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500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2007年10月 - 修订版22 -OCT- 07
CDQ0303-QS
特点
匹配对晶体管进行优化
平衡放大器设计
铝镓砷/铟镓砷/铝镓砷假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制)
高增益:
25分贝@ 900 MHz的
21分贝@ 1900 MHz的
低噪声系数:
0.6分贝@ 900 MHz的
0.7分贝@ 1900 MHz的
17 dBm的P1dB为2 GHz的
33 dBm的OIP3在2 GHz
600μm的门宽度:50输出阻抗
优良的均匀性
超小型表面贴装QFN封装
10年MTBF寿命
符合RoHS标准建设
典型规格( 50
参数
系统)
单位
900兆赫1900兆赫2400兆赫
S21增益
S11输入回波损耗
S22输出回波损耗
输出IP3
输出P1 dB的
噪声系数
工作电流范围
电源电压
23.5
-3.0
-3.5
31.8
16.5
0.55
50
3.0
20.0
-4.0
-4.5
32.5
16.0
0.72
50
3.0
16.0
-3.0
-7.0
32.7
16.0
0.89
50
3.0
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机,基站接收机和
塔顶放大器
WiMAX的无线局域网, LEO , GEO , WLL / RLL , GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
注:典型规范代表的每一面表现
匹配晶体管对在建议的应用电路
板(请参阅第15页) 。可以预见,在所述一对将在一个的天平用于
高级电路结构,因此匹配被用于最优化
噪声系数和OIP3性能。
描述
该CDQ0303 - QS是一款双通道,超低噪声amplifi-
国家的最先进的ER结合高增益,噪声系数和高
IP3 。采用MIMIX的独特内部砷化镓fabrica-
化优势,对匹配的技术,共同定位
匹配晶体管芯片组装在采用4mm x 4mm
QFN封装。低成本,表面贴装, 16个终端,
塑料包装也是无铅。
包装一对匹配的超低噪音设备
在一个封装使得CDQ0303 -QS的理想产品
为平衡放大器实现。其目的是为
在900 MHz到2400 MHz的多种应用
频率范围。它也可以在双频段用于组态
配给在一个单一的晶体管被用于每个频段。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合于所有应用中使用,其中的低噪声系数,高
增益,中等功率和良好的拦截是必需的。该
CDQ0303 -QS是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能,特别是作为低热阻
可扩展的功耗时,电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
第14页1
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2007年10月 - 修订版22 -OCT- 07
CDQ0303-QS
电气特性
TA = 25℃ ,在测试系统测得的典型设备的射频参数。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
工作频率
直流电源电压
饱和漏极电流(每设备)
国际直拨电话(每设备)
跨导(每设备)
相关的增益1
500
120
190
23
18
3
165
60
250
25
20
0.6
0.7
29
29
34
29
3000
200
只有VDD
VDS = 4.5V , VGS = 0V
VGG = -0.65 NOM
VDS = 4.5V 。通用汽车公司的Idss = / VP
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1900 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
噪声系数1
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1900 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
1
输出三阶截点
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1950 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
隔离( IN1和IN2 )
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1950 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
输入过驱动Tollerance水平
1分钟后,返回到全面运作。
静电放电(ESD防范措施,应遵循)ESD ( HBM )的(所有I / O )
注意事项:
1.测量Celeritek评估板(不使用电路去嵌入) 。参见第15页。
17
600
兆赫
V
mA
mA
mmho
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
V
功能框图
15
VS 1
14
VS 2
16
IN 1
13
IN 2
引脚输出详细
16
13
5
8
1, 2, 3, 4
9, 10, 11, 12
6, 7, 14, 15
功能
IN 1
IN 2
出1
输出2
VS 1
VS 2
GND
描述
放大器1 RF输入
放大器2 RF输入
放大器1 RF输出
放大器2的RF输出
放大器1源连接
放大器2源连接
主散热连接
VS 1
1
VS 1
2
VS 1
3
VS 1
4
12
VS 2
11
VS 2
10
VS 2
9
VS 2
VS 1
6
出1
5
VS 2
7
绝对最大额定值
1
参数
等级
参数
等级
参数
等级
漏源电压2
栅源电压2
栅极 - 漏极电压2
输出2
8
+5.5 V
-5.0 V
-5.0 V
漏电流2
总压水堆耗散
RF输入功率
智能决策支持系统[3] A
1.12 W
17 dBm的
通道温度
储存温度
热阻
+175C
-65 ° C至+ 160°C
70C/W
注意事项:
1.操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
2.假设DC静态条件。 RF OFF 。
3. VGS = 0V
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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双通道,超低噪声,高IP3放大器
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CDQ0303-QS
典型的脉冲I- V性能
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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CDQ0303-QS
典型性能
OIP3和P
1dB
与偏置在2GHz
35
OIP3
30
30
OIP3
1,2
35
OIP3和P
1dB
与我
DSQ
为1GHz
1,2
25
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
25
20
20
15
P
1dB
10
4V
3V
5
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
(MA )
40
50
60
15
P
1dB
10
4V
3V
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
