OM6516SC
OM6520SC
绝缘栅双极晶体管
（ IGBT ）在密封TO- 258AA封装
1000伏特， 25安培， N沟道IGBT
在密闭的金属包
特点
隔离的IGBT在密封包装
高输入阻抗
低导通电压
高电流能力
高开关速度
低尾电流
可提供续流二极管
可用筛选，以MIL -S - 19500 ， TX ，热力膨胀阀和S级别
描述
这IGBT功率晶体管特性的功率MOSFET的高开关速度
和低导通电阻的双极型晶体管构成。它非常适用于高功率
切换应用诸如频率转换器，用于3电机， UPS和高
电源SMPS 。
最大额定值
@ 25°C ，除非另有规定
部分
数
OM6516SC
OM6520SC
I
C
（续）
@ 90 ° C，A
25
25
V
（ BR ） CES
V
1000
1000
V
CE （SAT）
（典型值）。
V
4.0
4.0
T
f
（典型值）。
ns
300
300
q
JC
° C / W
1.0
1.0
P
D
W
125
125
T
J
°C
150
150
3.1
示意图
集热器
集热器
.165
.155
机械概要
.695
.685
.270
.240
.045
.035
.835
.815
门
门
.707
.697
1
C
2
E
3
G
.550
.530
0.092 MAX 。
辐射源
辐射源
.750
.500
.065
.055
.140 TYP 。
.005
OM6516SC
OM6520SC(w/Diode)
0.200 TYP 。
封装选项
注： IGBT是也可以在Z-选项卡，双路和四路
朴款式 - 请拨打厂家咨询。
MOD PAK
4 11 R2
取代2 07 R1
6引脚SIP
3.1 - 155
3.1
OM6516SC OM6520SC
初步数据： OM6516SC
IGBT特性
参数 - 关
V
（ BR ） CES
集电极发射极
击穿电压
I
CES
零栅极电压
漏电流
0.25
1.0
±100
mA
mA
nA
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
1000
V
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 125°C
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
V
GE （日）
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
T
D（关闭）
t
f
E
关闭
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断损耗
5.5
2000
160
65
50
200
200
300
200
200
1.5
S
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nS
nS
V
CEclamp
= 600 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 3.3
V
CE
= 20 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 600 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 3.3 ,
T
j
= 125°C
4.0
4.5
V
4.5
3.0
6.5
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 125°C
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
初步数据： OM6520SC
IGBT特性
参数 - 关
（见注1 ）
V
（ BR ） CES
集电极发射极
击穿电压
I
CES
零栅极电压
漏电流
I
GES
栅射极漏泄
当前
参数 - 开
V
GE （日）
栅极阈值电压
饱和电压
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
饱和电压
动态
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
T
D（上）
t
r
T
D（关闭）
t
f
T
D（关闭）
t
f
E
关闭
V
f
I
r
t
rr
转发Transductance
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断损耗
最大正向电压
最大反向电流
反向恢复时间
5.5
2000
160
65
50
200
200
300
200
200
1.5
1.85
1.70
500
7.0
50
S
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nS
nS
V
CEclamp
= 600 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 3.3
V
CE
= 20 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 600 V，I
C
= 15 A
V
GE
= 15 V ，R
g
= 3.3 ,
T
j
= 125°C
4.0
4.5
V
4.5
3.0
6.5
V
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 25°C
V
GE
= 15 V，I
C
= 15 A
T
C
= 125°C
V
CE （ SAT ）
集电极发射极
0.25
1.0
±100
mA
mA
nA
分钟。典型值。马克斯。单位测试条件
1000
V
V
CE
= 0
I
C
= 250 A
V
CE
=最大。鼠。 ，V
GE
= 0
V
CE
= 0.8最大。鼠。 ，V
GE
= 0
T
C
= 125°C
V
GE
= ±20 V
V
CE
= 0 V
205克劳福德街，莱明斯特，MA 01453 USA （ 508 ） 534-5776传真（ 508 ） 537-4246
开关，阻性负载
开关，阻性负载
切换感性负载
切换感性负载
MWS L = 1毫亨，T
j
= 125°C
MWS L = 1毫亨，T
j
= 125°C
V
V
A
mA
nS
I
F
= 30 A，T
C
= 25°C
I
F
= 30 A，T
C
= 150°C
V
R
= 1000 V ，T
C
= 25°C
V
R
= 800 V ，T
C
= 125°C
I
F
= 1 A，D
i
/ d
t
= -15 μ / S
V
R
= 30 V ，T
j
= 25°C
二极管的特性
注1 ：通过二极管本人水平有限
r
的特点。
QQ：2881677436 复制
