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订购数量： ENA1836

PCP1208

三洋半导体

数据表

PCP1208

特点

NPN外延平面硅晶体管

LED背光

高允许功耗

无卤合规

VCEO = 200V ， IC = 0.7A

低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） = 0.115V （典型值） @ IC = 0.35A

高速开关tf=70ns(typ.)@IC=0.3A

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

当安装在陶瓷基体（ 450毫米

×0.8mm)

Tc=25°C

条件

评级

220

200

0.7

140

1.3

3.5

150

-55到+150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7007B-004

顶视图

4.5

1.6

1.5

产品&包装信息

包

： PCP

JEITA ， JEDEC

： SC - 62 ， SOT- 89 ， TO- 243

最小包装量

： 1000个/卷

包装类型： TD

2.5

1.0

4.0

记号

LOT号

0.4

0.5

1.5

3.0

0.4

电气连接

0.75

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

底部视图

三洋： PCP

http://semicon.sanyo.com/en/network

12611CB TKIM TC- 00002563号A1836-1 / 4

PCP1208

电气特性

在TA = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

条件

VCB = 100V ， IE = 0A

VEB = 4V ， IC = 0A

VCE = 5V ， IC =百毫安

VCE = 10V ， IC =百毫安

VCB = 10V ， F = 1MHz的

IC = 0.35A ， IB = 35毫安

IC = 10μA ， IE = 0A

IC = 1mA时， RBE = ∞

IE = 10μA ， IC = 0A

请参阅特定网络版测试电路。

220

200

120

115

0.82

200

1.2

评级

民

典型值

最大

560

兆赫

μs

单位

μA

开关时间测试电路

PW=50μs

特区

≤

输入

50Ω

820μF

VCC=100V

IB1

IB2

产量

IC = 10IB1 = --10IB2 = 0.3A

1.0

0.9

IC - VCE

100mA

0.20

IC - VCE

80mA

集电极电流， IC - 一个

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

600

700

500

400μA

集电极电流， IC - 一个

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

60mA

50mA

40mA

30mA

20mA

4mA

6mA

8mA

300μA

200

μA

10mA

100

μA

2mA

IB=0mA

0.9

1.0

IB=0

集电极 - 发射极电压VCE - V

0.8

0.7

IC - VBE

IT15952

1000

集电极 - 发射极电压VCE - V

的hFE - IC

IT15953

VCE=5V

Ta=75

VCE=5V

集电极电流， IC - 一个

直流电流增益， hFE参数

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

--25

100

--25

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.01

0.1

基极发射极电压VBE - V

IT15954

集电极电流， IC - 一个

7 1.0

IT15955

第A1836-2 / 4

PCP1208

100

的hFE - IC

Ta=25

增益带宽积， FT - 兆赫

1000

FT - IC

VCE=10V

直流电流增益， hFE参数

100

1.0

0.01

0.5

1.0

.0V

2.0

100

0.01

0.1

集电极电流， IC - 一个

100

COB - VCB

1.0

IT15956

0.1

集电极电流， IC - 一个

1.0

VCE （SAT） - IC

7 1.0

IT15957

f=1MHz

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - V

IC / IB = 10

输出电容，科夫 - pF的

1.0

0.1

0.01

--25

5 7 1.0

5 7 10

集电极 - 基极电压VCB - V

VCE （SAT） - IC

5 7 100

IT15958

0.1

集电极电流， IC - 一个

1.0

7 1.0

IT15959

VBE （星期六） - IC

TA = --25

IC / IB = 20

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

IC / IB = 10

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - V

1.0

0.1

0.01

0.1

Ta=75

--25

集电极电流， IC - 一个

1.0

IT15960

0.1

0.01

0.1

ASO

集电极电流， IC - 一个

1.4

1.3

1.2

PC - TA

7 1.0

IT15961

集电极电流， IC - 一个

1.0

0.1

0.01

IC=0.7A

<10

μs

集电极耗散，电脑 - 含

ICP=2A

100

当安装在陶瓷基板

(450mm

×0.8mm)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.001

0.01 2 3 5 70.1 2 3 5 71.0 2 3 5 7 10

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 450毫米

×0.8mm)

集电极 - 发射极

2 3 5 7100 2 3 5 7

1000

电压， VCE - V

IT16014

)

100

125

150

175

IT15963

环境温度，钽 -

°C

第A1836-3 / 4

PCP1208

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

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从有关根据上述法律，当局出口许可证。

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更改，恕不另行通知。

PS第A1836-4 / 4