PL
IA
NT
特点
■
以前
■
■
■
■
■
■
应用
■
兆以太网端口保护
■
千兆位以太网端口保护
■
隔离和浮动接口
BRAND
极高速性能
座高电压和电流
低插入损耗
两个TBU
在一个小型封装保护
非常高的带宽; GHz的兼容
符合RoHS标准* ， UL认证
*R
oH
S
CO
M
TBU
P650 -U和P850 -U保护器
瞬时闭锁装置 - TBU
器件
机构认证
UL认证组件文件号E315805 。
行业标准
描述
Telcordia公司
ITU -T
GR-1089
端口类型3,5
端口类型2,4
模型
P650-U
P850-U
P850-U
BOURNS
型号P650 - U和P850 -U产品是高速，
单向保护元件，采用构建
MOSFET半导体技术，用于保护
造成短路，交流电源交叉，感应和故障
雷击浪涌。
该TBU
高速保护，触发作为一个功能
MOSFET ，阻止浪涌和后面提供一个有效的屏障
其敏感的电子不暴露于大的电压或
期间浪涌电流的事件。该TBU
装置中提供的
表面贴装DFN封装，并且符合行业标准
要求，如RoHS和无铅焊料再溢流廓。
绝对最大额定值（T
AMB
= 25 °C)
符号
V
IMP
V
RMS
T
op
T
英镑
参数
K.20 ， K.20E ， K.21 ， K.21E ，
K.45
价值
P650-Uxxx-WH
P850-Uxxx-WH
P650-Uxxx-WH
P850-Uxxx-WH
650
850
300
425
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
°C
°C
最大程度的保护电压脉冲断层上升时间
≥
1微秒
最大程度的保护电压的连续V
RMS
错误的连接
一系列对（参见第3页测试CON组fi guration图）
工作温度范围
存储温度范围
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
符号
I
op
参数
P650-U180-WH
P650-U260-WH
P850-U180-WH
P850-U260-WH
P650-U180-WH
典型电流为设备正常运行去
P650-U260-WH
国家为保护状态
P850-U180-WH
P850-U260-WH
P650-U180-WH
P650-U260-WH
最大电流通过器件
P850-U180-WH
P850-U260-WH
P650-Uxxx-WH
该TBU的串联电阻
设备
P850-Uxxx-WH
线对线两条TBU设备之间的串联电阻差
最大时间为设备从正常工作去
P650-Uxxx-WH
国家为保护状态
P850-Uxxx-WH
电流通过触发TBU器件50伏直流电路
电压
最大电流通过器件，不会引起
电流阻断
低于该电压触发TBU
设备将
过渡到正常操作状态
P650-Uxxx-WH
P850-Uxxx-WH
分钟。
典型值。
马克斯。
180
260
180
260
单位
mA
I
TRIGGER
220
330
220
330
360
520
360
520
7
9
0.5
1
1
11
14
mA
I
OUT
mA
R
TBU
R
BAL
t
块
I
静
V
RESET
6
8
Ω
Ω
s
mA
V
在P -U系列TBU
设备是单向的;特定网络阳离子的有效期仅为输入方向。为输出方向，所述TBU
DEVICE IS
一个电阻器。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU
P650 -U和P850 -U保护器
工作参数
下图展示了TBU的运作特点。对每幅图的故障电压，保护侧电压，并且
当前呈现。
V1
V2
负载
测试配置图
P650 -U闪电， 650 V
P850 -U闪电， 850 V
3
3
100 V / DIV 。
100 V / DIV 。
200毫安/ DIV 。
2
2
1
1
1美元/ DIV 。
通道1 V1
CH2 V2
CH3当前
通道1 V1
1美元/ DIV 。
CH2 V2
CH3当前
P650 -U电源故障， 120 Vrms的， 25 A
P850 -U电源故障， 230 Vrms的， 25 A
3
200毫安/ DIV 。
3
2
1
2
200毫安/ DIV 。
1
通道1 V1
4 ms /格。
CH2 V2
4 ms /格。
CH3当前
通道1 V1
CH2 V2
