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PESDxL1BA系列
低电容双向ESD保护二极管
SOD323
牧师02 - 2009年8月20日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
双向静电放电( ESD )保护二极管在一个非常小的SOD323
( SC - 76 )塑料SMD封装设计用来保护一条信号线的损坏
由ESD和其他瞬态。
1.2产品特点
I
I
I
I
一条线的双向ESD保护
马克斯。峰值脉冲功率:P
pp
= 500 W
低钳位电压: V
(CL )R
= 26 V
超低漏电流:I
RM
& LT ; 0.09
A
I
I
I
I
ESD保护> 23千伏
IEC 61000-4-2第4级( ESD )
IEC 61000-4-5 (浪涌) ;我
pp
= 18 A
非常小的SMD塑料包装
1.3应用
I
计算机及外设
I
通信系统
I
音频和视频设备
I
数据线
I
CAN总线保护
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
RWM
快速参考数据
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
C
d
二极管电容
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
V
R
= 0 V;
F = 1 MHz的
-
-
-
-
-
101
75
19
16
11
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5.0
12
15
24
V
V
V
V
V
条件
典型值
最大
单位
恩智浦半导体
PESDxL1BA系列
低电容双向ESD保护二极管SOD323
2.管脚信息
表2中。
1
2
钉扎
描述
阴极1
阴极2
1
2
1
sym045
简化的轮廓
符号
2
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PESDxL1BA系列SC- 76
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
AB
AC
AD
AE
AF
类型编号
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
PESDXL1BA_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年8月20日
2 15
恩智浦半导体
PESDxL1BA系列
低电容双向ESD保护二极管SOD323
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
pp
参数
峰值脉冲功率
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
I
pp
峰值脉冲电流
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
8/20
s
[1]
-
-
-
-
-
最大
500
500
200
200
200
18
15
5
5
3
150
+150
+150
单位
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
°C
°C
°C
8/20
s
[1]
-
-
-
-
-
-
65
65
结温
环境温度
储存温度
非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形;看
图1 。
表6 。
符号
ESD
ESD最大额定值
参数
静电放电能力
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
PESDxL1BA系列
HBM MIL -STD 883
条件
IEC 61000-4-2
(接触放电)
[1]
最大
单位
-
-
-
-
-
-
30
30
30
30
23
10
kV
kV
kV
kV
kV
kV
[1]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲;看
图2中。
表7中。
标准
ESD标准符合性
条件
> 15千伏(空气) ; > 8千伏(接触)
& GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级( ESD ) ;
图2
HBM MIL -STD 883 ; 3级
PESDXL1BA_SER_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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3 15
恩智浦半导体
PESDxL1BA系列
低电容双向ESD保护二极管SOD323
001aaa631
120
I
PP
(%)
80
100 % I
PP
; 8
s
001aaa630
I
PP
100 %
90 %
e
t
50 % I
PP
; 20
s
40
10 %
t
r
=
0.7 ns至1纳秒
0
10
20
30
T(微秒)
40
30纳秒
60纳秒
t
0
图1 。
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5
图2 。
根据ESD脉冲波形
IEC 61000-4-2
PESDXL1BA_SER_2
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4 15
恩智浦半导体
PESDxL1BA系列
低电容双向ESD保护二极管SOD323
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
RWM
参数
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
V
( BR )
击穿电压
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
C
d
二极管电容
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
V
(CL )R
钳位电压
PESD3V3L1BA
PESD5V0L1BA
PESD12VL1BA
PESD15VL1BA
PESD24VL1BA
I
pp
= 1 A
I
pp
= 18 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 15 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 5 A
I
pp
= 1 A
I
pp
= 3 A
[1]
条件
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.09
0.01
<1
<1
<1
6.4
7.6
15.9
18.9
27.8
最大
3.3
5.0
12
15
24
2
1
50
50
50
6.9
8.2
16.7
20.3
30.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
SEE
图7
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5.0 V
V
RWM
= 12 V
V
RWM
= 15 V
V
RWM
= 24 V
I
R
= 5毫安
5.8
7.0
14.2
17.1
25.4
V
R
= 0 V ; F = 1兆赫;
SEE
图5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
101
75
19
16
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
26
10
33
20
37
25
44
40
70
pF
pF
pF
pF
pF
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
PESDXL1BA_SER_2
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