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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1315页 > PA41A
高压功率运算放大器
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
( 800 ) 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流, 2毫安
无二次击穿
高输出电流-120 mA峰值
提供裸片形式- PA41DIE
典型用途
R
V
IN
20R
+175
2.2K
10pF
A1
PA41/42
R
CL
10pF
A2
PA41/42
2.2K
20R
20R
+175
应用
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
R
CL
Rn
Cn
描述
在PA41 / 42高电压单片MOSFET操作
tional放大器实现先前的表现特点
仅见于混合型设计,同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区(SOA )无二次
击穿限制,并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿可以在选择的用户灵活性
最佳增益和带宽的应用程序。
在PA41封装在密封TO -3和所有
电路从壳中分离由氮化铝(AlN)
基材。
该PA42封装在APEX的密封陶瓷SIP10
封装。
压电
180换能器180
100
100
330pF
330pF
–175
低成本660V P-P
压电驱动
–175
作为经营的一桥驱动两个PA41 / 42放大器
压电换能器提供了一个低成本的660千伏总驱动capa-
相容性。第r
N
C
N
网络服务,以提高A2的增益明显
在高频率下。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同,并有配套的带宽。
外部连接
R
CL
R
C
COMP
3
C
C
2
COMP
1
赔偿金
I
LIM
等效原理图
D1
Q1
Q2
Q3
Q4
(1) 5
In
D2
(2) 6
+ IN
Q11
Q12
Q13
D3
D4
D5
Q5
(8) 2 Q6
COMP
COMP Q8
(9) 3
Q7
4 (10)
OUT
I
LIM
1 (7)
8 (6)
+V
S
OUT
4
收益
1
≥10
≥30
C
S
330pF
C
C
18pF
10pF
3.3pF
R
C
2.2K
2.2K
2.2K
顶视图
5
In
6
8
PA41
PA42
+ IN
–V
S
7
+V
S
R
S
100
C
S
, C
C
ARE NPO额定
如需了解完整的电源电压。
R
CL
=
3
I
LIM
顶视图
1
2
3
NC
4
5
6
+V
S
I
LIM
R
S
100
C
S
330pf
7
8
C
C
R
C
9
C
C
10
OUT
Q9
NC -V
S
Q10
In
Q14
–V
S
7
(5)
+ IN
C
C
R
CL
5
PA41 PIN号码
注意:
PA41推荐安装扭矩在4-7磅
( 0.45 -.79牛顿米)
注意事项:
使用可压缩的,热传导性
绝缘体可能导致保修失效。
( 1 ) PA42 PIN号码
APEX微技术有限公司
电话( 520 ) 690-8600 传真( 520 ) 888-3329 令( 520 ) 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
绝对最大额定值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA41/PA41A
PA42/PA42A
电源电压+ V
S
为±V
S
350V
350V
输出电流,内部SOA不断
60毫安
60毫安
输出电流,峰值
120毫安
120毫安
功耗,连续@ T
C
= 25°C 12W
9W
输入电压,差分
±16
V
±16
V
输入电压,共模
±V
S
±V
S
温度,焊针 - 10秒
300°C
220°C
温度,结
2
150°C
150°C
温度,贮藏
-65到+ 150°C
-65到+ 150°C
的温度范围,供电(下)
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
PA41/PA42
测试条件
1
典型值
最大
PA41A/PA42A
典型值
15
40/*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
最大
30
65/*
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV √kh
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
V
RMS
V
p-p
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
mA
s
V / μs的
nF
*
1.8
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压,初始
失调电压与温度
4, 7
失调电压,与电源
失调电压,随时间
偏置电流,初始
7
偏置电流与电源
偏置电流,初始
7
输入阻抗,直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制, DC
噪声,宽带
