飞利浦半导体
PMWD20XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMWD20XN
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT530-1
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
20
20
±12
10.4
6.5
41.7
4.2
+150
+150
3.5
14
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
9397 750 14721
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年4月26日
2 12
飞利浦半导体
PMWD20XN
双N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
P
DER
P
合计
=
------------------------
×
100
%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
--------------------
×
100
%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
03ap28
t
p
= 10
s
100
s
10毫秒
100毫秒
1
DC
1s
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
民
-
-
典型值
-
100
最大
30
-
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
03ap27
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
1
0.02
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
10
-1
t
p
t
T
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
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极低的水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PMWD20XN
TSSOP8
描述
塑料薄小外形封装; 8线索;体宽4.4毫米
VERSION
SOT530-1
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
[1]
最大
20
20
±12
10.4
6.5
41.7
4.2
+150
+150
3.5
14
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源极 - 漏极二极管
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
sp
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
单个器件导通。
-
-
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120
P
DER
(%)
80
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(
°
C)
200
P
DER
P
合计
=
------------------------
×
100
%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
--------------------
×
100
%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
的焊点温度功能
10
2
I
D
(A)
10
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.归连续漏极电流为
的焊点温度功能
03ap28
t
p
= 10
s
100
s
10毫秒
100毫秒
1
DC
1s
10
-1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表4：
R
日（J -SP ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
安装在印刷电路
板;最小的足迹;
垂直静止空气中
民
-
-
典型值
-
100
最大
30
-
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
10
2
Z
日（J -SP ）
（K / W）
10
03ap27
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
1
0.02
单脉冲
P
δ
=
t
p
T
10
-1
t
p
t
T
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
10
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点，作为脉冲持续时间的函数
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