【飞利浦半导体产品speci fi cation整流二极管肖特基势垒特点低正向电压降快速开关反向浪涌能】,IC型号PBYR640CT,PBYR640CT PDF资料,PBYR640CT经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞利浦半导体

产品speci fi cation

整流二极管

肖特基势垒

特点

低正向电压降

快速开关

反向浪涌能力

高的热循环性能

低热阻

PBYR645CT系列

符号

快速参考数据

= 35 V/ 40 V/ 45 V

O（ AV ）

= 10 A

≤

0.6V

SOT82

描述

k 2

概述

双通道，共阴极肖特基

整流二极管中的塑料

信封。拟用作

输出整流器在低电压，高

频率开关型电源

耗材。

该PBYR645CT系列供应

在以往的含铅SOT82

封装。

钉扎

针

TAB

阳极1

阴极

阳极2

阴极

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

RRM

RWM

O（ AV ）

FRM

FSM

反向重复峰值

电压

工作峰值反向

电压

连续反向电压

平均整流输出

电流（两个二极管

导通）

正向重复峰值

目前每二极管

非重复性峰值正向

流二极管

反向重复峰值

浪涌电流每二极管

工作结

温度

储存温度

条件

PBYR6

≤

100 C

方波;

= 0.5; T

≤

119 C

方波;

= 0.5; T

≤

119 C

T = 10毫秒

T = 8.3毫秒

正弦;牛逼

前= 125℃ ，以

浪涌;与重新加V

RRM （最大）

脉冲宽度和重复频率

限制T

j max的情况

- 65

分钟。

马克斯。

35CT 40CT 45CT

150

单位

RRM

英镑

热阻

符号参数

日J- MB

日J-一

热阻结

安装基座

热阻结

到环境

条件

每二极管

两个二极管

在自由空气

分钟。

典型值。马克斯。单位

100

K / W

1998年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

整流二极管

肖特基势垒

电气特性

= 25 C除非另有说明

符号参数

正向电压

反向电流

结电容

条件

= 5 A;牛逼

= 125C

= 10 A

= V

RWM

= V

RWM

; T

= 100C

= 5 V ; F = 1 MHz时，T

= 25℃ 125℃

PBYR645CT系列

分钟。

典型值。马克斯。单位

0.51

0.72

0.12

150

0.6

0.87

0.5

1998年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

整流二极管

肖特基势垒

PBYR645CT系列

正向损耗， PF （ W）

VO = 0.438 V

卢比= 0.033欧姆

PBYR645CT

TMB （最大值） / C

D = 1.0

120

125

100

反向电流IR （MA ）

PBYR645CT

0.5

0.2

0.1

130

135

140

125 C

100 C

75 C

50 C

TJ = 25℃

0.1

145

平均正向电流IF （ AV ）（A ）

150

0.01

反向电压VR （V ）

图1 。最大正向功耗P

= F（我

F（ AV ）

）元

二极管;方电流波形，其中

F（ AV ）

F（ RMS ）

√

图4 。每个二极管的典型反向漏电流;

= F（V

） ;参数T

正向损耗， PF （ W）

VO = 0.438 V

卢比= 0.033欧姆

PBYR645CT

TMB （最大值） / C

125

130

CD / PF

1000

PBYR645CT

a = 1.57

2.2

1.9

2.8

135

100

140

145

平均正向电流IF （ AV ）（A ）

150

VR / V

100

图2 。最大正向功耗P

= F（我

F（ AV ）

）元

二极管;正弦电流波形，其中A =形式

系数= I

F（ RMS ）

/ I

F（ AV ）

BYV118

图5 。每二极管的典型结电容;

= F（V

） ; F = 1兆赫;牛逼

= 25℃至125℃ 。

正向电流IF （ A）

TJ = 25℃

TJ = 125℃

瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）

典型值

最大

0.1

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

正向电压VF （V ）

1.2

1.4

1us

10us

100us

1ms

10毫秒100毫秒

10s

脉冲宽度TP （多个）

PBYR645CT

如图3所示。典型和最大正向特性

= F（V

） ;参数T

图6 。瞬态热阻抗;每个二极管;

日J- MB

= F （T

1998年5月

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

整流二极管

肖特基势垒

机械数据

尺寸（mm）

净重： 0.8克

PBYR645CT系列

MOUNTING

BASE

2.8

2.3

7.8

最大

3.75

3.1

2.5

11.1

最大

2.54

最大

1.2

15.3

民

4.58

0.5

2.29

1 ）在该引脚尺寸

区不受控制。

0.88

最大

图7 。 SOT82 ; 2脚连接安装基座。

笔记

1.请参阅安装的SOT82信封的说明。

2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

1998年5月

启1.200

飞利浦半导体

产品speci fi cation

整流二极管

肖特基势垒

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

产品speci fi cation

极限值

PBYR645CT系列

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。应力大于1

以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和

该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作

本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

飞利浦电子公司1998年N.V。

著作权人。

本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是

准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受

因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可

工业或知识产权。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏

从这样的不当使用或销售。

1998年5月

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