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OMR117 2000年4月4日上午11时46分第1页
OMR117AHVSR OMR117AHVST OMR117AHVNM OMR117AHVNH
100拉德耐辐射1.5 AMP
正可调稳压
100K拉德宽容三端,
精密可调正电压
稳压器在密封封装
请参阅机械
本文概述
特点
电类似的行业标准LM117AHV
可调输出电压
内置热过载保护
短路电流限制
有四种密封包装样式
最大输出电压容差是保证+ 1 %
辐射耐受高达150开Rad公司(Si)的
提供高可靠性筛选B级和S级, MIL -STD- 883
描述
这三个终端的积极监管机构在高密度密封供应
包和可用高可靠性筛选。所有的保护功能被设计成电路,
包括热关断,电流限制和安全区的控制。随着散热,这些
器件可提供高达1.5 Amps的输出电流。这些设备还具有输出电压
即可以是固定的,从通过外部电阻1.2伏至57伏。这些器件是理想
适合用于空间应用的小尺寸,高可靠性和耐辐射性是
所需。这些器件的耐辐射的高级别使他们成为理想的
选择LEO和许多轨与静止轨道通信卫星。辐射测试
由晶片基础的单一晶片上进行的。每个晶片的管芯随机样本被选择,
打包和辐射进行测试,以符合每个单个半导体晶片由晶片。
绝对最大额定值
T
c
@ 25°C
功耗: TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1 W
TO- 257 / SMD / D
2
小精灵。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20瓦
输入 - 输出电压差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V
工作结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 150°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
热阻,结到外壳:
TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17 ° C / W
TO- 257 (隔离) ,D
2
PAC(独立) ...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2 ° C / W
TO- 257 (非隔离)和SMD - 1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 ° C / W
最大输出电流: TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5
区分所有其他。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5A
推荐工作条件:
输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2 57 VDC
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.25至61.25 VDC
耐辐射 - 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100千拉德(SI )
表面贴装焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .250 ℃,
0 04 R2
取代9月12日,R1
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第2页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
电气特性
参数
参考电压
(注4 )
符号
V
REF
测试条件
-55°C
T
A
125 ° C,I
L
= 8毫安(除非另有规定)
分钟。
1.238
马克斯。
1.262
1.270
1.270
1.270
4.5
V
单位
V
差异
= 3.0V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V
V
差异
= 40V
V
差异
= 60V
3.0V
V
差异
40V, V
OUT
= V
REF
, T
A
= 25°C
3.3V
V
差异
40V, V
OUT
= V
REF
40V
V
差异
60V, V
OUT
= V
REF
, T
A
= 25°C
40V
V
差异
60V, V
OUT
= V
REF
1.225
1.225
1.225
线路调整
(注1,4)
R
LINE
9
5
10
15
15
15
15
15
5
mV
负载调整率
(注1,4)
R
负载
V
差异
= 3.0V , 10毫安
I
L
1.5A ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V , 10毫安
I
L
1.5A
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
300毫安,T
A
= 25°C
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
195mA
V
差异
= 60V , 10毫安
I
L
30mA
mV
热调节
V
RTH
V
in
= 14.6V ,我
L
= 1.5A
P
d
= 20瓦,T = 20毫秒,T
A
= 25°C
mV
纹波抑制
R
N
F = 120赫兹,V
OUT
= V
REF
C
ADJ
= 10 μF ,我
OUT
= 100毫安
66
dB
调整脚
当前
I
ADJ
V
差异
= 3.0V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V
V
差异
= 40V
100
(注4 )
调整脚
电流变化
I
ADJ
V
差异
= 60V
V
差异
= 3.0V , 10毫安
I
L
1.5A ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V , 10毫安
I
L
1.5A
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
300毫安,T
A
= 25°C
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
195mA
3.0V
V
差异
40V ,T
A
= 25°C
3.3V
V
差异
40V
3.3V
V
差异
60V
100
100
100
5
