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分立半导体
数据表
alfpage
M3D186
PBSS5350S
50 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
2001年11月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
50 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
高功率耗散（ 830毫瓦）
超低集电极 - 发射极饱和电压
3的连续电流
大电流开关
由于减少热量提高设备的可靠性
GENERATION
应用
中等功率开关和静音
线性稳压器
DC / DC转换
供电线路开关电路
电池管理应用程序
频闪闪光灯
重型电池供电的设备（电动机和灯
驱动程序）。
描述
PNP低V
CESAT
晶体管在SOT54塑料包装。
NPN补充： PBSS4350S 。
记号
类型编号
PBSS5350S
标识代码
S5350S
Fig.1
1
手册， halfpage
PBSS5350S
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
导通电阻的等效
马克斯。
50
3
5
<150
单位
V
A
A
m
2
3
2
1
3
MAM285
简体外形（ SOT54 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2001年11月19日
2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
60
50
6
3
5
1
830
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
°C
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
50 V低V
CESAT
PNP晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气中;注1
价值
150
PBSS5350S
单位
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
2
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
1
A;注1
V
CE
=
2
V ;我
C
=
2
A;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
I
C
=
2
A;我
B
=
200
毫安;注1
R
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
2
A;我
B
=
200
毫安;注1
I
C
=
2
A;我
B
=
200
毫安;注1
分钟。
200
200
100
100
典型值。
120
马克斯。
100
50
100
100
180
300
<150
1.2
1.1
40
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
基极 - 发射极导通电压V
CE
=
2
V ;我
C
=
1
A;注1
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
2001年11月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
50 V低V
CESAT
PNP晶体管
PBSS5350S
手册， halfpage
1000
MLD751
手册， halfpage
1.2
MLD752
的hFE
800
(1)
VBE
(V)
0.8
(1)
600
(2)
400
(2)
0.4
200
(3)
(3)
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I C （毫安）
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I C （毫安）
V
CE
=
2
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
=
2
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(1)
MLD753
手册， halfpage
1.2
MLD754
VBEsat
(V)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
(1)
(2)
(2)
(3)
10
(3)
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I C （毫安）
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I C （毫安）
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2001年11月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
50 V低V
CESAT
PNP晶体管
PBSS5350S
1000
手册， halfpage
IC
（MA ）
800
MLD755
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
手册， halfpage
5
MLD756
IC
(1) (2) (3)
(A)
4
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
600
(7)
(8)
3
(10)
400
(9)
(10)
2
200
(11)
(12)
1
0
0
T
AMB
= 25
°C.
(1)
(2)
(3)
(4)
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VCE （ V）
0
0
T
AMB
= 25
°C.
0.4
0.8
1.2
1.6
2
VCE （ V）
I
B
=
3.96
呐。
I
B
=
3.63
呐。
I
B
=
3.30
呐。
I
B
=
2.97
呐。
(5)
(6)
(7)
(8)
I
B
=
2.64
呐。
I
B
=
2.31
呐。
I
B
=
1.98
呐。
I
B
=
1.65
呐。
(9) I
B
=
1.32
呐。
(10) I
B
=
0.99
呐。
(11) I
B
=
0.66
呐。
(12) I
B
=
0.33
呐。
(1)
(2)
(3)
(4)
I
B
=
250
毫安。
I
B
=
225
毫安。
I
B
=
200
毫安。
I
B
=
175
毫安。
(5)
(6)
(7)
(8)
I
B
=
150
毫安。
I
B
=
125
毫安。
I
B
=
100
毫安。
I
B
=
75
毫安。
(9) I
B
=
50
毫安。
(10) I
B
=
25
毫安。
Fig.6
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值。
Fig.7
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值。
10
3
手册， halfpage
RCEsat
()
10
2
MLD757
10
1
(1)
(3)
(2)
10
1
10
2
10
1
I
C
/I
B
= 20.
1
10
10
2
10
3
10
4
I C （毫安）
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.8
集电极 - 发射极等效导通电阻
作为集电极电流的函数;典型
值。
2001年11月19日
5
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