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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第145页 > PEMH19
PEMD19 ; PUMD19
NPN / PNP电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
版本01 - 2005年2月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / PNP电阻配备晶体管。
表1：
产品概述
包
飞利浦
PEMD19
PUMD19
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
PNP / PNP
补
PEMB19
PUMB19
NPN / NPN
补
PEMH19
PUMH19
类型编号
1.2产品特点
s
s
s
s
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
s
低电流外设驱动器
s
IC的输入控制
s
更换的普通用途的晶体管在数字应用
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
首席执行官
I
O
R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
条件
开基
民
-
-
15.4
典型值
-
-
22
最大
50
100
28.6
单位
V
mA
k
飞利浦半导体
PEMD19 ; PUMD19
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
2.管脚信息
表3：
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
GND （发射器） TR1
输入端（基极）的TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
输出（集电极） TR1
TR1
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
R1
TR2
1
2
3
001aab555
R1
1
2
3
006aaa269
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
PEMD19
PUMD19
-
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT363
类型编号
4.标记
表5：
PEMD19
PUMD19
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
6E
T4*
类型编号
9397 750 14408
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年2月17日
2 11
飞利浦半导体
PEMD19 ; PUMD19
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
最大
50
50
5
100
100
200
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
300
300
mW
mW
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1] [2]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
9397 750 14408
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年2月17日
3 11
飞利浦半导体
PEMD19 ; PUMD19
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
偏置电阻器1 （输入）
集电极电容
TR1 （ NPN ）
TR2 （ PNP ）
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
-
-
-
-
2.5
3
pF
pF
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
民
-
-
-
-
100
-
15.4
典型值
-
-
-
-
-
-
22
最大
100
1
50
100
-
150
28.6
mV
k
单位
nA
A
A
nA
每个晶体管;为PNP晶体管具有负的极性
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
9397 750 14408
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
版本01 - 2005年2月17日
4 11
飞利浦半导体
PEMD19 ; PUMD19
NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
500
h
FE
(1)
006aaa172
10
3
006aaa173
400
V
CESAT
（毫伏）
(2)
300
10
2
(2) (1)
(3)
200
(3)
100
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1的TR1 （NPN） ：直流电流增益的一个函数
集电极电流;典型值
10
3
006aaa196
图2. TR1 （ NPN ） ：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型值
1
006aaa197
(1)
h
FE
(2)
(3)
V
CESAT
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
=
5
V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图3. TR2 （PNP） ：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
图4。 TR2 （ PNP ） ：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型值
9397 750 14408
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产品数据表
版本01 - 2005年2月17日
5 11
PEMH19 ; PUMH19
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
牧师03 - 2009年11月15日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET ） 。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PEMH19
PUMH19
SOT666
SOT363
JEITA
-
SC-88
NPN / PNP
补
PEMD19
PUMD19
PNP / PNP
补
PEMB19
PUMB19
类型编号
1.2产品特点
内置偏置电阻
简化网络连接的ES电路设计
减少了元件数量
减少取放成本
1.3应用
低电流外设驱动器
IC的输入控制
取代通用晶体管数字应用
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
条件
开基
民
-
-
15.4
典型值
-
-
22
最大
50
100
28.6
单位
V
mA
kΩ
恩智浦半导体
PEMH19 ; PUMH19
NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
2.管脚信息
表3中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
GND （发射器） TR1
输入端（基极）的TR1
输出（集电极） TR2
GND （发射器） TR2
输入端（基极） TR2
输出（集电极） TR1
TR1
简化的轮廓
6
5
4
符号
6
5
4
R1
TR2
1
2
3
001aab555
R1
1
2
3
sym090
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PEMH19
PUMH19
-
SC-88
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT666
SOT363
类型编号
4.标记
表5 。
PEMH19
PUMH19
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
标记代码
标识代码
[1]
6F
H6*
类型编号
PEMH19_PUMH19_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月15日
2第8
恩智浦半导体
PEMH19 ; PUMH19
NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
最大
50
50
5
100
100
200
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
每个晶体管
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1][2]
-
-
300
300
mW
mW
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
条件
在自由空气
[1]
[1][2]
民
典型值
最大
单位
每个晶体管
-
-
-
-
625
625
K / W
K / W
在自由空气
[1]
[1][2]
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PEMH19_PUMH19_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月15日
3 8
恩智浦半导体
PEMH19 ; PUMH19
NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
偏置电阻器1 （输入）
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
民
-
-
-
-
100
-
15.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
22
-
最大
100
1
50
100
-
150
28.6
2.5
mV
kΩ
pF
单位
nA
μA
μA
nA
每个晶体管
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
500
h
FE
(1)
006aaa172
10
3
006aaa173
400
V
CESAT
（毫伏）
(2)
300
10
2
(2) (1)
(3)
200
(3)
100
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
PEMH19_PUMH19_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月15日
4 8
恩智浦半导体
PEMH19 ; PUMH19
NPN / NPN电阻配备晶体管; R1 = 22 kΩ的， R2 =开放
8封装外形
2.2
1.8
6
5
4
0.45
0.15
1.1
0.8
6
1.7
1.5
5
4
0.3
0.1
0.6
0.5
2.2 1.35
2.0 1.15
销1
指数
1.7
1.5
1.3
1.1
PIN 1 INDEX
1
0.65
1.3
尺寸（mm）
2
3
0.3
0.2
0.25
0.10
06-03-16
尺寸（mm）
1
0.5
1
2
3
0.27
0.17
0.18
0.08
04-11-08
图3 。
封装外形SOT363 （ SC -88 ）
图4 。
封装外形SOT666
9.包装信息
表9 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
型号包装说明
PEMH19
PUMH19
SOT666
SOT363
2毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T1
4毫米间距8毫米磁带和卷轴; T2
[1]
[2]
[3]
[2]
[3]
包装数量
3000
-
-
-115
-125
4000 8000
-
-115
-
-
-315
-
-
-
10000
-
-
-135
-165
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第12节。
T1 ：正常录音
T2 ：反向盘带
PEMH19_PUMH19_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年11月15日
5 8
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PCLH-102AMSPL000
PIC16C62-20/JW
P54FCT827BLM
PXD20-48S12
PAL18L4VC
PSD935G2-C-15U
PIC12F510-E/PSQTP
PI5C3384
PCS3P8504AG-08CR
PCD440AC8
PGC36DZCN-M
P89C535NBAA
PI3VT34X245
PM5022H-3R9M-RC
PTH03020
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    PEMH19
    -
    -
    -
    -
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