5
5
5
5
A
A
5
5
10
mA
最小负载电流
I
LMIN
V
差异
= 3.0V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 3.3V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 40V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 60V, V
OUT
= 1.4V (强制)
电流限制
(注2,4)
I
CL
V
差异
= 5V
V
差异
≤ 40V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 60V ,T
A
= 25°C
1.5
0.3
0.05
3.5
1.5
0.5
A
注意事项:
1.Load和线路调整是在使用低占空比脉冲技术,恒定结温测量。
热效应引起的输出电压的变化必须分开考虑。
2.如果没有测试,应保证在规定的限值。
3,表示该申请在整个温度范围内的规格。
4.Refer以曲线的典型特征与总剂量辐射水平。
辐射试验计划
下面的图表是收集在耐辐射的测试数据的汇总
OMR117AHV各种剂量。下图描述了总辐射剂量的
每一个设备被暴露于在发生故障之前的工序应力照射基础。失败
被定义为任何电气测试不符合每对设备的限制
辐射测试后公布的数据表规格。
Omnirel P / N
OMR117AHV
测试点
5K
10K
20K 30K
50K
60K
70K
80K
100K
150K 200K RAD
X
X
X
X
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第3页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
OMNIREL辐射测试程序
辐射检测通过晶片基础上的单个晶片上进行的。
每个晶片被识别,并且每个晶片的管芯5的随机样本被选择。
模具然后被单独组装在密封封装,数据记录,电
经过测试,高可靠性筛选,然后提交给辐射测试。
该芯片封装提交到稳定的每个方法1019国家总剂量辐射,
条件A ,在50弧度/秒的剂量率偏置在最大电源电压。
最后的电气测试两小时,双方总剂量辐射水平的范围内进行
钴60源和168小时, 100℃退火工艺。读取和记录数据
包括两个非辐射的对照样品。
该晶片是合格的话只有从晶圆样品完全符合电气规范
之后的总剂量的150 %作为各产品数据表中指定。
Omnirel的控股规格如下:对于电压调节器
控制规范MIL - PRF- 38534 / MIL -STD- 883 。对于整流器/肖特基了
控制规范MIL -PRF- 19500 / MIL -STD- 750 。
可用的产品筛选
标准的职业等级筛选
每MIL -PRF- 38535
屏幕
* B级
测试方法
晶圆地段验收
无损邦德拉
前盖外观检查
温度循环
恒定加速度
视觉检测
PIND试验
序列化
预燃式电
BURN -IN
临时电
PDA计算
最终电
精细&总值印章
X线
一致性检查
最终视觉检查
-----
-----
2010
1010
2001
-----
-----
-----
数据表
一百六分之一千○十五小时。
-----
5 %功能
数据表
1014
-----
GR A&B
2009
*级别S
测试方法
5007
-----
2010
1010
2001
-----
2020
-----
数据表
1015/240hrs.
数据表
5 %功能
数据表
1014
2012 /两种观点
GR A&B
2009
需要
-----
-----
100%
100%
100%
100%
-----
-----
100%
100%
-----
LOT
100%
100%
-----
样品
样品
需要
100%
-----
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
LOT
100%
100%
100%
样品
样品
*注:对于“B”级筛选加上“ M”为产品编号,为“S”级筛选加上“ S” ,以部分
号。见型号代号。
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第4页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
典型辐射曲线
标准应用
V
in
V
OUT
OMR117AHV
R
1
240
I
ADJ
C
in
*
0.1 F
R
2
调整
C
OUT
**
1.0 F
*为必填Cin的,如果调节器位于一个
从电源明显的距离。
** Cout被不需要的稳定性,但是它确实
改善瞬态响应。
VOUT = 1.25 V ( 1 + R2 / R1 ) + IAD R2
由于IADJ被控制到小于100微安,
与该术语相关联的误差可忽略不计
在大多数应用中。
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第5页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
机械外形
“T” P / N标志
.420
.410
.200
.190
.045
.035
.665
.645
.537
.527
“H ”P / N标志
.150
.140
1 2 3
.430
.410
0.038 MAX 。
.750
.500
.005
.035
.025
.100 TYP 。
0.120 TYP 。
TO-257AA
OMR117AHVST
隔离/
前视图
销1
销2
3脚
TAB
-
-
-
-
调整
产量
输入
隔离
加入“T ”,以零件号为
TO- 257封装
TO- 205AF (TO- 39)的
OMR117AHVNH
非隔离
PIN 1 -
输入
PIN 2 -
调整
PIN 3 -
输出(案例)
加入“H ”,以零件号为TO- 205封装
“R ”P / N标志
“M ”P / N标志
.140
.450
.015
.050
.157
.140
.140
.050
1
2
.030
分钟。
.625
.415
3
.037
.375
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
密封
2
PAC
OMR117AHVSR
隔离
前视图
引脚1 - 调整
2脚 - 输出
引脚3 - 输入
标签 - 隔离
加上“ R” ,以零件号为
D
2
PAC套餐
OMR117AHVNM
SMD-1
引脚1 - 调整
引脚2 - 输入
引脚3 - 输出
加上“ M”到部分号码
SMD (表面贴装)
OMR
PART号指示器
(例OMR117AHVSTM )
117
AHV
S
T
M
Omnirel
RAD-宽容