噪音,低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽,开环
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电流,峰值
5
当前,连续
建立时间0.1 %
压摆率
容性负载
阻力
6
,空载
阻力
6
, 20毫安负荷
电源
电压
3
目前,静态
PA41 ,耐AC结到管壳
PA42 ,耐AC结到管壳
PA41电阻,直流结到管壳
PA42电阻,直流结到管壳
PA41电阻,结到空气
PA42电阻,结到空气
温度范围内的情况下
注意事项:
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
整个温度范围
V
CM
=
±90V
DC
10KHz的带宽,R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
C
C
= 10pF的, 280V P-P
整个温度范围
I
O
= 40毫安
C
C
= 10pF的, 10V的步骤,
V
= –10
C
C
=打开
A
V
= +1
R
CL
= 0
R
CL
= 0
见注3
±V
S
–12
84
25
40
70
130
20
32
75
5/100 50/2000
.2/.5
.5/50
2.5/100 50/400
10
11
5
94
50
110
106
1.6
26
60
94
*
±V
S
–12
±V
S
–10
120
60
12
40
10
150
25
±50
±150
1.6
5.4
7
9
12
30
55
–25
±175
2.0
6.5
10
10.4
14
+85
±V
S
–10
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
.9
*
1.4
*
*
*
*
*
*
*
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
本说明书中对PA41A / PA42A相同向左在适用柱规格为PA41 / PA42 。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 18pF之,R
C
= 2.2KΩ 。直流输入规格
±
值给出。电源电压是
典型的投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导,请参阅散热器数据表。
减额最大电源电压0.5 V / ℃,低于25 ℃的外壳温度。无降额需要上述牛逼
C
= 25°C.
样品由晶片到95 %测试。
保证,但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
规格由/分开显示的分别是PA41和PA42的值。
在PA41 / PA42是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线: 1 ( 800 ) 546-2739
典型性能
图的
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
电流限制
标准化的电流限值( % )
140
130
120
110
+I
LIM
100
90
80
–50 –25 0 25 50 75 100 125
外壳温度,T
C
(°C)
0
–30
–I
LIM
60
内部功耗, P( W)
功率降额
15
12
9
6
T = T
A
3
T = T
A
0
0
25
50
75
100
温度, T(℃ )
125
T = T
C
PA41
T = T
C
PA42
电流限制
电流极限范围, I(毫安)
40
20
0
–20
–40
–60
+I
LIM
-I
LIM
100
200
0
300
400
500
限流电阻,R
CL
(
)
小信号响应
120
相位响应
400
C
C
= 3.3pf
C
C
= 10pF的
C
C
= 18pF之
功率响应
输出电压V
O
(V
PP
)
R
L
= 10K
开环增益, A(分贝)
100
C
C
= 3.3pf
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
0
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f ( HZ)
C
C
= 10pF的
–60
200
C
C
= 10pF的
100
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
10K 20K30K 50K .1M .2M .3M 0.5米
频率f ( HZ)
C
C
= 3.3pf
相,
(°)
–90
–120
–150
–180
–210
C
C
= 10pF的
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f ( HZ)
C
C
= 18pF之
C
C
= 3.3pf
–20
1M
谐波失真
1.0
.6
.4
60
A
V
= 20
C
C
= 3.3pf
R
L
= 2K
V
O
= 30V
PP
V
O
= 180V
PP
V
O
= 60V
PP
50
压摆率
归一化静态电流( % )
静态电流
150
130
110
摆率, V / μs的
失真, (%)
.2
.1
.06
.04
.02
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
补偿电容C
C
(PF )
T
C
90
=8
5 °C
5°C
5°C
.01
.006
.004
.002
100 200 1K 3K 10K 30K 100K