CH3当前
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
200毫安/ DIV 。
100 V / DIV 。
100 V / DIV 。
TBU
P650 -U和P850 -U保护器
产品外形尺寸
L
E
B
J
C
K
F
G
N
J
DIM 。
A
B
分钟。
6.15
(.242)
7.65
(.301)
0.80
(.031)
0.000
(.000)
0.50
(.020)
1.20
(.047)
4.20
(.165)
2.45
(.096)
0.20
(.008)
0.45
(.018)
0.65
(.026)
0.20
(.008)
0.70
(.028)
3.20
(.126)
尺寸：
典型值。
6.25
(.246)
7.75
(.305)
0.85
(.033)
0.025
(.001)
0.55
(.022)
1.25
(.049)
4.25
(.167)
2.50
(.098)
0.25
(.010)
0.50
(.020)
0.70
(.028)
0.25
(.010)
0.75
(.030)
3.25
(.128)
MM
（英寸）
马克斯。
6.35
(.250)
7.85
(.309)
0.90
(.035)
0.050
(.002)
0.60
(.024)
1.30
(.051)
4.30
(.169)
2.55
(.100)
0.30
(.012)
0.55
(.022)
0.75
(.030)
0.30
(.012)
0.80
(.031)
3.30
(.130)
4
A
5
6
H
C
P
3
2
1
D
E
H
销1
D
N
F
G
H
J
K
L
N
P
Q
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
推荐焊盘布局
2.525
(.099)
0.50
(.020)
0.575
(.023)
1.25
(.049)
0.70
(.028)
4.275
(.168)
0.375
(.015)
垫名称
垫＃
申请
1
In1
2
NC
3
Out1
4
Out2
5
NC
6
In2
NC =焊接到印刷电路板;不要让电
连接，不连接到地面。
TBU
设备有雾锡端接连接的光洁度。建议布局应使用非阻焊
德科幻NE （ NSMD ） 。推荐模板厚度为0.10-0.12毫米（ 0.004 - 0.005英寸）与模板
开孔尺寸0.025毫米（ 0.0010英寸）小于器件焊盘尺寸。由于在散热任何权力
设备，所以建议尽可能多的PCB的覆铜面积是允许的。对于迷你
妈妈的寄生电容，不允许任何下方的任何信号，地面或功率信号
该装置的垫。
框图
6
4
3
TBU 设备
负载
SIDE
热阻
符号
R
号（j -a）的
参数
结到引线（包）
结到引线（每TBU ）
价值
105
202
单位
° C / W
° C / W
LINE
SIDE
1
再溢流廓
廓特征
平均升温速度（Tsmax至Tp ）
预热
- 最低温度。 （ Tsmin ）
- 温度最高。 （在Tsmax ）
- 时间（tsmin至tsmax ）
时间保持高于：
- 温度（TL ）
- 时间（ TL ）
峰值/分类音响阳离子温度（Tp ）
在5 ℃，在实际峰值温度的时间。 （TP）
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度
无铅封装
3°C /秒。 MAX 。
150 °C
200 °C
60-180秒。
217 °C
60-150秒。
260 °C
20-40秒。
6 ° C /秒。 MAX 。
8分钟。最大。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
3312 - 2毫米贴片微调电位器
TBU
P650 -U和P850 -U保护器
如何订购
典型最热
P 650 - U 180 - WH
外形
P =两个TBU
在一个设备中保护
冲击电压额定值
650 = 650 V
850 = 850 V
定向指示的配对设备
U =单向
IOP指标
180 = 180毫安
260 = 260毫安
销1
制造商
*商标
标识号
65UB = P650 - U180 -WH
65UC = P650 - U260 -WH
85UB = P850 - U180 -WH
85UC = P850 - U260 -WH