设备
TYPE
1 %的Hi-伏
隔离
风格
筛选
水平
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第1页
OMR117AHVSR OMR117AHVST OMR117AHVNM OMR117AHVNH
100拉德耐辐射1.5 AMP
正可调稳压
100K拉德宽容三端,
精密可调正电压
稳压器在密封封装
请参阅机械
本文概述
特点
电类似的行业标准LM117AHV
可调输出电压
内置热过载保护
短路电流限制
有四种密封包装样式
最大输出电压容差是保证+ 1 %
辐射耐受高达150开Rad公司(Si)的
提供高可靠性筛选B级和S级, MIL -STD- 883
描述
这三个终端的积极监管机构在高密度密封供应
包和可用高可靠性筛选。所有的保护功能被设计成电路,
包括热关断,电流限制和安全区的控制。随着散热,这些
器件可提供高达1.5 Amps的输出电流。这些设备还具有输出电压
即可以是固定的,从通过外部电阻1.2伏至57伏。这些器件是理想
适合用于空间应用的小尺寸,高可靠性和耐辐射性是
所需。这些器件的耐辐射的高级别使他们成为理想的
选择LEO和许多轨与静止轨道通信卫星。辐射测试
由晶片基础的单一晶片上进行的。每个晶片的管芯随机样本被选择,
打包和辐射进行测试,以符合每个单个半导体晶片由晶片。
绝对最大额定值
T
c
@ 25°C
功耗: TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1 W
TO- 257 / SMD / D
2
小精灵。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20瓦
输入 - 输出电压差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V
工作结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至+ 150°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
热阻,结到外壳:
TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17 ° C / W
TO- 257 (隔离) ,D
2
PAC(独立) ...... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2 ° C / W
TO- 257 (非隔离)和SMD - 1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.5 ° C / W
最大输出电流: TO- 205 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .5
区分所有其他。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5A
推荐工作条件:
输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.2 57 VDC
输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.25至61.25 VDC
耐辐射 - 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100千拉德(SI )
表面贴装焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .250 ℃,
0 04 R2
取代9月12日,R1
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第2页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
电气特性
参数
参考电压
(注4 )
符号
V
REF
测试条件
-55°C
T
A
125 ° C,I
L
= 8毫安(除非另有规定)
分钟。
1.238
马克斯。
1.262
1.270
1.270
1.270
4.5
V
单位
V
差异
= 3.0V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V
V
差异
= 40V
V
差异
= 60V
3.0V
V
差异
40V, V
OUT
= V
REF
, T
A
= 25°C
3.3V
V
差异
40V, V
OUT
= V
REF
40V
V
差异
60V, V
OUT
= V
REF
, T
A
= 25°C
40V
V
差异
60V, V
OUT
= V
REF
1.225
1.225
1.225
线路调整
(注1,4)
R
LINE
9
5
10
15
15
15
15
15
5
mV
负载调整率
(注1,4)
R
负载
V
差异
= 3.0V , 10毫安
I
L
1.5A ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V , 10毫安
I
L
1.5A
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
300毫安,T
A
= 25°C
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
195mA
V
差异
= 60V , 10毫安
I
L
30mA
mV
热调节
V
RTH
V
in
= 14.6V ,我
L
= 1.5A
P
d
= 20瓦,T = 20毫秒,T
A
= 25°C
mV
纹波抑制
R
N
F = 120赫兹,V
OUT
= V
REF
C
ADJ
= 10 μF ,我
OUT
= 100毫安
66
dB
调整脚
当前
I
ADJ
V
差异
= 3.0V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V
V
差异
= 40V
100
(注4 )
调整脚
电流变化
I
ADJ
V
差异
= 60V
V
差异
= 3.0V , 10毫安
I
L
1.5A ,T
A
= 25°C
V
差异
= 3.3V , 10毫安
I
L
1.5A
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
300毫安,T
A
= 25°C
V
差异
= 40V , 10毫安
I
L
195mA
3.0V
V
差异
40V ,T
A
= 25°C
3.3V
V
差异
40V
3.3V
V
差异
60V
100
100
100
5
5
5
5
5
A
A
5
5
10
mA
最小负载电流
I
LMIN
V