频率f ( HZ)
T
C
70
=2
T
C
= -2
50
100 150
300
350
200
250
总电源电压,V
S
(V)
共模抑制, CMR (分贝)
120
100
80
60
40
20
0
1
电源抑制PSR (分贝)
共模抑制
电源抑制
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100 1K 10K .1M
频率f ( HZ)
1M
–V
S
+V
S
电压降从供给,V
S
– V
O
(V)
输出电压摆幅
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
85°C
- OU
T
= OUT
25°C
= OUT
–25°C
T
-25°C + OU
85°C + OUT
25 ° C + OUT
0
20
40
60 80 100 120
输出电流,I
O
(MA )
10
100 1K 10K .1M
频率f ( HZ)
1M
APEX微技术有限公司
电话( 520 ) 690-8600 传真( 520 ) 888-3329 令( 520 ) 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖稳定,耗材,散热, mount-
荷兰国际集团,限流, SOA的解释和规范间
pretation 。访问www.apexmicrotech.com设计工具
帮助自动化任务,如计算的稳定性,内部
功耗,电流限制;散热器的选择; Apex公司
完整的应用笔记库;技术研讨会与工作
本书;及评估工具包。
操作
注意事项
在PA41 / 42外部补偿和性能
可以根据该应用程序。使用小图表
信号的增益和相位响应,以及图中供摆
率和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定350V工作电压。该
补偿电容器及相关的电阻R
C
必须是
紧密安装到放大器的引脚,以避免杂散振荡
化。一个NPO电容建议赔偿。
安全工作区( SOA )
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性:
1.模具金属化的电流处理能力。
2.输出MOSFET的温度。
注:输出级进行保护,防止瞬态
反激式。但是,为了防止持续的,高恩
ERGY反激式,外部快速恢复二极管应使用。
电流限制
为了正常工作的限流电阻,R
CL
,必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为18欧姆,但是,以获得最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。该值可以
估计用的最大实际值如下
500欧姆。
3
R
CL
=
I
LIM
使用典型的性能图表为导向的预期
变化的电流限制值与一个给定的R
CL
和变化
温度过高。 R的选定值
CL
必须被添加到
输出电阻的指定的典型值,计算
总的输出电阻。由于负载电流通过
R
CL
还选定的值会影响输出电压摆幅
根据:
V
R
= I
O
* R
CL
其中,V
R
是电压摆幅减小。
当放大器是电流限制,可以有小
在电流限制信号的寄生振荡本
负半周的一部分。在振荡的频率
集是不可预测的,并且依赖于补偿,
增益放大器,以及负载的。振荡将停止为
功放出来的电流限制。
200
PA41 SOA
输出电流+ V
S
或-v
S
(毫安)
120
100
300mS
50
40
30
20
200mS
DC
DC
,T
C
=
DC
85
,T
°C
C
=
10
12
C
输入保护
在PA41 / 42输入保护,防止共模
电压高达电源电压和高达差分电压为
±16
伏以及静电放电。差分电压不得超过─
荷兰国际集团16伏特的保护电路被裁剪。不过,
如果超过电流几毫安,可从
过载源,保护电路可能被损坏。
该保护电路包括300欧姆的限流
电阻器在每个输入,但是这可能不足以严重
重载。它可能需要添加外部电阻的
应用电路,其中严重过载条件EX-
pected 。限制输入电流至1mA将防止损坏。
5
4
3
PULSE曲线@ 10 %占空比MAX
2
10
20 30
50
100
200 300
500
供应输出差分,V
S
-V
O
(V)
200
PA42 SOA
10
0m
20
0米S
S
DC
,T
C
输出电流+ V
S
或-v
S
(毫安)
120
100
30
0m
S
50
40
30
20
稳定性
compen-当PA41 / 42具有足够的相位裕度
心满意足的单位增益是稳定的容性负载最少
10 nF的。然而,低通电路由sumpoint创建
( -in )电容和反馈网络可能会增加相
移而引起的不稳定性。作为一般规则,在sumpoint
负载电阻(并联输入和反馈电阻)
应该是5K欧姆或更小,在低增益设定(最多10个) 。
另外,使用旁路电容两端的反馈
电阻器。反馈电阻器的时间常数和
旁路电容的组合应该匹配时间常数
的sumpoint性和sumpoint电容。
DC
DC
,T
=
85
C
=
°C
12
10
C
5
4
3
PULSE曲线@ 10 %占空比MAX
2
10
20 30
50
100
200 300
500
供应输出差分,V
S
-V
O
(V)
此数据表已经被仔细检查,被认为是可靠的,但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更,恕不另行通知。
PA41 / 42U REV 。摹1999年1月1999顶点微技术公司
高压功率运算放大器
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
