【PBSS302NX20 V ， 5.3 NPN低VCESAT（ BISS ）晶体管牧师02 - 二○】,IC型号PBSS302PX,PBSS302PX PDF资料,PBSS302PX经销商,ic,电子元器件-51电子网

PBSS302NX

20 V ， 5.3 NPN低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

牧师02 - 二○○九年十一月二十日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

NPN低V

CESAT

突破性小信号（ BISS ）在SOT89晶体管

（ SC - 62 / TO- 243 ）小型和扁平的铅表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。

PNP补充： PBSS302PX 。

1.2产品特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

高集电极电流能力我

我

高集电极电流增益（H

）在高I

高英法fi效率由于较少的热量产生

较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管

1.3应用

直流 - 直流转换

MOSFET栅极驱动

电机控制

充电电路

电源开关（如电机，风机）

1.4快速参考数据

表1中。

首席执行官

CESAT

[1]

快速参考数据

条件

开基

单脉冲;

≤

1毫秒

= 4 A;

= 200毫安

[1]

符号参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极 - 发射极

饱和电阻

民

典型值

最大

5.3

10.6

单位

mΩ

脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

恩智浦半导体

PBSS302NX

20 V ， 5.3 NPN低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

2.管脚信息

表2中。

针

钉扎

描述

辐射源

集热器

BASE

sym042

简化的轮廓

符号

3.订购信息

表3中。

订购信息

包

名字

PBSS302NX

SC-62

描述

塑料表面贴装封装;收藏家垫

良好的热传递; 3引线

VERSION

SOT89

类型编号

4.标记

表4 。

标记代码

标识代码

[1]

*5C

类型编号

PBSS302NX

[1]

* = - ：香港制造

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

PBSS302NX_2

产品数据表

牧师02 - 二○○九年十一月二十日

2 15

恩智浦半导体

PBSS302NX

20 V ， 5.3 NPN低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

5.极限值

表5 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

单脉冲;

≤

1毫秒

AMB

≤

°C

[1]

[2]

[3]

条件

发射极开路

开基

集电极开路

民

最大

5.3

10.6

0.6

1.65

2.1

150

+150

单位

°C

AMB

英镑

[1]

[2]

[3]

结温

环境温度

储存温度

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米

设备安装在陶瓷板，铝

，标准的足迹。

2.5

合计

(W)

2.0

(2)

(1)

006aaa556

1.5

1.0

(3)

0.5

125

175

AMB

(°C)

（ 1）陶瓷电路板，铝

，标准的足迹

（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米

（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹

图1 。

功率降额曲线

PBSS302NX_2

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3 15

恩智浦半导体

PBSS302NX

20 V ， 5.3 NPN低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

6.热特性

表6 。

符号

号（j -a）的

热特性

参数

从热阻

结到环境

条件

在自由空气

[1]

[2]

[3]

民

典型值

最大

208

单位

K / W

日（J -SP ）

[1]

[2]

[3]

从热阻

结点到焊点

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米

设备安装在陶瓷板，铝

，标准的足迹。

号（j -a）的

（K / W）

006aaa557

0.75

0.50

0.33

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

(s)

FR4 PCB，标准的足迹

图2 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值

PBSS302NX_2

产品数据表

牧师02 - 二○○九年十一月二十日

4 15

恩智浦半导体

PBSS302NX

20 V ， 5.3 NPN低V

CESAT

（ BISS ）晶体管

号（j -a）的

（K / W）

006aaa558

0.75

0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.33

(s)

FR4印刷电路板，安装板集热6厘米

图3 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值

006aaa559

号（j -a）的

（K / W）

0.10

0.05

0.02

0.01

0.75

0.50

0.20

0.33

(s)

陶瓷电路板，铝

，标准的足迹

图4 。

从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值

PBSS302NX_2

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5 15

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