差异
= 3.0V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 3.3V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 40V, V
OUT
= 1.4V (强制)
V
差异
= 60V, V
OUT
= 1.4V (强制)
电流限制
(注2,4)
I
CL
V
差异
= 5V
V
差异
≤ 40V ,T
A
= 25°C
V
差异
= 60V ,T
A
= 25°C
1.5
0.3
0.05
3.5
1.5
0.5
A
注意事项:
1.Load和线路调整是在使用低占空比脉冲技术,恒定结温测量。
热效应引起的输出电压的变化必须分开考虑。
2.如果没有测试,应保证在规定的限值。
3,表示该申请在整个温度范围内的规格。
4.Refer以曲线的典型特征与总剂量辐射水平。
辐射试验计划
下面的图表是收集在耐辐射的测试数据的汇总
OMR117AHV各种剂量。下图描述了总辐射剂量的
每一个设备被暴露于在发生故障之前的工序应力照射基础。失败
被定义为任何电气测试不符合每对设备的限制
辐射测试后公布的数据表规格。
Omnirel P / N
OMR117AHV
测试点
5K
10K
20K 30K
50K
60K
70K
80K
100K
150K 200K RAD
X
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X
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OMR117 2000年4月4日上午11时46分第3页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
OMNIREL辐射测试程序
辐射检测通过晶片基础上的单个晶片上进行的。
每个晶片被识别,并且每个晶片的管芯5的随机样本被选择。
模具然后被单独组装在密封封装,数据记录,电
经过测试,高可靠性筛选,然后提交给辐射测试。
该芯片封装提交到稳定的每个方法1019国家总剂量辐射,
条件A ,在50弧度/秒的剂量率偏置在最大电源电压。
最后的电气测试两小时,双方总剂量辐射水平的范围内进行
钴60源和168小时, 100℃退火工艺。读取和记录数据
包括两个非辐射的对照样品。
该晶片是合格的话只有从晶圆样品完全符合电气规范
之后的总剂量的150 %作为各产品数据表中指定。
Omnirel的控股规格如下:对于电压调节器
控制规范MIL - PRF- 38534 / MIL -STD- 883 。对于整流器/肖特基了
控制规范MIL -PRF- 19500 / MIL -STD- 750 。
可用的产品筛选
标准的职业等级筛选
每MIL -PRF- 38535
屏幕
* B级
测试方法
晶圆地段验收
无损邦德拉
前盖外观检查
温度循环
恒定加速度
视觉检测
PIND试验
序列化
预燃式电
BURN -IN
临时电
PDA计算
最终电
精细&总值印章
X线
一致性检查
最终视觉检查
-----
-----
2010
1010
2001
-----
-----
-----
数据表
一百六分之一千○十五小时。
-----
5 %功能
数据表
1014
-----
GR A&B
2009
*级别S
测试方法
5007
-----
2010
1010
2001
-----
2020
-----
数据表
1015/240hrs.
数据表
5 %功能
数据表
1014
2012 /两种观点
GR A&B
2009
需要
-----
-----
100%
100%
100%
100%
-----
-----
100%
100%
-----
LOT
100%
100%
-----
样品
样品
需要
100%
-----
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
100%
LOT
100%
100%
100%
样品
样品
*注:对于“B”级筛选加上“ M”为产品编号,为“S”级筛选加上“ S” ,以部分
号。见型号代号。
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第4页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
典型辐射曲线
标准应用
V
in
V
OUT
OMR117AHV
R
1
240
I
ADJ
C
in
*
0.1 F
R
2
调整
C
OUT
**
1.0 F
*为必填Cin的,如果调节器位于一个
从电源明显的距离。
** Cout被不需要的稳定性,但是它确实
改善瞬态响应。
VOUT = 1.25 V ( 1 + R2 / R1 ) + IAD R2
由于IADJ被控制到小于100微安,
与该术语相关联的误差可忽略不计
在大多数应用中。
OMR117 2000年4月4日上午11时46分第5页
OMR117AHVSR , OMR117AHVST , OMR117AHVNM , OMR117AHVNH
机械外形
“T” P / N标志
.420
.410
.200
.190
.045
.035
.665
.645
.537
.527
“H ”P / N标志
.150
.140
1 2 3
.430
.410
0.038 MAX 。
.750
.500
.005
.035
.025
.100 TYP 。
0.120 TYP 。
TO-257AA
OMR117AHVST
隔离/
前视图
销1
销2
3脚
TAB
-
-
-
-
调整
产量
输入
隔离
加入“T ”,以零件号为
TO- 257封装
TO- 205AF (TO- 39)的
OMR117AHVNH
非隔离
PIN 1 -
输入
PIN 2 -
调整
PIN 3 -
输出(案例)
加入“H ”,以零件号为TO- 205封装
“R ”P / N标志
“M ”P / N标志
.140
.450
.015
.050
.157
.140
.140
.050
1
2
.030
分钟。
.625
.415
3
.037
.375
顶视图
SIDE VIEW
底部视图
密封
2
PAC
OMR117AHVSR
隔离
前视图
引脚1 - 调整
2脚 - 输出
引脚3 - 输入
标签 - 隔离
加上“ R” ,以零件号为
D
2
PAC套餐
OMR117AHVNM
SMD-1
引脚1 - 调整
引脚2 - 输入
引脚3 - 输出
加上“ M”到部分号码
SMD (表面贴装)
OMR
PART号指示器
(例OMR117AHVSTM )
117
AHV
S
T
M
Omnirel
RAD-宽容
设备
TYPE
1 %的Hi-伏
隔离
风格
筛选
水平
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