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PESD5V0L2UU ; PESD6V0L2UU
低电容单向ESD保护二极管
版本01 - 2009年3月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
低电容单向双静电放电（ ESD ）保护二极管
在一个非常小的表面贴装器件（ SMD ）塑料封装，旨在保护达
免受ESD和其他瞬变的损害的两条信号线。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
SOT323
JEITA
SC-70
非常小
包装CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
I
达的单向ESD保护
两行
I
低电容二极管：C
d
= 34 pF的
I
马克斯。峰值脉冲功率：P
PP
= 70 W
I
低钳位电压： V
CL
= 13 V
I
超低漏电流
I
ESD保护高达30千伏
I
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
I
IEC 61000-4-5 （浪涌） ;我
PP
= 6.5 A
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
音频和视频设备
I
计算机及外设
I
手机及配件
I
通信系统
I
便携式电子产品
I
订户身份模块（ SIM）卡
保护
1.4快速参考数据
表2中。
快速参考数据
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
-
-
-
-
5.0
6.0
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESD5V0L2UU ; PESD6V0L2UU
低电容单向ESD保护二极管
表2中。
快速参考数据
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
C
d
参数
二极管电容
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
条件
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
[2]
[1]
[2]
民
-
-
-
-
典型值
19
38
17
34
最大
23
46
20
40
单位
pF
pF
pF
pF
[1]
[2]
双向CON组fi guration ：从引脚1测到2个或2脚为1。
单向CON组fi guration ：从引脚1测到3针23个。
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
钉扎
描述
阴极（二极管1 ）
阴极（二极管2 ）
共阳极
1
2
1
2
006aaa154
简化的轮廓
3
图形符号
3
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
SC-70
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT323
类型编号
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
H1*
H2*
类型编号
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PESD5V0L2UU_PESD6V0L2UU_1
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产品数据表
版本01 - 2009年3月11日
2 13
恩智浦半导体
PESD5V0L2UU ; PESD6V0L2UU
低电容单向ESD保护二极管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
P
PP
峰值脉冲功率
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
I
PP
峰值脉冲电流
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
参数
条件
t
p
= 8/20
s
[1][2]
民
最大
单位
-
-
t
p
= 8/20
s
[1][2]
70
60
6.5
5.5
150
+150
+150
W
W
A
A
°C
°C
°C
-
-
-
55
65
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1或2到3脚。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
ESD
参数
静电放电电压
条件
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
从测量引脚1或2到3脚。
[1]
民
-
-
最大
30
16
单位
kV
kV
[2]
表8 。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESD5V0L2UU_PESD6V0L2UU_1
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产品数据表
版本01 - 2009年3月11日
3 13
恩智浦半导体
PESD5V0L2UU ; PESD6V0L2UU
低电容单向ESD保护二极管
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T（微秒）
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
PESD5V0L2UU_PESD6V0L2UU_1
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版本01 - 2009年3月11日
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恩智浦半导体
PESD5V0L2UU ; PESD6V0L2UU
低电容单向ESD保护二极管
6.特性
表9 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
RWM
参数
反向断态电压
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
I
RM
反向漏电流
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
V
BR
击穿电压
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
C
d
二极管电容
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
V
CL
钳位电压
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
r
DIF
微分电阻
PESD5V0L2UU
PESD6V0L2UU
[1]
[2]
[3]
[4]
双向CON组fi guration ：从引脚1测到2个或2脚为1。
单向CON组fi guration ：从引脚1测到3针23个。
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
从测量引脚1或2到3脚。
条件
民
-
-
典型值
-
-
20
1.5
430
310
6.2
6.8
19
38
17
34
-
-
-
-
最大
5.0
6.0
90
18
-
-
6.6
7.2
23
46
20
40
13
13.5
25
30
单位
V
V
nA
nA
nA
nA
V
V
pF
pF
pF
pF
V
V
V
RWM
= 4.0 V
V
RWM
= 4.3 V
V
RWM
= 5.0 V
V
RWM
= 6.0 V
I
R
= 5毫安
-
-
-
-
5.8
6.4
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
[1]
[2]
[1]
[2]
-
-
-
-
-
-
I
PP
= 5.5 A
[3][4]
I
R
= 5毫安
-
-
PESD5V0L2UU_PESD6V0L2UU_1
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5 13
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