( 800 ) 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流, 2毫安
无二次击穿
高输出电流-120 mA峰值
提供裸片形式- PA41DIE
典型用途
R
V
IN
20R
+175
2.2K
10pF
A1
PA41/42
R
CL
10pF
A2
PA41/42
2.2K
20R
20R
+175
应用
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
R
CL
Rn
Cn
描述
在PA41 / 42高电压单片MOSFET操作
tional放大器实现先前的表现特点
仅见于混合型设计,同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区(SOA )无二次
击穿限制,并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿可以在选择的用户灵活性
最佳增益和带宽的应用程序。
在PA41封装在密封TO -3和所有
电路从壳中分离由氮化铝(AlN)
基材。
该PA42封装在APEX的密封陶瓷SIP10
封装。
压电
180换能器180
100
100
330pF
330pF
–175
低成本660V P-P
压电驱动
–175
作为经营的一桥驱动两个PA41 / 42放大器
压电换能器提供了一个低成本的660千伏总驱动capa-
相容性。第r
N
C
N
网络服务,以提高A2的增益明显
在高频率下。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同,并有配套的带宽。
外部连接
R
CL
R
C
COMP
3
C
C
2
COMP
1
赔偿金
I
LIM
等效原理图
D1
Q1
Q2
Q3
Q4
(1) 5
In
D2
(2) 6
+ IN
Q11
Q12
Q13
D3
D4
D5
Q5
(8) 2 Q6
COMP
COMP Q8
(9) 3
Q7
4 (10)
OUT
I
LIM
1 (7)
8 (6)
+V
S
OUT
4
收益
1
≥10
≥30
C
S
330pF
C
C
18pF
10pF
3.3pF
R
C
2.2K
2.2K
2.2K
顶视图
5
In
6
8
PA41
PA42
+ IN
–V
S
7
+V
S
R
S
100
C
S
, C
C
ARE NPO额定
如需了解完整的电源电压。
R
CL
=
3
I
LIM
顶视图
1
2
3
NC
4
5
6
+V
S
I
LIM
R
S
100
C
S
330pf
7
8
C
C
R
C
9
C
C
10
OUT
Q9
NC -V
S
Q10
In
Q14
–V
S
7
(5)
+ IN
C
C
R
CL
5
PA41 PIN号码
注意:
PA41推荐安装扭矩在4-7磅
( 0.45 -.79牛顿米)
注意事项:
使用可压缩的,热传导性
绝缘体可能导致保修失效。
( 1 ) PA42 PIN号码
APEX微技术有限公司
电话( 520 ) 690-8600 传真( 520 ) 888-3329 令( 520 ) 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
绝对最大额定值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA41/PA41A
PA42/PA42A
电源电压+ V
S
为±V
S
350V
350V
输出电流,内部SOA不断
60毫安
60毫安
输出电流,峰值
120毫安
120毫安
功耗,连续@ T
C
= 25°C 12W
9W
输入电压,差分
±16
V
±16
V
输入电压,共模
±V
S
±V
S
温度,焊针 - 10秒
300°C
220°C
温度,结
2
150°C
150°C
温度,贮藏
-65到+ 150°C
-65到+ 150°C
的温度范围,供电(下)
-40至+ 125°C
-40至+ 125°C
PA41/PA42
测试条件
1
典型值
最大
PA41A/PA42A
典型值
15
40/*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
最大
30
65/*
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV √kh
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
V
RMS
V
p-p
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
mA
s
V / μs的
nF
*
1.8
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压,初始
失调电压与温度
4, 7
失调电压,与电源
失调电压,随时间
偏置电流,初始
7
偏置电流与电源
偏置电流,初始
7
输入阻抗,直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制, DC
噪声,宽带
噪音,低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽,开环
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电流,峰值
5
当前,连续
建立时间0.1 %
压摆率
容性负载
阻力
6
,空载
阻力
6
, 20毫安负荷
电源
电压
3
目前,静态
PA41 ,耐AC结到管壳
PA42 ,耐AC结到管壳
PA41电阻,直流结到管壳
PA42电阻,直流结到管壳
