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NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
60
-60
R
DS （ ON）
58mΩ
90mΩ
I
D
4.5A
-3.5A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
j
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
DM
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
N沟道P沟道
60
±20
4.5
4
20
2
1.3
-55到150
275
°C
-60
±20
-3.5
-3
-20
W
A
单位
V
V
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
R
θJA
典型
最大
62.5
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
60
-60
1.0
-1.0
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
nA
V
民
典型值
最大
单位
1
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
DS
= -48V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
1
-1
10
-10
20
-20
55
100
42
70
14
9
85
135
58
90
S
mΩ
A
A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
漏源导通电阻
1
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.5A
动态
输入电容
C
国际空间站
N沟道
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 4.5A
Q
gs
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
栅极 - 漏极电荷
2
650
630
80
81
35
33
12
11
2.4
2.1
2.6
2.5
11
6
8
8
19
17
6
11
20
13
18
18
35
31
15
20
nS
16
15
nC
pF
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
总栅极电荷
2
Q
g
栅极 - 源电荷
2
Q
gd
I
D
= -3.5A
N沟道
V
DD
= 30V
导通延迟时间
2
t
D（上）
上升时间
2
t
r
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DD
= -30V
打开-O FF延迟时间
2
t
D（关闭）
下降时间
2
t
f
N沟道
P沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω
2
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
I
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
1.3
-1.3
2.6
-2.6
1
-1
V
A
脉冲电流
3
I
SM
V
SD
正向电压
1
N沟道
P沟道
备注：标有“ P5806NVG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
3
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
N沟道
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T
A
= 125 ° C
G
S
= 0V
1
0.1
25° C
0.01
-55° C
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
4
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
5
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
60
-60
R
DS （ ON）
58mΩ
90mΩ
I
D
4.5A
-3.5A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
j
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
DM
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
N沟道P沟道
60
±20
4.5
4
20
2
1.3
-55到150
275
°C
-60
±20
-3.5
-3
-20
W
A
单位
V
V
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
R
θJA
典型
最大
62.5
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
60
-60
1.0
-1.0
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
nA
V
民
典型值
最大
单位
1
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
DS
= -48V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
1
-1
10
-10
20
-20
55
100
42
70
14
9
85
135
58
90
S
mΩ
A
A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
漏源导通电阻
1
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.5A
动态
输入电容
C
国际空间站
N沟道
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
反向传输电容
C
RSS
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 4.5A
Q
gs
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
栅极 - 漏极电荷
2
650
630
80
81
35
33
12
11
2.4
2.1
2.6
2.5
11
6
8
8
19
17
6
11
20
13
18
18
35
31
15
20
nS
16
15
nC
pF
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
总栅极电荷
2
Q
g
栅极 - 源电荷
2
Q
gd
I
D
= -3.5A
N沟道
V
DD
= 30V
导通延迟时间
2
t
D（上）
上升时间
2
t
r
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DD
= -30V
打开-O FF延迟时间
2
t
D（关闭）
下降时间
2
t
f
N沟道
P沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω
2
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
I
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
1.3
-1.3
2.6
-2.6
1
-1
V
A
脉冲电流
3
I
SM
V
SD
正向电压
1
N沟道
P沟道
备注：标有“ P5806NVG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
3
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
N沟道
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T
A
= 125 ° C
G
S
= 0V
1
0.1
25° C
0.01
-55° C
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
4
Oct-01-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5806NVG
SOP-8
LEAD -FREE
5
Oct-01-2004
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PCHMB400B12A
PT-45C
PSD814F4V-70JIT
PSD4235G2V-B-12MI
PG0426201NL
PC28F128J3C-125
PSD8332V20JT
PL34120191000FFDD
PTV09A-4020U-B502
PIC18F6525-EPTQTP
PBSS302PX
P83C528FFB/XXX
PA1283NL
PSD4135F3V-15JI
P6KA30A
供货商
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    联系人：杨小姐
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    P5806NVG
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