CFB0301
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CFB0301
产品规格
2002年6月
特点
低噪声系数为0.8 2.0 GHz的
高增益
高截点
高度稳定
很容易匹配到50Ω
70万包
应用
蜂窝基站
PCS基站
工业数据网络
描述
Celeritek的CFB0301是一种高性能的GaAs
MESFET用600μm的栅极宽度和0.25微米的栅极长度。
低噪声系数和该装置的高截止点
使得它非常适合于用作的低噪声放大器
在PCS基站接收机，日本的PHS ， AMPS ， GSM和
其他通信系统。该CFB0301是一个行业
尝试标准的70万包。这是表面贴装和
可在磁带和卷轴。
（ 1 3）
高动态范围
低噪声砷化镓场效应管
电气规格
（ TA = 25℃ ， 2千兆赫）
参数
条件
民
典型值
标准
偏差
4
最大
单位
VD = 2V ，ID = 25毫安
噪声系数2
相关的增益2
的Pout 1,3
IP3 3
ID 3
VD = 4V ，ID = 30毫安
噪声系数2
相关的增益2
的Pout 1,3
IP3 3
ID 3
VD = 4V ，ID = 70毫安
噪声系数2
相关的增益2
的Pout 1,3
IP3 3
ID 3
跨
饱和漏极电流
夹断电压
热阻
@噪声系数
P-1
+5 dBm的POUT /音
@ P-1
0.6
16
15.0
24
35
0.7
17
20.5
30
56
0.8
17
21
34
77
70
120
-2.5
140
150
-1.3
200
180
-0.5
0.08
0.4
0.4
0.9
0.9
dB
dB
DBM
DBM
mA
dB
dB
DBM
DBM
mA
dB
dB
DBM
DBM
mA
姆欧
mA
V
° C / W
@噪声系数
P-1
+5 dBm的POUT /音
@ P-1
@噪声系数
P-1
+5 dBm的POUT /音
@ P-1
VDS = 2 V ， VGS = 0 V
VDS = 2 V ， VGS = 0 V
VDS = 2 V ， IDS = 1毫安
@温度上限= 150 ℃，液晶测试
16
20
32
注意事项： 1， @ T
案例= 25°C 。减免5毫瓦/ ℃的温度上限>25 ℃。
2.输入相匹配的低噪音。
3.相匹配的功率传输。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
4.基于10片标准差随机抽取
并且被设置为仅分布的估计。
商标是其尊重所有者的财产。
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFB0301
典型的噪声参数
（ VDS = 4 V， IDS = 30 mA）的
频率
（千兆赫）
FMIN
1
（ dB）的
伽玛选项
MAG
昂
Rn/50
产品规格 - 2002年6月
（ 3之2 ）
绝对最大额定值
参数
符号
等级
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.5
0.5
0.5
0.5
0.6
0.6
0.6
0.6
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
27
29
32
35
38
41
45
49
54
60
0.19
0.17
0.18
0.18
0.17
0.16
0.15
0.15
0.14
0.13
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
1
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
Pt
总胆固醇
TSTG
+8V
-5V
IDSS
750毫瓦
175°C
-65 ° C至+ 150°C
注： 1。 FMIN值反映了测试夹具时的电路损耗
匹配最佳的噪声系数。
典型性能
最佳的噪声系数和增益相关
与频率
VDS = 2V ， IDS = 25毫安
相关的增益VS I DS
VDS = 2V ，频率= 2 GHz的
2.5
25
25
相关的增益（分贝）
噪声系数（dB ）
2.0
1.5
1.0
相关的增益
20
15
10
增益（dB ）
20
15
10
5
0
10
噪声系数
0.5
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
10
12
5
0
20
30
40
50
IDS （毫安）
60
70
最佳的噪声系数VS I DS & V DS
频率= 2 GHz的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2V
0.0
10
20
30
40
50
IDS （毫安）
60
70
4V
典型的散射参数
（ TA = 25℃ ， VDS = 2 V ， IDS = 25 mA）的
频率
（千兆赫）
S11
MAG
昂
磁（ dB）的
S21
昂
磁（ dB）的
S12
昂
MAG
S22
昂
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.98
0.94
0.85
0.76
0.70
0.64
-20
-40
-76
-108
-130
-150
噪声系数（dB ）
7.17
6.90
6.00
5.00
4.30
3.83
161
148
119
95
75
55
0.02
0.03
0.05
0.07
0.08
0.09
78
70
52
38
30
20
0.42
0.41
0.36
0.32
0.30
0.27
-11
-24
-46
-65
-75
-85
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
CFB0301
产品规格 - 2002年6月
测试电路
评估板电路图
评估板基材：
ER = 4.65
厚度= 0.036
输电线路（单位：mm ） ：
T1 ： 0.203 （W ）× 11.55 （ L）
T2 ： 0.203 （宽）x 5.05 （ L）
C36
39 pF的
C35
39 pF的
C34
39 pF的
C33
39 pF的
R23
18
C26
39 pF的
C28
39 pF的
在RF
T1
T2
L26
82 nH的
C31
39 pF的
RF OUT
VDD
R21
5.6
C25
0.01 PF
C23
1000 pF的
B21
珠子
C24
39 pF的
（3之3 ）
L28
82 nH的
R26
8.2
R22
18
C32
39 pF的
C37
39 pF的
C31
39 pF的
C30
39 pF的
C29
39 pF的
PB- CFB0301评估板
（ SMA连接器未显示）
评估板零件清单
项
参考标志
描述
QUANTITY
生产厂家
产品型号
1
2
3
4
5
6
7
8
B21
C23
C21, C24, C26, C28-C37
C25
L26, L28
R21
R22, R23
R26
片状铁氧体磁珠0805
电容1000pF的， 0603
电容39pF ， 0603
电容0.01μF ， 0603
电感器， 82nH ， INDA5T - 3
电阻， 5.6欧姆， 0603
电阻器， 18欧姆， 0603
电阻， 8.2欧姆， 0603
1
1
13
1
2
1
2
1
产品世界
ROHM
ROHM
ROHM
TOKO
戴尔
戴尔
戴尔
HB-1H2012-260JT
MCH185A102JK
MCH185A039JK
MCH185A103JK
LL2012-F8NK
RCWP575 560
RCWP575 181
RCWP575 820
订购信息
该CFB0301GaAs FET是在磁带和卷轴可用。评估电路板也已经推出。订购零件号列。
如需订购部件号
功能
包
CFB0301
低噪声高动态范围FET
70万包
CFB0301-000T
低噪声高动态范围FET
70万包在磁带和卷轴
PB-CFB0301
评估板
Celeritek保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 Celeritek使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途，也不Celeritek承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，特别是
不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的应用。所有的操作
参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 Celeritek不转达根据其专利的任何许可
权，也没有他人的权利。 Celeritek产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或
意其他应用程序，以支持或维持生命，或任何其他应用程序，其中Celeritek产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品Celeritek任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并Celeritek和
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直接或间接的人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， Celeritek是疏忽
关于该部分的设计或制造。 Celeritek是Celeritek公司Celeritek的注册商标，公司是一个机会均等/肯定行动雇主。
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加利福尼亚州圣克拉拉95054
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