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PDM41257
256K静态RAM
256K ×1位
特点
n
1
2
3
4
5
6
描述
该PDM41257是一个高性能的CMOS静态
RAM组织为262144 ×1位。写这
设备完成时,写使能(WE)
和芯片使能(CE )输入端都是低电平。
当我们保持高读数完成
和CE变低。
该PDM41257从单一+ 5V电源工作
供给和所有的输入和输出是充分的TTL
兼容。该PDM41257有两个版本,
标准功率版PDM41257SA和低
动力版本PDM41257LA 。两个版本
在功能上是相同的,区别仅在于它们的
功耗。
该PDM41257可在一个24引脚300mil的
SOJ塑料表面贴装应用。
高速存取时间
Com'l : 7,8, 10,12和15纳秒
工业: 8 ,10,12和15纳秒
低功耗工作(典型值)
- PDM41257SA
主动: 400毫瓦
待机: 150毫瓦
- PDM41257LA
主动: 350毫瓦
待机: 25毫瓦
单+ 5V ( ± 10 % )电源
TTL兼容的输入和输出
套餐
塑料SOJ ( 300万) - SO
n
n
n
n
功能框图
A0
地址
A17
7
解码器
内存
矩阵
8
9
D
OUT
D
IN
CE
WE
列I / O
10
11
12
2.2版 - 98年4月27日
1
PDM41257
引脚CON组fi guration
SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
D
OUT
A8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
13
14
VCC
引脚说明
名字
A17-A0
D
IN
D
OUT
WE
CE
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入
数据输出
写使能输入
芯片使能输入
电源(+ 5V)的
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
D
IN
VSS
WE
CE
真值表
WE
X
H
L
CE
H
L
L
D
OUT
高阻
D
OUT
高阻
模式
待机
注: 1, H = V
IH
中,L = V
IL
, X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
T
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
T
j
等级
相对于V端子电压
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
最高结温
(2)
Com'l 。
-0.5到+7.0
-55到+125
-55到+125
1.0
50
125
IND 。
-0.5到+7.0
-65到+135
-65到+150
1.0
50
145
单位
°C
°C
°C
W
mA
°C
注:超过绝对最大额定值越大1.强调可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定条件下,长时间会影响其可靠性。
2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行
那些选择的包具有大的热阻(例如,TSOP ) 。该
计算应该是这样的形式
: T
j
= T
a
+ P *
θ
ja
,其中t
a
是环境温度
TURE , P为平均运行功率和
θ
ja
封装的热阻。为
本产品,请使用以下
θ
ja
价值:
SOJ : 83
o
C / W
2
2.2版 - 98年4月27日
PDM41257
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
SS
广告
产业
参数
电源电压
电源电压
环境温度
环境温度
分钟。
4.5
0
0
–40
典型值。
5.0
0
25
25
马克斯。
5.5
0
70
85
单位
V
V
°C
°C
1
2
3
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
PDM41257SA
符号
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 8毫安, V
CC
=最小值。
I
OL
= 10 mA时, V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大,
CE = V
IH
, V
OUT
= V
SS
到V
CC
Com'l /
IND 。
Com'l /
IND 。
分钟。
–5
–5
–0.5
(1)
2.2
2.4
马克斯。
5
5
0.8
6.0
0.4
0.5
PDM41257LA
分钟。
–5
–5
–0.5
(1)
2.2
2.4
马克斯。
5
5
0.8
6.0
0.4
0.5
单位
A
A
V
V
V
V
V
4
5
6
7
注:1, V
IL
(分钟) = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒。
电源特性
-7
符号参数
I
CC
工作电流
CE = V
IL
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大
I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机电流
CE = V
IH
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大
I
SB1
全待机电流
CE
V
CC
– 0.2V
f=0
V
CC
=最大
V
IN
V
CC
- 0.2V或
0.2V
动力
SA
LA
Com'l 。
210
190
-8
Com'l 。
200
180
IND 。
210
190
-10
Com'l 。
190
170
IND 。
200
180
-12
Com'l 。
180
160
IND 。
190
170
-15
Com'l 。
170
150
IND 。
180
160
单位
mA
mA
8
9
10
11
12
3
SA
LA
SA
LA
90
90
20
5
80
80
20
5
80
80
20
5
70
70
20
5
70
70
20
5
60
60
20
5
60
60
20
5
50
50
20
5
50
50
20
5
mA
mA
mA
mA
阴影面积=初步数据
注:所有数值都是最大保证值。
2.2版 - 98年4月27日
PDM41257
电容
(1)
(T
A
= + 25°C , F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注: 1。该参数由器件特性决定的,但不是生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
V
SS
至3.0V
3纳秒
1.5V
1.5V
参见图1和2
+5V
480
D
OUT
255
30 pF的
D
OUT
255
+5V
480
5 pF的
图1.输出负载等效
图2.输出负载等效
(对于T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZWE
, t
HZWE
)
三角洲TAA - 纳秒
5
4
3
2
1
0
0
典型的三角洲TAA VS容性负载
30
60
90
120
其他集总容性负载(PF )
4
2.2版 - 98年4月27日
PDM41257
读周期1号
(1)
吨RC
牛逼AA
数据有效
1
2
3
ADDR
吨OH
DOUT以前的数据VALID
读周期2号
(2)
t
RC
ADDR
4
5
t
HZCE
t
HZOE
数据有效
t
AA
t
ACE
CE
t
LZCE
t
LZOE
D
OUT
6
7
t
AOE
AC电气特性
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
(3, 4, 5)
芯片禁用高Z输出
(3, 4, 5)
芯片使能上电时间
(4)
芯片禁用断电时间
(4)
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
0
7
3
5
5
0
8
-7
分钟。
7
7
7
3
5
5
0
10
(6)
-8
分钟。
8
(6)
-10
分钟。
10
8
8
3
5
(6)
-12
分钟。
12
马克斯。
-15
分钟。
15
12
12
15
15
3
5
10
10
0
12
15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
9
10
11
12
5
马克斯。
马克斯。
马克斯。
10
10
3
5
10
0
阴影面积=初始数据。
引用的注释是后数据保留表。
2.2版 - 98年4月27日
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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