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双芯片
SIDACtor
设备
RoHS指令
两片
的SIDACtor
设计提供了一个通孔技术的保护溶液。这是
用于电信应用不要求一个平衡的解决方案。小学
保护应用程序，设备具有更高的保持电流，并集成故障安全选项
是可用的。
的SIDACtor
设备使设备符合各项监管要求
包括GR 1089 ， ITU K.20 ， K.21和K.45 ， IEC 60950 ， UL 60950和TIA- 968 -A
（前身为FCC第68部分） 。
电气参数
部分
号码*
P0602A_L
P1402A_L
P1602A_L
P2202A_L
P2702A_L
P3002A_L
P3602A_L
P4202A_L
P4802A_L
P6002A_L
V
DRM
伏
针脚1-2 ， 3-2
25
58
65
90
120
140
170
190
220
275
40
77
95
130
160
180
220
250
300
350
50
116
130
180
240
280
340
380
440
550
V
S
伏
V
DRM
伏
V
S
伏
80
154
190
260
320
360
440
500
600
700
V
T
伏
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
I
DRM
μAMPS
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
I
S
毫安
800
800
800
800
800
800
800
800
800
800
I
T
安培
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
I
H
毫安
50
150
150
150
150
150
150
150
150
150
1
(T)
3
(R)
2
(G)
引脚1-3
*
在部件编号“L”表示符合RoHS标准。
对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。
对于个别“AA” ， “ AB ”和“交流”浪涌额定值，请参阅下表。
一般注意事项：
所有测量均在25℃的环境温度下进行。我
PP
适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。
I
PP
是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。
上市
的SIDACtor
器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。
V
DRM
的测量是在我
DRM 。
V
S
的测量是在100伏/微秒。
特殊电压（V
S
和V
DRM
）和保持电流（I
H
）规定，可根据要求提供。
在安培的浪涌额定值
I
PP
系列
0.2x310 * 2x10 *
8x20 *
0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **
安培
A
B
C
20
25
50
安培
150
250
500
安培
150
250
400
10x160 *
10x160 **
安培
90
150
200
10x560 *
10x560 **
安培
50
100
150
5x320 *
9x720 **
安培
75
100
200
10x360 * 10x1000 * 5x310 *
I
TSM
10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的
安培
75
125
175
安培
45
80
100
安培
75
100
200
安培
20
30
50
的di / dt
安/微秒
500
500
500
*在微秒电流波形
**在μs的电压波形
电信设计指南 2006年的Littelfuse
3 - 45
www.littelfuse.com
SIDACtor装置
双芯片SIDACtor器件
散热注意事项
包
改进
TO-220
符号
T
J
T
S
R
θJA
参数
工作结温范围
存储温度范围
热阻：结到环境
价值
-40到+150
-65到+150
50
单位
°C
°C
° C / W
销1
销2
3脚
电容值
pF
引脚1-2 / 3-2
提示地面，环地面
产品型号
P0602AAL
P0602ABL
P0602ACL
P1402AAL
P1402ABL
P1402ACL
P1602AAL
P1602ABL
P1602ACL
P2202AAL
P2202ABL
P2202ACL
P2702AAL
P2702ABL
P2702ACL
P3002AAL
P3002ABL
P3002ACL
P3602AAL
P3602ABL
P3602ACL
P4202AAL
P4202ABL
P4202ACL
P4802AAL
P4802ABL
P4802ACL
P6002AAL
P6002ABL
P6002ACL
民
15
15
25
40
40
55
35
35
45
30
30
45
25
25
40
25
25
35
25
25
35
25
25
30
20
20
30
20
20
30
最大
145
250
250
60
155
155
60
145
145
50
115
115
45
105
105
40
95
95
35
90
90
35
85
85
35
85
85
35
80
80
民
10
10
10
20
20
30
20
20
25
15
15
25
15
15
20
15
15
20
10
10
15
10
10
15
10
10
15
10
10
15
pF
针1-3
TIP- RING
最大
90
145
145
35
90
90
35
85
85
30
65
65
25
60
60
25
55
55
20
50
50
20
50
50
20
50
50
20
45
45
注：关态电容（C
O
）的测量是在1MHz以2V的偏压。
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2006年的Littelfuse 电信设计指南
双芯片SIDACtor器件
+I
I
PP
- 峰值脉冲电流 - ％I
PP
t
r
=上升时间峰值
t
d
=衰减时间价值的一半
I
T
I
S
I
H
I
DRM
-V
V
T
V
DRM
V
S
+V
100
PEAK
价值
波形= T
r
x深
d
50
半值
0
0
t
r
t
d
吨 - 时间（μs ）
-I
的V-I特性
t
r
x深
d
脉冲波形
V的百分比
S
CHANGE - ％
10
I
H
(T
C
= 25 C)
14
12
8
6
4
2
0
-4
-6
-8
-40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
H
25 C
25 C
比
外壳温度（T
C
) – C
结温（T
J
) – C
归V
S
改变与结温
归DC控股电流与外壳温度
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SIDACtor装置
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POB-P-141
PEB20570
PI74FCT162260CTV
PSD913F1-A-90U
PIC16F685T-I/SSQTP
PD401
PSD834F5A-70UI
PSD4235G3-A-12M
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