NZT660 / NZT660A PNP低饱和晶体管
2005年4月
NZT660/NZT660A
PNP低饱和晶体管
这些器件的设计具有高电流增益，低饱和电压与集电极电流高达3A的连续。
4
3
2
1
SOT-223
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
注意事项：
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
- 连续
工作和存储结温范围
NZT660
60
80
5
3
- 55 ~ +150
NZT660A
60
60
5
3
- 55 ~ +150
单位
V
V
V
A
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性
符号
开关特性
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 100A
I
E
= 100A
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 100°C
V
EB
= 4V
NZT660
NZT660A
分钟。
60
80
60
5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
100
10
100
nA
A
nA
在特性*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
I
C
= 3A ，V
CE
= 2V
NZT660
NZT660A
70
100
250
80
25
300
550
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
NZT660 / NZT660A版本C3
NZT660 / NZT660A PNP低饱和晶体管
电气特性
符号
V
CE （ SAT ）
T
a
= 25°C除非另有说明（续）
参数
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 3A ，我
B
= 300毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
NZT660
NZT660A
分钟。
典型值。
马克斯。
300
550
500
1.25
1
单位
mV
mV
mV
V
V
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
基射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
C
敖包
f
T
输出电容
跃迁频率
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V ， F = 100MHz的
75
45
pF
兆赫
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
热特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θJA
参数
器件总功耗
热阻，结到环境
NZT660/NZT660A
2
62.5
单位
W
° C / W
NZT660 / NZT660A版本C3
2
www.fairchildsemi.com
NZT660 / NZT660A PNP低饱和晶体管
典型性能特性
图1.基射极饱和电压
VS集电极电流
V
- 基极 - 发射极饱和电压（ V）
BESAT
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
图2.基射极电压上
VS集电极电流
β = 10
1.4
1.2
1
β = 10
β = 10
β
β = 10
= 10
1.6
1.4
1.2
1
V
ce
= 2.0V
- 40°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0.001
25°C
125°C
- 40°C
0.8
0.6
0.4
125°C
25°C
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流（ A）
10
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流（ A）
10
图3.集电极 - 发射极饱和电压
VS集电极电流
β = 10
图4.输入/输出电容
VS反向偏置电压
400
350
电容（pF）
C
敖包
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
β = 10
β = 10
β
β = 10
= 10
125°C
25°C
F V
ce
= 2.0V
= 1.0MHz的
300
250
200
150
100
50
0
0.1
0.5 1
10 20
V
CE
- 集电极电压（ V）
50
100
C
IBO
0.4
0.3
- 40°C
0.2
0.1
0
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流（ A）
10
图5.电流增益VS集电极电流
1000
900
H
FE
- 电流增益
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
- 集电极电流（ A）
10
- 40°C
25°C
125°C
V
ce
= 2.0V
NZT660 / NZT660A版本C3
3
www.fairchildsemi.com
NZT660 / NZT660A PNP低饱和晶体管
机械尺寸
SOT-223
0.08MAX
3.00
±0.10
MAX1.80
1.75
±0.20
3.50
±0.20
(0.60)
0.65
±0.20
+0.04
0.06
–0.02
2.30 TYP
(0.95)
4.60
±0.25
0.70
±0.10
(0.95)
0.25
–0.05
+0.10
(0.60)
1
0
°
~
0
°
1.60
±0.20
(0.46)
(0.89)
6.50
±0.20
7.00
±0.30
单位：毫米
NZT660 / NZT660A版本C3
4
www.fairchildsemi.com
NZT660 / NZT660A PNP低饱和晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I15
5
NZT660 / NZT660A版本C3
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
