【飞利浦半导体产品speci fi cationN沟道的TrenchMOS 晶体管PHX14NQ20T】,IC型号PHX14NQ20T,PHX14NQ20T PDF资料,PHX14NQ20T经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX14NQ20T ， PHF14NQ20T

特点

“海沟”

技术

低通态电阻

快速开关

符号

快速参考数据

DSS

= 200 V

= 7.6 A

DS （ ON）

≤

230 m

概述

N沟道增强型场效应功率在一个塑料全包外壳采用'沟'技术的晶体管。

该装置具有非常低的导通状态电阻。它是为使用在直流 - 直流转换器和通用切换

应用程序。

该PHX14NQ20T是在SOT186A （ FPAK ）传统的含铅封装。

钉扎

针

例

门

漏

来源

隔离

描述

SOT186A （ FPAK ）

例

SOT186 （ FPAK ）

例

1 2 3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DSS

DGR

, T

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

总功耗

工作结

储存温度

条件

= 25 °C至150°C

= 25 °C至150°C ;

= 20 k

= 25 ℃; V

= 10 V

= 100℃ ; V

= 10 V

= 25 C

分钟。

- 55

马克斯。

200

7.6

4.8

150

单位

2000年11月

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX14NQ20T ， PHF14NQ20T

雪崩能量极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

非重复性雪崩

能源

峰值不重复

雪崩电流

条件

非钳位感性负载时，我

= 14 A;

= 38

雪崩= 25之前;

≤

25 V ;

= 50

;

= 10 V ;参考

图15

分钟。

马克斯。

单位

热阻

符号参数

日J- HS

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

分钟。

SOT186A包，在自由空气

典型值。马克斯。单位

4.17

K / W

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DS （ ON）

GSS

DSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

国际空间站

OSS

RSS

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通状态

阻力

正向跨导

门源漏电流

零栅压漏

当前

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安;

= -55C

= V

; I

= 1毫安

= 150C

= -55C

= 10 V ;我

= 7 A

= 10 V ;我

= 7 A;牛逼

= 150C

= 25 V ;我

= 7 A

10 V; V

= 0 V

= 200 V; V

= 0 V

= 150C

= 14 A; V

= 160 V; V

= 10 V

分钟。

200

178

典型值。马克斯。单位

150

12.1

0.05

13.3

4.5

7.5

1500

128

230

540

100

500

≤ 100 V ;

= 10

;

= 10 V ;

= 5.6

阻性负载

从测得的漏导致的模具中心

从源铅源测量

焊盘

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

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N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX14NQ20T ， PHF14NQ20T

反向二极管极限值和特性

= 25 ° C除非另有说明

符号参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲电流源（体

二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

分钟。

= 14 A; V

= 0 V

= 14 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= 0 V; V

= 30 V

典型值。马克斯。单位

1.0

135

690

1.5

隔离限值&特性

= 25 C除非另有说明

符号

ISOL

参数

均方根所有隔离电压

三个端子的外部

散热器

所有重复峰值电压

三个端子的外部

散热器

电容引脚2至

外部散热器

条件

SOT186A封装; F = 50-60赫兹;

正弦波;相对湿度

≤

65%;

干净无尘

SOT186封装;相对湿度

≤

65%;

干净无尘

F = 1 MHz的

分钟。

典型值。

马克斯。

2500

单位

ISOL

1500

ISOL

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产品speci fi cation

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PHX14NQ20T ， PHF14NQ20T

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

与复合散热器

瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.1

0.02

单脉冲

部份效果/ C

100

120

140

0.01

1E-06

1E-05

1E-04

1E-03 1E-02 1E-01

脉冲宽度TP （多个）

1E+00

1E+01

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100P

D 25 C

= F （T

)

归一化电流降额

与复合散热器

图4 。瞬态热阻抗。

日J- MB

= F（T） ;参数D = T

漏极电流ID （ A）

10V

VGS=4.5

5.5

15V

6.5V

120

110

100

ID％

部份效果/ C

100

120

140

漏 - 源电压， VDS （V ）

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100I

D 25 C

= F （T

） ;条件： V

≥

10 V

峰值漏电流脉冲， IDM （ A）

图5 。典型的输出特性，T

= 25 C.

= F（V

） ;参数V

漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON）（欧姆）

0.8

0.7

4.5V

5.5V

0.5

1000

100

RDS （ ON）= VDS / ID

TP = 10我们

0.6

100us

1毫秒

特区

10毫秒

100毫秒

0.1

100

漏 - 源电压， VDS （V ）

1000

0.4

0.3

0.2

0.1

漏极电流ID （ A）

6.5V

10V

VGS = 20 V

如图3所示。安全工作区。牛逼

= 25 C

＆放大器;我

= F（V

); I

单脉冲;参数t

图6 。典型通态电阻，T

= 25 C.

DS （ ON）

= F（我

） ;参数V

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产品speci fi cation

N沟道的TrenchMOS 晶体管

PHX14NQ20T ， PHF14NQ20T

漏极电流ID （ A）

栅 - 源电压，V GS （V）的

150 C

TJ = 25℃

4.5

3.5

2.5

1.5

0.5

VGS （ TO ） / V

最大

典型值

民

-100

-50

TJ / C

100

150

图7 。典型的传输特性。

= F（V

） ;条件： V

= 25 V ;参数T

跨导， GFS （ S）

图10 。栅极阈值电压。

GS （ TO ）

= F （T

） ;条件：我

= 1毫安; V

= V

亚阈值传导

1E-01

1E-02

典型值

98%

1E-03

1E-04

1E-05

ID / （ A）

1E-06

图8 。典型的跨导，T

= 25 C.

= F（我

） ;条件： V

= 25 V

图11 。亚阈值漏电流。

= F（V

GS ）

;条件：T已

= 25 ℃; V

= V

电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）

2.5

RDS（ON）归到25℃

10000

西塞

1000

科斯

100

1.5

CRSS

0.5

-70

-20

部份效果/摄氏度

130

漏 - 源电压， VDS （V ）

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

DS （ ON） 25 C

= F （T

); I

= 7 A; V

= 10 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

C = F（V

） ;条件： V

= 0 V ; F = 1 MHz的

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