P4C422
HIGH SPEED 256 ×4
静态CMOS RAM
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 10/12/15/20/25/35 NS （商业）
- 15/20/25/35 NS （军事）
CMOS的低功耗
- 495毫瓦最大。 - 10/12/15/20/25 （商业）
- 495毫瓦最大。 - 15/20/25/35 （军事）
单5V ± 10 ％电源
独立的I / O
充分TTL兼容输入和输出
抗单粒子翻转和闭锁
从先进的工艺和设计产生的
改进
标准的22引脚400密耳DIP ， 24引脚300密耳
SOIC ，24引脚方形LCC封装和24引脚
CERPACK包
描述
该P4C422是1024位高速（ 10ns的）静态
RAM与256 ×4的组织。内存要求
没有时钟，或清新，有平等的机会和周期
次。输入和输出完全TTL兼容。
操作是从一个单一的5伏电源。容易记忆
膨胀是由一个低电平有效的芯片选择1设置
（ CS
1
）和高电平有效片选2 （ CS
2
）以及
三态输出。
除了高性能和高密度的
器件具有闩锁保护，单一事件和
心烦意乱的保护。该P4C422提供几个
封装： 22引脚400密耳DIP （塑料和陶瓷） ， 24-
销300万SOIC ， 24引脚方形LCC和24针
CERPACK 。器件提供商业和
军用温度范围。
功能框图
销刀豆网络gurations
SOIC （ S4 ）
CERPACK （ F3 ）相似
DIP （ P3-1 ， C3-1 ， D3-1 ）
LCC （L4）的
文档＃
SRAM101
REV 。一
1
修订后的2005年10月
P4C422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
CL
I
IX
I
OZ
I
OS
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入钳位二极管电压
输入负载电流
输出电流（高阻）
输出短路
当前
(3)
测试条件
I
OH
= -5.2毫安，V
CC
= Min.2.4
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
P4C422
民
最大
V
0.4
2.1
0.8
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
IN
= -10毫安
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
V
OL
≤
V
OUT
≤
V
OH
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
–1.5
–10
–10
10
10
90
功耗特性VS. SPEED
符号
I
CC
参数
动态工作电流
温度
范围
广告
军事
-10
90
不适用
-12
90
不适用
-15
90
90
-20
90
90
-25
65
90
-35
65
90
单位
mA
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应该是
短路。短路测试持续时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。时序参考输入端
和输出1.5V的电平。输出负载等效于
指定I
OL
/I
OH
用15 pF的（10， 12）或30 pF左右的负载电容（15，
20，25， 35），如在图分别1a和1b 。
6.过渡时间
≤
为3ns为10，12，和15纳秒的产品和
≤
为5ns的
20 ，25和35纳秒的产品，参见图1d中。过渡处测量
稳态高电平-500mV或稳态低电平+ 500mV的
来自于输入与负载于图中所示的电平的输出。 1C 。
7. t
W
测定在T
WSA
=分钟;吨
WSA
测定在T
W
=最小值。
文档＃
SRAM101
REV 。一
第10 2
P4C422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当芯片选择
1 （ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，芯片
选择两个（ CS
2
）为高电平时，数据输入的信息
(D
0
到D
3
）写入到被寻址的存储器字
和前提条件的输出电路，使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间，消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行（ CS
1
）低，芯片
选择两个（ CS
2
）高，写使能（ WE）和高
输出使能（OE ）为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
） 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
（ CS
1
）为高，或写操作时，写入时
使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
L
X
H
H
H
CS
1
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
注意事项：
H
L
X
高Z
=高
= LOW
=不关心
=隐含输出被禁用或关闭。这种情况
被定义为高阻抗状态
P4C422.
AC电气特性 - 读周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，除非另有说明，所有温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
ACS
t
ZRCS
t
AOS
t
ZROS
t
AA
参数
读周期时间
(5)
片选时间
(5)
片选到高阻
(6)
输出使能时间
输出使能到高阻
(6)
地址访问时间
(5)
-10*
12
7.5
8
7.5
8
10
-12
-15
15
8
8
12
8
12
15
-20
20
12
15
12
15
20
-25
-35
35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
25
15
20
15
20
25
25
30
25
30
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
8
10
12
*V
CC
= 5V ± 5%
读周期的时序波形
文档＃
SRAM101
REV 。一
第10 3
P4C422
交流特性 - 写周期
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，除非另有说明，所有温度范围）
(2)
符号。
t
WC
t
ZWS
t
WR
t
W
t
WSD
t
WHD
t
WSA
t
WHA
t
WSCS
t
WHCS
参数
写周期时间
(5)
写使能到高阻
(6)
写恢复时间
把脉冲宽度
(5,7)
数据建立时间之前写
(5)
数据保持时间
(5)
地址建立时间
(5,7)
地址保持时间
(5)
片选建立时间
(5)
芯片选择保持时间
(5)
8
-10*
10
8
8
9
0
2
0
2
0
2
12
-12
15
10
10
11
0
2
0
4
0
2
-15
-20
20
-25
25
35
20
20
15
5
5
5
5
5
5
20
5
5
5
5
5
5
-35
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
13
2
5
2
5
2
5
15
15
30
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
2
0
2
0
2
*V
CC
= 5V ± 5%
写周期时序波形
文档＃
SRAM101
REV 。一
第10 4
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