(MA )
40
50
60
5
NF和Ga与偏置在2GHz
1.65
1.5
1.35
1.2
1.05
NFmin ( dB)的
0.9
Ga
2
21.5
20
18.5
17
15.5
嘎(分贝)
14
3V
12.5
2V
11
4V
9.5
8
6.5
5
NFmin ( dB)的
1.65
1.5
1.35
Ga
1.2
1.05
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
NF和Ga与偏置为1GHz
2
23.5
22
20.5
19
17.5
3V
2V
4V
嘎(分贝)
16
14.5
13
11.5
10
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
0
10
20
30
IDSQ (毫安)
40
50
60
70
NFmin
0.15
0
0
10
20
30
IDSQ (毫安)
40
50
60
70
8.5
7
NFmin
注意事项:
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近,漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子,在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安,标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统,以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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双通道,超低噪声,高IP3放大器
2007年10月 - 修订版22 -OCT- 07
CDQ0303-QS
典型性能
Nfmin与频率和电流, VD = 3V
1.65
1.5
1.35
1.2
1.05
NFmin ( dB)的
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
0
1
2
3
4
5
频率(GHz )
6
7
8
9
10
5
10mA
20
20mA
40mA
15
嘎(分贝)
60mA
20mA
40mA
60mA
10mA
2
25
相关增益与频率和电流VD = 3V
2
10
0
0
1
2
3
4
5
频率(GHz )
6
7
8
9
10
24
22
20
18
16
Nfmin和相关增益与频率和温度@ VD = 3V ,ID = 20毫安
1
1.65
1.5
1.35
OIP3和P1dB为与频率和温度, VDS = 3V ,IDS = 20mA下
30
1,2
25deg
-40deg
80deg
25
1.2
NFmin
OIP3
NFmin ( dB)的
Ga
嘎(分贝)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
频率(GHz )
8
10
12
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
OIP3 , P1dB为( DBM)
1.05
20
15
P
1dB
25deg
10
-40deg
85deg
5
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
注意事项:
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近,漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子,在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安,标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统,以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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双通道,超低噪声,高IP3放大器
2006年5月 - 修订版24月-06
CDQ0303-QS
特点
匹配对晶体管进行优化
平衡放大器设计
铝镓砷/铟镓砷/铝镓砷假晶高
电子迁移率晶体管( pHEMT制)
高增益:
25分贝@ 900 MHz的
21分贝@ 1900 MHz的
低噪声系数:
0.6分贝@ 900 MHz的
0.7分贝@ 1900 MHz的
17 dBm的P1dB为2 GHz的
33 dBm的OIP3在2 GHz
600μm的门宽度:50输出阻抗
优良的均匀性
超小型表面贴装QFN封装
10年MTBF寿命
符合RoHS标准建设
典型规格( 50
参数
系统)
单位
900兆赫1900兆赫2400兆赫
S21增益
S11输入回波损耗
S22输出回波损耗
输出IP3
输出P1 dB的
噪声系数
工作电流范围
电源电压
23.5
-3.0
-3.5
31.8
16.5
0.55
50
3.0
20.0
-4.0
-4.5
32.5
16.0
0.72
50
3.0
16.0
-3.0
-7.0
32.7
16.0
0.89
50
3.0
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机,基站接收机和
塔顶放大器
WiMAX的无线局域网, LEO , GEO , WLL / RLL , GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
注:典型规范代表的每一面表现
匹配晶体管对在建议的应用电路
板(请参阅第15页) 。可以预见,在所述一对将在一个的天平用于
高级电路结构,因此匹配被用于最优化
噪声系数和OIP3性能。
描述
该CDQ0303 - QS是一款双通道,超低噪声amplifi-
国家的最先进的ER结合高增益,噪声系数和高
IP3 。采用MIMIX的独特内部砷化镓fabrica-
化优势,对匹配的技术,共同定位
匹配晶体管芯片组装在采用4mm x 4mm
QFN封装。低成本,表面贴装, 16个终端,
塑料包装也是无铅。
包装一对匹配的超低噪音设备
在一个封装使得CDQ0303 -QS的理想产品
为平衡放大器实现。其目的是为
在900 MHz到2400 MHz的多种应用
频率范围。它也可以在双频段用于组态
配给在一个单一的晶体管被用于每个频段。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合于所有应用中使用,其中的低噪声系数,高
增益,中等功率和良好的拦截是必需的。该
CDQ0303 -QS是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能,特别是作为低热阻
可扩展的功耗时,电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
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特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2006年5月 - 修订版24月-06
CDQ0303-QS
电气特性
TA = 25℃ ,在测试系统测得的典型设备的射频参数。
参数
测试条件
典型值
最大
单位
工作频率
直流电源电压
饱和漏极电流(每设备)
国际直拨电话(每设备)
跨导(每设备)
相关的增益1
500
120
190
23
18
3
165
60
250
25
20
0.6
0.7
29
29
34
29
3000
200
只有VDD
VDS = 4.5V , VGS = 0V
VGG = -0.65 NOM
VDS = 4.5V 。通用汽车公司的Idss = / VP
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1900 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
