飞利浦半导体
初步speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
用FLASH程序存储器
89C535/89C536/89C538
引脚说明
引脚数
助记符
V
SS
V
CC
P0.0–0.7
LCC
1, 22
23, 44
43–36
QFP
16, 39
17, 38
37–30
TYPE
I
I
I / O
名称和功能
地面：
0V参考。
电源：
这是在电源电压为正常，空闲和掉电操作。
端口0 ：
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口有写信给他们1秒浮
并且可以用作高阻抗输入。 P0口还复低位地址和
数据总线时访问外部程序和数据存储器。在本申请中，它使用强
发射1秒时，内部上拉电阻。 P0口还可在程序校验时，输出指令字节和
在EEPROM编程接收的字节码。在程序需要外部上拉电阻
VERI网络阳离子。
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有1秒写入
他们是拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。作为输入，端口1引脚
被外部拉低，因为内部上拉的时将输出电流。 （见DC电气
特点：我
IL
） 。端口1的程序也存储在接收低位地址字节
VERI网络阳离子。
复用功能的端口1包括：
2
3
P2.0–P2.7
24–31
40
41
18–25
I / O
I
I / O
T2 （ P1.0 ） ：
定时器/计数器2的外部计数输入
T2EX （ P1.1 ） ：
定时器/计数器2重载/捕获
端口2 ：
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有1秒写入
他们是拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。作为输入，端口2引脚
被外部拉低，因为内部上拉的时将输出电流。 （见DC
电气特性：我
IL
） 。端口2时，从外部取发出的高位地址字节
程序存储器和过程中使用的16位地址，以访问外部数据存储器（ MOVX
@ DPTR ） 。在这种应用中，它使用强大的内部上拉发送1 。一些端口2引脚
在EEPROM编程和校验接收高位地址。
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有1秒写入
他们是拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。作为输入，端口3引脚
被外部拉低由于上拉的时将输出电流。 （见DC电气
特点：我
IL
） 。端口3还提供了特殊功能的8051系列，具体如下：
RXD（ P3.0 ） ：
串行输入端口
的TxD （ P3.1 ） ：
串行输出端口
INT0 （ P3.2 ） ：
外部中断
INT1 （ P3.3 ） ：
外部中断
T0 （ P3.4 ） ：
定时器0外部输入
T1 （ P3.5 ） ：
定时器1外部输入
WR （ P3.6 ） ：
外部数据存储器写选通
RD （ P3.7 ） ：
外部数据存储器读选通
RESET ：
高该引脚上出现两个机器周期振荡器运行时，复位设备。一
内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个外部电容伏的上电复位
CC
.
地址锁存使能/编程脉冲：
输出脉冲用于锁存地址的低字节
在一个访问外部存储器。在正常操作中， ALE在1/6以恒定速率发射
振荡器的频率，并且可以用于外部定时或时钟。请注意，一个ALE脉冲
在每次访问外部数据存储器跳过。该引脚也用作编程输入脉冲
（PROG）在EEPROM编程。
程序存储使能：
读选通外部程序存储器。当处理器处于
从外部程序存储器执行代码时， PSEN被激活两次，每个机器周期，
除了两个PSEN激活是在每次访问外部数据存储器跳过。 PSEN是
在从内部程序存储器取未激活。
外部访问允许/编程电源电压：
EA必须从外部保持低电平，使
该装置来从外部程序存储器的代码。如果EA保持高电平时，器件从执行
内部程序存储器。该引脚也接收12V编程电源电压（V
PP
）在
EPROM编程。 EA内部锁存复位。
晶体1 ：
输入到振荡器反相放大器和输入到内部时钟发生器电路。
水晶2 ：
输出振荡器反相放大器器。
P1.0–P1.7
2–9
40–44,
1–3
I / O
P3.0–P3.7
11,
13–19
5,
7–13
I / O
11
13
14
15
16
17
18
19
RST
ALE / PROG
10
33
5
7
8
9
10
11
12
13
4
27
I
O
I
I
I
I
O
O
I
O
PSEN
32
26
O
EA / V
PP
35
29
I
XTAL1
XTAL2
21
20
15
14
I
O
注意：
为了避免在上电“闩锁效应”，在任何时候对任何引脚上的电压不能大于V高
CC
+ 0.5V或V
SS
- 0.5V ，分别。
1997年6月05
5
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