【分立半导体数据表M3D883底部视图PBSS3515M15 V ， 0.5 APNP低VCESAT（】,IC型号PBSS3515M,PBSS3515M PDF资料,PBSS3515M经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D883

底部视图

PBSS3515M

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

产品speci fi cation

2003年07月22

飞利浦半导体

产品speci fi cation

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

高集电极电流能力我

我

高效率从而降低了热量的产生

减少印刷电路板的要求。

应用

电源管理：

- DC-DC变换器

- 供电线路开关

- 电池充电器

- LCD背光。

外围设备驱动程序：

- 驾驶员在低电源电压应用（如灯

和LED ）。

- 感性负载的驱动程序（如继电器，蜂鸣器和

电机）。

手册， halfpage

PBSS3515M

快速参考数据

符号

首席执行官

CESAT

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

导通电阻的等效

马克斯。

500

<500

单位

描述

低V

CESAT

在SOT883 PNP晶体管无铅超

小塑料包。

NPN补充： PBSS2515M 。

记号

类型编号

PBSS3515M

标识代码

底部视图

MAM469

Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。

2003年07月22

飞利浦半导体

产品speci fi cation

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

AMB

笔记

1.参考SOT883标准安装条件。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1和2

AMB

≤

°C;

注1和3

条件

发射极开路

开基

集电极开路

注1和2

分钟。

PBSS3515M

马克斯。

500

100

250

430

+150

150

+150

单位

°C

2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，标准尺寸，以60

铜带线。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

热特性

符号

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

在自由空气中;注1和2

在自由空气中;注意到1,3和4

价值

500

290

单位

K / W

笔记

1.参考SOT883标准安装条件。

2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，标准尺寸，以60

铜带线。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

脉冲条件下4.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

焊接

再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。

2003年07月22

飞利浦半导体

产品speci fi cation

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

条件

V ;我

= 0

V ;我

= 0; T

= 150

°C

V ;我

= 0

V ;我

100

毫安;注1

V ;我

500

毫安;注1

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压I

毫安;我

0.5

200

毫安;我

毫安;注1

500

毫安;我

毫安;注1

CESAT

BESAT

BEON

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

s; δ ≤

0.02.

导通电阻的等效

基射极饱和电压

基射极导通电压

跃迁频率

集电极电容

500

毫安;我

毫安;注1

500

毫安;我

毫安;注1

V ;我

100

毫安;注1

100

毫安; V

F = 100 MHz的

V ;我

= I

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

200

150

100

PBSS3515M

典型值。

300

280

马克斯。

100

150

250

<500

1.1

0.9

单位

兆赫

2003年07月22

飞利浦半导体

产品speci fi cation

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

PBSS3515M

手册， halfpage

600

MLD665

1200

手册， halfpage

VBE

（毫伏）

1000

(1)

MLD667

的hFE

(1)

400

800

(2)

600

200

(3)

400

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

IC （MA ）

200

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

IC （MA ）

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

VCEsat晶体管

（毫伏）

MLD669

手册， halfpage

1200

MLD668

VBEsat

（毫伏）

1000

(1)

800

(2)

(1)

(2)

(3)

600

(3)

400

IC （MA ）

200

IC （MA ）

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2003年07月22

分立半导体

数据表

M3D883

底部视图

PBSS3515M

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

产品数据表

2003年07月22

恩智浦半导体

产品数据表

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

高集电极电流能力我

我

高效率从而降低了热量的产生

减少印刷电路板的要求。

应用

电源管理：

- DC-DC变换器

- 供电线路开关

- 电池充电器

- LCD背光。

外围设备驱动程序：

- 驾驶员在低电源电压应用（如灯

和LED ）。

- 感性负载的驱动程序（如继电器，蜂鸣器和

电机）。

手册， halfpage

PBSS3515M

快速参考数据

符号

首席执行官

CESAT

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

导通电阻的等效

马克斯。

500

<500

单位

mΩ

描述

低V

CESAT

在SOT883 PNP晶体管无铅超

小塑料包。

NPN补充： PBSS2515M 。

记号

类型编号

PBSS3515M

标识代码

底部视图

MAM469

Fig.1简化外形（ SOT883 ）和符号。

2003年07月22

恩智浦半导体

产品数据表

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

AMB

笔记

1.参考SOT883标准安装条件。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1和2

AMB

≤

°C;

注1和3

条件

发射极开路

开基

集电极开路

注1和2

分钟。

PBSS3515M

马克斯。

500

100

250

430

+150

150

+150

单位

°C

2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，标准尺寸，以60

μm

铜带线。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

热特性

符号

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

在自由空气中;注1和2

在自由空气中;注意到1,3和4

价值

500

290

单位

K / W

笔记

1.参考SOT883标准安装条件。

2.设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡，标准尺寸，以60

μm

铜带线。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

脉冲条件下4.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

焊接

再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。

2003年07月22

恩智浦半导体

产品数据表

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

条件

V ;我

= 0

V ;我

= 0; T

= 150

°C

V ;我

= 0

V ;我

100

毫安;注1

V ;我

500

毫安;注1

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压I

毫安;我

0.5

200

毫安;我

毫安;注1

500

毫安;我

毫安;注1

CESAT

BESAT

BEON

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

导通电阻的等效

基射极饱和电压

基射极导通电压

跃迁频率

集电极电容

500

毫安;我

毫安;注1

500

毫安;我

毫安;注1

V ;我

100

毫安;注1

100

毫安; V

F = 100 MHz的

V ;我

= I

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

200

150

100

PBSS3515M

典型值。

300

280

马克斯。

100

150

250

<500

1.1

0.9

单位

μA

mΩ

兆赫

2003年07月22

恩智浦半导体

产品数据表

15 V ， 0.5 A

PNP低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

PBSS3515M

手册， halfpage

600

MLD665

1200

手册， halfpage

VBE

（毫伏）

1000

(1)

MLD667

的hFE

(1)

400

800

(2)

600

200

(3)

400

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

IC （MA ）

200

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

IC （MA ）

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

VCEsat晶体管

（毫伏）

(2)

(1)

MLD669

手册， halfpage

1200

MLD668

VBEsat

（毫伏）

1000

(1)

800

(2)

(3)

600

(3)

400

IC （MA ）

200

IC （MA ）

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2003年07月22