噪声系数1
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1900 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
1
输出三阶截点
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1950 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
隔离( IN1和IN2 )
F = 900兆赫
VD = 3V , IDS = 50毫安
F = 1950 MHz的
VD = 3V , IDS = 50毫安
输入过驱动Tollerance水平
1分钟后,返回到全面运作。
静电放电(ESD防范措施,应遵循)ESD ( HBM )的(所有I / O )
注意事项:
1.测量Celeritek评估板(不使用电路去嵌入) 。参见第15页。
17
600
兆赫
V
mA
mA
mmho
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
DBM
V
功能框图
15
VS 1
14
VS 2
16
IN 1
13
IN 2
引脚输出详细
16
13
5
8
1, 2, 3, 4
9, 10, 11, 12
6, 7, 14, 15
功能
IN 1
IN 2
出1
输出2
VS 1
VS 2
GND
描述
放大器1 RF输入
放大器2 RF输入
放大器1 RF输出
放大器2的RF输出
放大器1源连接
放大器2源连接
主散热连接
VS 1
1
VS 1
2
VS 1
3
VS 1
4
12
VS 2
11
VS 2
10
VS 2
9
VS 2
VS 1
6
出1
5
VS 2
7
绝对最大额定值
1
参数
等级
参数
等级
参数
等级
漏源电压2
栅源电压2
栅极 - 漏极电压2
输出2
8
+5.5 V
-5.0 V
-5.0 V
漏电流2
总压水堆耗散
RF输入功率
智能决策支持系统[3] A
1.12 W
17 dBm的
通道温度
储存温度
热阻
+175C
-65 ° C至+ 160°C
70C/W
注意事项:
1.操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
2.假设DC静态条件。 RF OFF 。
3. VGS = 0V
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第14页2
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2006年5月 - 修订版24月-06
CDQ0303-QS
典型的脉冲I- V性能
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第14页3
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2006年5月 - 修订版24月-06
CDQ0303-QS
典型性能
OIP3和P
1dB
与偏置在2GHz
35
OIP3
30
30
OIP3
1,2
35
OIP3和P
1dB
与我
DSQ
为1GHz
1,2
25
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
OIP3 ,P
1dB
( dBm的)
25
20
20
15
P
1dB
10
4V
3V
5
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
(MA )
40
50
60
15
P
1dB
10
4V
3V
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
(MA )
40
50
60
5
NF和Ga与偏置在2GHz
1.65
1.5
1.35
1.2
1.05
NFmin ( dB)的
0.9
Ga
2
21.5
20
18.5
17
15.5
嘎(分贝)
14
3V
12.5
2V
11
4V
9.5
8
6.5
5
NFmin ( dB)的
1.65
1.5
1.35
Ga
1.2
1.05
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
NF和Ga与偏置为1GHz
2
23.5
22
20.5
19
17.5
3V
2V
4V
嘎(分贝)
16
14.5
13
11.5
10
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
0
10
20
30
IDSQ (毫安)
40
50
60
70
NFmin
0.15
0
0
10
20
30
IDSQ (毫安)
40
50
60
70
8.5
7
NFmin
注意事项:
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近,漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子,在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安,标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统,以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第14页4
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
500-6000兆赫
双通道,超低噪声,高IP3放大器
2006年5月 - 修订版24月-06
CDQ0303-QS
典型性能
Nfmin与频率和电流, VD = 3V
1.65
1.5
1.35
1.2
1.05
NFmin ( dB)的
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
0
1
2
3
4
5
频率(GHz )
6
7
8
9
10
5
10mA
20
20mA
40mA
15
嘎(分贝)
60mA
20mA
40mA
60mA
10mA
2
25
相关增益与频率和电流VD = 3V
2
10
0
0
1
2
3
4
5
频率(GHz )
6
7
8
9
10
24
22
20
18
16
Nfmin和相关增益与频率和温度@ VD = 3V ,ID = 20毫安
1
1.65
1.5
1.35
OIP3和P1dB为与频率和温度, VDS = 3V ,IDS = 20mA下
30
1,2
25deg
-40deg
80deg
25
1.2
NFmin
OIP3
NFmin ( dB)的
Ga
嘎(分贝)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
频率(GHz )
8
10
12
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
0.15
0
OIP3 , P1dB为( DBM)
1.05
20
15
P
1dB
25deg
10
-40deg
85deg
5
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
注意事项:
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近,漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子,在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安,标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统,以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
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