PA41电阻,结到空气
PA42电阻,结到空气
温度范围内的情况下
注意事项:
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
整个温度范围
V
CM
=
±90V
DC
10KHz的带宽,R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
C
C
= 10pF的, 280V P-P
整个温度范围
I
O
= 40毫安
C
C
= 10pF的, 10V的步骤,
V
= –10
C
C
=打开
A
V
= +1
R
CL
= 0
R
CL
= 0
见注3
±V
S
–12
84
25
40
70
130
20
32
75
5/100 50/2000
.2/.5
.5/50
2.5/100 50/400
10
11
5
94
50
110
106
1.6
26
60
94
*
±V
S
–12
±V
S
–10
120
60
12
40
10
150
25
±50
±150
1.6
5.4
7
9
12
30
55
–25
±175
2.0
6.5
10
10.4
14
+85
±V
S
–10
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
.9
*
1.4
*
*
*
*
*
*
*
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
本说明书中对PA41A / PA42A相同向左在适用柱规格为PA41 / PA42 。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 18pF之,R
C
= 2.2KΩ 。直流输入规格
±
值给出。电源电压是
典型的投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导,请参阅散热器数据表。
减额最大电源电压0.5 V / ℃,低于25 ℃的外壳温度。无降额需要上述牛逼
C
= 25°C.
样品由晶片到95 %测试。
保证,但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
规格由/分开显示的分别是PA41和PA42的值。
在PA41 / PA42是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
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5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线: 1 ( 800 ) 546-2739
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典型性能
图的
PA41 / PA42 PA41A / PA42A
电流限制
标准化的电流限值( % )
140
130
120
110
+I
LIM
100
90
80
–50 –25 0 25 50 75 100 125
外壳温度,T
C
(°C)
0
–30
–I
LIM
60
内部功耗, P( W)
功率降额
15
12
9
6
T = T
A
3
T = T
A
0
0
25
50
75
100
温度, T(℃ )
125
T = T
C
PA41
T = T
C
PA42
电流限制
电流极限范围, I(毫安)
40
20
0
–20
–40
–60
+I
LIM
-I
LIM
100
200
0
300
400
500
限流电阻,R
CL
(
)
小信号响应
120
相位响应
400
C
C
= 3.3pf
C
C
= 10pF的
C
C
= 18pF之
功率响应
输出电压V
O
(V
PP
)
R
L
= 10K
开环增益, A(分贝)
100
C
C
= 3.3pf
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
0
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f ( HZ)
C
C
= 10pF的
–60
200
C
C
= 10pF的
100
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
10K 20K30K 50K .1M .2M .3M 0.5米
频率f ( HZ)
C
C
= 3.3pf
相,
(°)
–90
–120
–150
–180
–210
C
C
= 10pF的
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f ( HZ)
C
C
= 18pF之
C
C
= 3.3pf
–20
1M
谐波失真
1.0
.6
.4
60
A
V
= 20
C
C
= 3.3pf
R
L
= 2K
V
O
= 30V
PP
V
O
= 180V
PP
V
O
= 60V
PP
50
压摆率
归一化静态电流( % )
静态电流
150
130
110
摆率, V / μs的
失真, (%)
.2
.1
.06
.04
.02
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
补偿电容C
C
(PF )
T
C
90
=8
5 °C
5°C
5°C
.01
.006
.004
.002
100 200 1K 3K 10K 30K 100K
频率f ( HZ)
T
C
70
=2
T
C
= -2
50
100 150
300
350
200
250
总电源电压,V
S
(V)
