【MicroCapacitance （MC）的SASIDACtor设备RoHS指令¨这些DO- 214】,IC型号P0080SAMCRP,P0080SAMCRP PDF资料,P0080SAMCRP经销商,ic,电子元器件-51电子网

MicroCapacitance （MC）的SA

SIDACtor

设备

RoHS指令

这些DO- 214AA SAMC

的SIDACtor

器件用于应用敏感加载

值。通常，高速连接，如以太网，xDSL和T1 / E1，需要一个

更低的电容。

为MicroCapacitance设备值比低40 ％

标准SA的一部分。

这SAMC

的SIDACtor

系列使设备符合各项监管

的要求，包括GR 1089 ， ITU K.20 ， K.21 ， K.45和，IEC 60950 ， UL 60950和TIA-

968 -A （前身为FCC 68部分）。

电气参数

部分

号码*

P0080SAMCL

P0220SAMCL

P0300SAMCL

DRM

伏

DRM

μAMPS

毫安

800

安培

2.2

毫安

在部件编号“L”表示符合RoHS标准。

对于不符合RoHS标准的设备，从零件号删除“ L” 。

对于浪涌额定值，请参阅下表。

一般注意事项：

所有测量均在25℃的环境温度下进行。我

适用于-40°C至+ 85 °C温度范围。

是重复浪涌额定值，并且保证了产品的使用寿命。

上市

的SIDACtor

器件是双向的。所有电气参数和浪涌额定值适用于正向和反向极性。

DRM

的测量是在我

DRM 。

的测量是在100伏/微秒。

特殊电压（V

和V

DRM

）和保持电流（I

）规定，可根据要求提供。

在安培的浪涌额定值

系列

0.2x310 * 2x10 *

8x20 *

0.5x700 ** 2x10 ** 1.2x50 **

安培

150

安培

150

10x160 *

10x160 **

安培

10x560 *

10x560 **

安培

5x320 *

9x720 **

安培

10x360 * 10x1000 * 5x310 *

TSM

10x360 ** 10x1000 ** 10x700 ** 60 /60 Hz的

安培

的di / dt

安/微秒

500

*在微秒电流波形

**在μs的电压波形

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3-8

2006年的Littelfuse 电信设计指南

MicroCapacitance （ MC ） SA SIDACtor器件

散热注意事项

包

DO-214AA

符号

θJA

参数

工作结温范围

存储温度范围

热阻：结到环境

价值

-40到+150

-65到+150

单位

°C

° C / W

电容值

产品型号

P0080SAMCL

P0220SAMCL

P0300SAMCL

民

最大

注：关态电容（C

）的测量是在1MHz以2V的偏压。

DRM

-V

DRM

- 峰值脉冲电流 - ％I

100

PEAK

价值

=上升时间峰值

=衰减时间价值的一半

波形= T

x深

半值

-I

吨 - 时间（μs ）

的V-I特性

x深

脉冲波形

V的百分比

CHANGE - ％

= 25 C)

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

-4

-6

-8

-40 -20

25 C

20 40 60 80 100 120 140 160

比

外壳温度（T

) – C

归DC控股电流与外壳温度

结温（T

) – C

归V

改变与结温

电信设计指南 2006年的Littelfuse

3-9

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SIDACtor装置

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