P35-4250-0
马可尼光学元件
砷化镓MMIC SP4T
反光开关，
DC - 4GHz的
特点
·
·
·
·
·
宽带性能
低插入损耗;在2GHz 0.6分贝典型值
超低的直流功耗
开关速度快; 3纳秒典型
小的芯片尺寸; 0.67平方毫米
描述
该P35-4250-0是一种高性能砷化镓单刀4掷射频开关MMIC 。它适合于在使用中
宽带通信和仪器仪表应用。短路反射终端呈现在
开关的隔离输出。该开关是由免费0V / -5V或0 / -8V信号到该应用程序的控制
控制线按照以下的真值表。
该芯片采用MOC的0.5微米栅长MESFET制程（ S20）制作并使用氮化硅得到充分的保护
钝化优良的性能和可靠性。此装置是在一个低成本表面安装也可包装
塑料封装（见P35-4250-3 ） 。
电气性能
环境温度= 22 ±3 ℃下，Z0 = 50Ω ，控制电压= 0V / -5V ，除非另有说明
参数
插入Loss1
Isolation1
输入回波Loss2
输出返回Loss2
1分贝功率压缩POINT3
条件
DC - 2GHz的
2 - 4GHz的
DC - 2GHz的
2 - 4GHz的
DC - 2GHz的
2 - 4GHz的
DC - 2GHz的
2 - 4GHz的
0 / -5V控制; 50MHz的
0 / -5V控制; 2GHz的
0 / -8V控制; 50MHz的
0 / -8V控制; 2GHz的
50 ％对照10％ 90％射频
民
-
-
35
25
26
23
26
23
-
-
-
-
-
典型值
0.6
0.9
45
35
28
25
28
25
19
22.5
21.5
30
3
最大
0.9
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
开关速度
笔记
1.插入损耗和隔离RF输入和任意输出的测量。
在低损耗的开关状态2.测量回波损耗。
3.输入电源处插入损耗压缩1dB的。
P35-4250-0
马可尼光学元件
芯片大纲
电气原理图
芯片尺寸：
焊垫尺寸：
模具厚度：
0.91 X 0.74毫米
90微米X 90微米
200m
开关真值表
控制板电压（V ）
A1
B1
A2
B2
-5
0
0
0
0
-5
-5
-5
0
-5
0
0
-5
0
-5
-5
路径从RF IN到
RF1
RF2
低损耗
隔离
隔离
隔离
隔离
低损耗
隔离
隔离
A3
0
0
-5
0
B3
-5
-5
0
-5
A4
0
0
0
-5
B4
-5
-5
-5
0
RF3
隔离
隔离
低损耗
隔离
RF4
隔离
隔离
隔离
低损耗
搬运，安装和粘接
管芯的背面是金金属化的，并且可以手动模切附着于金，共晶带的Au-Sn （80:20 ），或与
低温导电环氧树脂。最大允许管芯温度为310 ℃下进行2分钟。债券应
取得到暴露的金焊盘17或25微米的纯金，半硬金丝。粘接应与达到
模具面在225 ℃至275 ℃下用热超声加热的楔形物（约125 ℃）和60克的最大的力。
球形键可被使用，但必须小心，以确保球的大小是与示出的键合焊盘兼容。该
键合线的长度应被最小化，以减少寄生电感，特别是那些对射频和地面
垫。
订购信息： P35-4250-0
这些数据和产品规格如有变更，恕不另行通知。这些设备
不宜用于恕不另行通知设备资质和生产。
462 / SM / 00027 / 200 ISS 1/2
马可尼光器件有限公司2001年
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