飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 200 V
I
D
= 5.2 A
g
R
DS （ ON）
≤
400 m
s
概述
N型沟道，使用增强型的场效应功率晶体管
TRENCH
技术，用于在离线使用
开关电源，电视和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路
和通用开关应用。
该PHX9NQ20T是在SOT186A （ FPAK ）传统的引线封装提供
钉扎
针
1
2
3
例
门
漏
来源
隔离
描述
SOT186A （ FPAK ）
例
SOT186 （ FPAK ）
例
1 2 3
1 2 3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
hs
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
hs
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
200
200
±
20
5.2
3.3
21
25
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
2000年11月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
10
瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.1
单脉冲
0.01
1E-06
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
1E-05
1E-04
1E-03 1E-02 1E-01
脉冲宽度TP （多个）
1E+00
1E+01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
与复合散热器
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10V
8V
5.5 V
6V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
4.5 V
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.5
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.5 V
5V
TJ = 25℃
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP = 10我们
100us
1
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
1
5.5 V
6V
VGS = 10V
8V
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
2000年11月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
漏极电流ID （ A）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
150 C
TJ = 25℃
1.5
1
0.5
0
1
2
3
4
栅 - 源电压，V GS （V）的
5
6
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
TJ = 25℃
1.0E-03
最低
典型
150 C
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
1
2
3
4
5
ID / （ A）
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
2.5
正规化的导通状态电阻
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
2
西塞
1.5
1000
1
科斯
100
0.5
CRSS
0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
结温， TJ
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
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启1.100
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产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
低热阻
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 200 V
I
D
= 5.2 A
g
R
DS （ ON）
≤
400 m
s
概述
N型沟道，使用增强型的场效应功率晶体管
TRENCH
技术，用于在离线使用
开关电源，电视和电脑显示器电源，直流以直流转换器，电机控制电路
和通用开关应用。
该PHX9NQ20T是在SOT186A （ FPAK ）传统的引线封装提供
钉扎
针
1
2
3
例
门
漏
来源
隔离
描述
SOT186A （ FPAK ）
例
SOT186 （ FPAK ）
例
1 2 3
1 2 3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至175℃下
T
j
= 25 °C至175℃ ;
GS
= 20 k
T
hs
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
hs
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
200
200
±
20
5.2
3.3
21
25
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
2000年11月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
10
瞬态热阻抗，第Z J- A（ K / W）
D = 0.5
0.2
1
0.1
0.05
0.02
0.1
单脉冲
0.01
1E-06
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
1E-05
1E-04
1E-03 1E-02 1E-01
脉冲宽度TP （多个）
1E+00
1E+01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
归一化电流降额
与复合散热器
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
TJ = 25℃
VGS = 10V
8V
5.5 V
6V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
4.5 V
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
漏 - 源电压， VDS （V ）
1.6
1.8
2
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
); V
GS
≥
10 V
峰值漏电流脉冲， IDM （ A）
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
)
100
0.5
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
4.5 V
5V
TJ = 25℃
RDS （ ON）= VDS / ID
10
TP = 10我们
100us
1
特区
1毫秒
10毫秒
100毫秒
0.1
1
10
100
漏 - 源电压， VDS （V ）
1000
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
1
5.5 V
6V
VGS = 10V
8V
2
3
4
5
6
漏极电流ID （ A）
7
8
9
10
如图3所示。安全工作区
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
)
2000年11月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS 晶体管
PHX9NQ20T ， PHF9NQ20T
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
漏极电流ID （ A）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
150 C
TJ = 25℃
1.5
1
0.5
0
1
2
3
4
栅 - 源电压，V GS （V）的
5
6
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
TJ = 25℃
1.0E-03
最低
典型
150 C
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
1
2
3
4
5
ID / （ A）
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
2.5
正规化的导通状态电阻
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
10000
2
西塞
1.5
1000
1
科斯
100
0.5
CRSS
0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
结温， TJ
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
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5
启1.100
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