共模抑制, CMR (分贝)
120
100
80
60
40
20
0
1
电源抑制PSR (分贝)
共模抑制
电源抑制
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100 1K 10K .1M
频率f ( HZ)
1M
–V
S
+V
S
电压降从供给,V
S
– V
O
(V)
输出电压摆幅
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
85°C
- OU
T
= OUT
25°C
= OUT
–25°C
T
-25°C + OU
85°C + OUT
25 ° C + OUT
0
20
40
60 80 100 120
输出电流,I
O
(MA )
10
100 1K 10K .1M
频率f ( HZ)
1M
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PA41 / PA42 PA41A / PA42A
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖稳定,耗材,散热, mount-
荷兰国际集团,限流, SOA的解释和规范间
pretation 。访问www.apexmicrotech.com设计工具
帮助自动化任务,如计算的稳定性,内部
功耗,电流限制;散热器的选择; Apex公司
完整的应用笔记库;技术研讨会与工作
本书;及评估工具包。
操作
注意事项
在PA41 / 42外部补偿和性能
可以根据该应用程序。使用小图表
信号的增益和相位响应,以及图中供摆
率和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定350V工作电压。该
补偿电容器及相关的电阻R
C
必须是
紧密安装到放大器的引脚,以避免杂散振荡
化。一个NPO电容建议赔偿。
安全工作区( SOA )
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性:
1.模具金属化的电流处理能力。
2.输出MOSFET的温度。
注:输出级进行保护,防止瞬态
反激式。但是,为了防止持续的,高恩
ERGY反激式,外部快速恢复二极管应使用。
电流限制
为了正常工作的限流电阻,R
CL
,必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为18欧姆,但是,以获得最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。该值可以
估计用的最大实际值如下
500欧姆。
3
R
CL
=
I
LIM
使用典型的性能图表为导向的预期
变化的电流限制值与一个给定的R
CL
和变化
温度过高。 R的选定值
CL
必须被添加到
输出电阻的指定的典型值,计算
总的输出电阻。由于负载电流通过
R
CL
还选定的值会影响输出电压摆幅
根据:
V
R
= I
O
* R
CL
其中,V
R
是电压摆幅减小。
当放大器是电流限制,可以有小
在电流限制信号的寄生振荡本
负半周的一部分。在振荡的频率
集是不可预测的,并且依赖于补偿,
增益放大器,以及负载的。振荡将停止为
功放出来的电流限制。
200
PA41 SOA
输出电流+ V
S
或-v
S
(毫安)
120
100
300mS
50
40
30
20
200mS
DC
DC
,T
C
=
DC
85
,T
°C
C
=
10
12
C
输入保护
在PA41 / 42输入保护,防止共模
电压高达电源电压和高达差分电压为
±16
伏以及静电放电。差分电压不得超过─
荷兰国际集团16伏特的保护电路被裁剪。不过,
如果超过电流几毫安,可从
过载源,保护电路可能被损坏。
该保护电路包括300欧姆的限流
电阻器在每个输入,但是这可能不足以严重
重载。它可能需要添加外部电阻的
应用电路,其中严重过载条件EX-
pected 。限制输入电流至1mA将防止损坏。
5
4
3
PULSE曲线@ 10 %占空比MAX
2
10
20 30
50
100
200 300
500
供应输出差分,V
S
-V
O
(V)
200
PA42 SOA
10
0m
20
0米S
S
DC
,T
C
输出电流+ V
S
或-v
S
(毫安)
120
100
30
0m
S
50
40
30
20
稳定性
compen-当PA41 / 42具有足够的相位裕度
心满意足的单位增益是稳定的容性负载最少
10 nF的。然而,低通电路由sumpoint创建
( -in )电容和反馈网络可能会增加相
移而引起的不稳定性。作为一般规则,在sumpoint
负载电阻(并联输入和反馈电阻)
应该是5K欧姆或更小,在低增益设定(最多10个) 。
另外,使用旁路电容两端的反馈
电阻器。反馈电阻器的时间常数和
旁路电容的组合应该匹配时间常数
的sumpoint性和sumpoint电容。
DC
DC
,T
=
85
C
=
°C
12
10
C
5
4
3
PULSE曲线@ 10 %占空比MAX
2
10
20 30
50
100
200 300
500
供应输出差分,V
S
-V
O
(V)
此数据表已经被仔细检查,被认为是可靠的,但是,没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更,恕不另行通知。
PA41 / 42U REV 。摹1999年1月1999顶点微技术公司
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    联系人:杨小姐
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