制造业
日期代码*
- 第1个数字表示年份的6个月。
- 第2个数字表示的星期数在6个月。
- 第三&第四届数字表示特定批次的一周。
6个月期码：
A = JAN- 2009年6月
C = JAN- 2010年06月
B = JUL- 2009年12月
D = JUL- 2010年12月
E = JAN- 2011年6月
F = JUL - 2011年12月
示例： ARBC
- 第1位'A' = JAN- 2009年6月
- 第2位' R' = 18周;周4月27日
- 第三&第四位数值' BC ' = LOT具体信息
*跃迁从FULTEC商标和批号
TO BOURNS商标和日期码在2009年。
包装特定网络阳离子（每EIA468 -B ）
P0
E
B
t
顶部
盖
TAPE
N
D
C
F
W
D
P2
A
B0
K0
A0
P
G（测量HUB ）
饲料用户方向
中心
线
空穴
D1
浮雕
产品数量： 3000个每卷
设备
P650 -U ， P850 -U
A0
分钟。
6.5
(.256)
K0
分钟。
1.4
(.055)
马克斯。
1.6
(.063)
马克斯。
6.7
(.264)
A
分钟。
326
(12.835)
马克斯。
330.25
(13.002)
B0
分钟。
8.0
(.315)
P
分钟。
11.9
(.469)
马克斯。
12.1
(.476)
分钟。
3.9
(.159)
马克斯。
8.2
(.323)
分钟。
1.5
(.059)
分钟。
1.5
(.059)
B
马克斯。
2.5
(.098)
D
马克斯。
1.6
(.063)
P0
马克斯。
4.1
(.161)
分钟。
1.9
(.075)
分钟。
1.5
(.059)
分钟。
12.8
(.504)
C
马克斯。
13.5
(.531)
D1
马克斯。
-
P2
马克斯。
2.1
(.083)
分钟。
0.25
(.010)
分钟。
1.65
(.065)
分钟。
20.2
(.795)
D
马克斯。
-
E
马克斯。
1.85
(.073)
t
马克斯。
0.35
(.014)
G
REF 。
16.5
(.650)
F
分钟。
7.4
(.291)
W
分钟。
15.7
(.618)
尺寸：
N
REF 。
102
(4.016)
设备
P650-U,
P850-U
设备
P650-U,
P850-U
马克斯。
7.6
(.299)
马克斯。
16.3
(.642)
MM
（英寸）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
物料声明表
物料编号
产品线
合规日期
符合RoHS
P850-U260-WH
TBU
January-2008
是的
MSL
3
号
1
施工
元（分部）
半导体
设备
同质
材料
硅芯片
材料
重量
[毫克]
7.84
同质
材料\\
物质
掺杂硅
铜
铁
TIN
锌
银色（镀）
金
二酯树脂
官能团酯
高分子化合物
银
熔融二氧化硅
环氧树脂
酚醛树脂
炭黑
TIN
化学文摘登记号
如果适用
物料
质量％
100
95.645
2.185
0.034
0.135
2.0
100
3
7
3
87
90.5
4.7
4.7
0.1
100
材料
质量％
总单位重量。
5.53
41.61
0.95
0.01
0.06
0.87
0.18
0.055
0.13
0.055
1.57
41.27
2.14
2.14
0.05
3.38
分部
总质量
重量。 （％）
5.53
7440-21-3
7440-50-8
7439-89-6
7440-31-5
7440-66-6
7440-22-4
7440-57-5
所有权
所有权
所有权
7440-22-4
60676-86-0
所有权
所有权
1333-86-4
7440-31-5
2
引线框架
与铜合金
镀银
金线
胶粘剂
61.68
43.5
3
4
键合线
芯片粘接
0.26
2.56
0.18
1.81
5
6
模塑料
（无卤素）
雾锡电镀
环氧树脂
雾锡
整机重量
64.66
4.79
141.79
45.6
3.38
本文件更新时间：
重要讲话：
1.
2010年1月12日
这是用户的责任，以验证他们正在访问的最新版本。
www.bourns.com
化学文摘登记号： CAS登记Number是美国化学学会的注册商标。
第1页1
总部加利福尼亚州里弗赛德
QQ：2881677436 复制
