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PESD5V0X1BQ ; PESD5V0X1BT
超低电容双向ESD保护二极管
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
超低电容双向静电放电（ ESD ）保护二极管
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装，旨在保护一个信号
线免受ESD和其他瞬变的损害。
该装置也可用于多达两个信号线中的单向ESD保护。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD5V0X1BQ
PESD5V0X1BT
SOT663
SOT23
JEDEC
-
TO-236AB
超小扁平的铅
非常小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
一条线的双向ESD保护
I
ESD保护多达9千伏
I
达的单向ESD保护
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
两行
I
超低二极管电容：C
d
= 0.9 pF的
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
I
非常低的漏电流：I
RM
= 1 NA
1.3应用
I
USB接口
I
I
I
I
I
天线保护
射频（RF ）保护
10/100/1000 Mbit / s以太网
火线
非对称数字用户线
（ ADSL）的
I
高速数据线
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
I
计算机，外围设备和打印机
I
手机及配件
I
便携式电子产品
I
通信系统
I
音频和视频设备
恩智浦半导体
PESD5V0X1BQ ; PESD5V0X1BT
超低电容双向ESD保护二极管
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
C
d
反向断态电压
二极管电容
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
[2]
参数
条件
民
-
-
-
典型值
-
0.9
2
最大
5
1.3
2.6
单位
V
pF
pF
[1]
[2]
双向CON组fi guration ：从引脚1测到2个或2脚为1。
单向CON组fi guration ：从引脚1测到3针23个。
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
3
3
简化的轮廓
图形符号
PESD5V0X1BQ
1
2
1
2
006aaa154
PESD5V0X1BT
1
2
3
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
1
2
3
3
1
2
006aaa154
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5V0X1BQ
PESD5V0X1BT
-
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT663
SOT23
类型编号
PESD5V0X1BQ_PESD5V0X1BT_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
2 13
恩智浦半导体
PESD5V0X1BQ ; PESD5V0X1BT
超低电容双向ESD保护二极管
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
E6
U3*
类型编号
PESD5V0X1BQ
PESD5V0X1BT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
结温
环境温度
储存温度
-
55
65
150
+150
+150
°C
°C
°C
参数
条件
民
最大
单位
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
[1]
参数
条件
民
-
-
最大
9
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESD5V0X1BQ_PESD5V0X1BT_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师01 - 二零零八年十月三十○日
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恩智浦半导体
PESD5V0X1BQ ; PESD5V0X1BT
超低电容双向ESD保护二极管
001aaa631
I
PP
100 %
90 %
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
30纳秒
60纳秒
t
图1 。
根据IEC 61000-4-2 ESD脉冲波形
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
每二极管
V
RWM
I
RM
V
BR
C
d
反向隔离
电压
反向漏电流V
RWM
= 5 V
击穿电压
二极管电容
I
R
= 5毫安
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
V
R
= 5 V
r
DIF
[1]
[2]
[1]
[2]
[1]
[2]
条件
民
-
-
5.8
-
-
-
-
-
典型值
-
1
7.5
0.9
2
0.8
1.7
-
最大
5
100
9.5
1.3
2.6
1.2
2.3
100
单位
V
nA
V
pF
pF
pF
pF
微分电阻
I
R
= 1毫安
双向CON组fi guration ：从引脚1测到2个或2脚为1。
单向CON组fi guration ：从引脚1测到3针23个。
PESD5V0X1BQ_PESD5V0X1BT_1
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产品数据表
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恩智浦半导体
PESD5V0X1BQ ; PESD5V0X1BT
超低电容双向ESD保护二极管
1.0
Cd
（PF ）
0.96
006aab249
2.0
C
d
（PF ）
1.9
006aab348
0.92
1.8
0.88
1.7
0.84
0.80
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
1.6
0
1
2
3
4
V
R
(V)
5
双向CON组fi guration
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
单向CON组fi guration
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图2 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
图3 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
I
I
PP
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
I
RM
I
R
V
RWM
V
BR
V
CL
V
CL
V
BR
V
RWM
I
RM
I
R
P -N
+
V
+
I
PP
006aaa676
I
PP
006aaa407
图4 。
对于双向V-I特性
ESD保护二极管
图5 。
为一个单向V-I特性
ESD保护二极管
PESD5V0X1BQ_PESD5V0X1BT_1
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