飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率:P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压: V
(CL )R
= 20 V ,在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流:I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电( ESD )而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚。
* = W :中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 , 152 , 38 , 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
2004年02月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 (接触放电) ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ,2,3 ,4,5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD ) ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
& GT ; 4千伏
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
001aaa191
手册, halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 %伊普; 8
s
80
e
t
50 %伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
30
T(微秒)
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电( ESD )脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率:P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压: V
(CL )R
= 20 V ,在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流:I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电( ESD )而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚。
* = W :中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 , 152 , 38 , 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
2004年02月18日
2
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8 / 20μ
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
恩智浦半导体
产品数据表
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 (接触放电) ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ,2,3 ,4,5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD ) ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
& GT ; 4千伏
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
001aaa191
手册, halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 %伊普; 8
s
80
e
t
50 %伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
30
T(微秒)
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电( ESD )脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
特点
高达两行单向ESD保护
共阴极配置
马克斯。峰值脉冲功率:P
pp
= 330号T W
p
= 8/20
s
低钳位电压: V
(CL )R
= 20 V ,在我
pp
= 18 A
超低的反向漏电流:I
RM
< 700 nA的
ESD保护> 30千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
pp
= 18一在t
p
= 8/20
s.
钉扎
应用
计算机及外设
通信系统
音频和视频设备
数据线
CAN总线保护。
描述
双单向ESD保护二极管共同
在SOT23塑料包装阴极配置。
旨在保护多达两个传输或数据线
对静电放电( ESD )而损坏
其他瞬变。
记号
类型编号
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
记
1. * = P :香港制造。
* = T:在马来西亚。
* = W :中国制造。
标识代码
(1)
*7A
*7B
*7C
*7D
*7E
1
PESDxS2UAT系列
快速参考数据
符号
V
RWM
C
d
参数
反向对峙
电压
二极管电容
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
数
保护线
价值
3.3, 5, 12, 15
和24
单位
V
207 , 152 , 38 , 32 pF的
和23
2
针
1
2
3
阳极1
阳极2
描述
共阴极
3
1
3
2
2
001aaa401
sym002
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
2004年02月18日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
订购信息
包
类型编号
名字
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
T
j
T
AMB
T
英镑
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;见图2 。
2.测横跨两种引脚1和3引脚2和3 。
结温
工作环境温度
储存温度
8/20
s
脉冲;注1和2
条件
8/20
s
脉冲;注1和2
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
PESDxS2UAT系列
VERSION
SOT23
分钟。
65
65
马克斯。
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
2004年02月18日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双重ESD保护二极管
在SOT23封装
ESD最大额定值
符号
ESD
参数
静电放电
条件
PESDxS2UAT系列
价值
单位
IEC 61000-4-2 (接触放电) ;
注1和2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL -STD 883
PESDxS2UAT-series
10
kV
30
30
30
30
23
kV
kV
kV
kV
kV
笔记
1.设备强调十个不重复的ESD脉冲;见图3 。
2.测从引脚1 ,2,3 ,4,5或8至针6或7 。
ESD标准符合性
ESD标准
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD ) ;见图3
HBM MIL -STD 883 ; 3级
& GT ; 4千伏
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
001aaa191
手册, halfpage
120
MLE218
I
pp
100 %
90 %
IPP
(%)
100 %伊普; 8
s
80
e
t
50 %伊普; 20
s
40
10 %
0
0
10
20
30
T(微秒)
40
t
r
=
0.7到1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
Fig.2
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
Fig.3
静电放电( ESD )脉冲
根据IEC 61000-4-2波形。
2004年02月18日
4