35

0.1

2.3

0.5

3.2

0.9

测量正弦半波电压（波形记录器）。

1999年3月

启1.000

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初步speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

PHE13009

+ 50v

100-200R

90 %

图标

90 %

10 %

横

示波器

垂直

300R

30-60赫兹

吨

花花公子

IBON

10 %

30ns

-IBoff

图1 。为V测试电路

CEOsust

图4 。开关时间波形与电阻性负载。

IC / MA

VCC

250

IBON

100

VCE / V

T.U.T.

-VBB

民

VCEOsust

图2 。示波器显示V

CEOsust

图5 。测试电路的电感性负载。

= 300 V; -V

= 5 V ; L

= 200 uH容; L

= 1 uH容

VCC

图标

90 %

VIM

T.U.T.

花花公子

IBON

10 %

-IBoff

如图3所示。测试电路电阻负载。 V

= -6至+ 8V

= 250 V ;吨

= 20

= t

/ T = 0.01.

和R

从我计算

CON

我

BON

要求。

图6 。开关时间波形带感性负载。

1999年3月

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初步speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

PHE13009

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

VBEsat电压/ V

1.4

1.3

1.2

1.1

IC / IB = 3

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

100

TMB / C

120

140

0.4

0.5

0.8

IC ，集电极电流/ A

图7 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

PD / PD

25C

= F（T

)

的hFE

图10 。基射极饱和电压。

实线=典型值，V

BESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 5 。

VCEsat晶体管电压/ V

1.75

1.5

1.25

IC / IB = 3

0.75

0.5

0.25

0.01

0.05

0.1

0.5

IC / A

0.5

0.8

IC ，集电极电流/ A

图8 。典型的直流电流增益。

= F（我

)

参数V

VCESAT / V

图11 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F（ IC）;在IC / IB = 5 。

第Z / （K / W）

1.8

1.6

1.4

D= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

1.2

0.8

0.1

0.6

0.4

0.01

1E-06

0.2

0.01

1E-04

0.1

IB / A

1E-02

T / S

1E+00

图9 。集电极 - 发射极饱和电压。

实线=典型值，V

CESAT

= F （ⅠB ） ;牛逼

=25C.

图12 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

1999年3月

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初步speci fi cation

硅扩散型功率晶体管

PHE13009

IC / A

VCC

VCL （ RBSOAR ）

-5V

-3V

IBON

探测点

T.U.T.

-1V

-VBB

100

200

300

400

500

VCEclamp / V

600

700

800

900

图13 。反向偏压安全工作区（T

＆ LT ;吨

JMAX

)

为-V

= 5V ， 3V和1V 。

图14 。测试电路的反向偏压安全工作

区。

钳

< 700V ; V

= 150V; -V

= 5V ， 3V & 1V ;

= 1

H; L

= 200

1999年3月

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