双芯片MicroCapacitance （MC）的
SIDACtor
设备
RoHS指令
¨
1
(T)
3
(R)
2
(G)
这种两芯片MicroCapacitance
的SIDACtor
设计提供了一个通孔技术
保护解决方案。其目的是为电信应用，不需要均衡
的解决方案。对于初级保护应用程序，设备具有更高的保持电流和
集成的故障保护选项。
的SIDACtor
设备使设备符合各项监管要求
包括GR 1089 ， ITU K.20 ， K.21和K.45 ， IEC 60950 ， UL 60950和TIA- 968 -A
（前身为FCC第68部分） 。
电气参数
部分
号码*
P0302AAMCL
P0602AAMCL
V
DRM
伏
6
25
V
DRM
伏
25
58
65
90
120
140
170
190
220
275
V
S
伏
25
40
V
S
伏
40
77
95
130
160
180
220
250
300
350
V
DRM
伏
12
50
V
DRM
伏
50
116
130
180
240
280
340
380
440
550
V
S
伏
50
80
V
S
伏
80
154
190
260
320
360
440
500
600
700
V
T
伏
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
I
S
毫安
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
I
H
毫安
50
50
针脚1-2 ， 3-2
引脚1-3
部分
号码*
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
针脚1-2 ， 3-2
引脚1-3
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
在安培的浪涌额定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
20
安培
150
安培
150
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
175
安培
45
100
安培
75
200
安培
20
50
的di / dt
安/微秒
500
500
C
50
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
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双芯片MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor器件
散热注意事项
包
改进
TO-220
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
50
单位
°C
°C
° C / W
销1
销2
3脚
电容值
pF
引脚1-2 / 3-2
提示地面，环地面
产品型号
P0302AAMCL
P0602AAMCL
P0602ACMCL
P1402ACMCL
P1602ACMCL
P2202ACMCL
P2702ACMCL
P3002ACMCL
P3602ACMCL
P4202ACMCL
P4802ACMCL
P6002ACMCL
民
25
15
25
40
35
45
40
35
35
30
30
30
最大
55
35
45
60
55
70
60
55
50
50
45
45
民
15
10
10
20
20
25
20
20
15
15
15
15
pF
针1-3
TIP- RING
最大
35
20
25
35
35
40
35
35
30
30
30
25
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
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SIDACtor装置
双芯片MicroCapacitance （ MC ） SIDACtor器件
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
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