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NCV1009
2.5伏参考
该NCV1009是精密微调2.5 V
±5.0
mV的分流
稳压二极管。低动态阻抗和宽的工作
电流范围内增强其通用性。紧参考公差
片上微调,最大限度地减少电压容差和实现
温度漂移。
第三终端允许参考电压进行调整
±5.0%
校正系统误差。在许多应用中, NCV1009Z
可作为一个针到针更换LT1009CZ和的
LM136Z - 2.5与外部装饰网淘汰。
特点
0.2%的初始容差最大。
保证温度稳定性
最大0.6
W
动态阻抗
宽工作电流范围
直接替换汽车的LT1009和LM136的改进
性能
不调整所需的最低温度系数
符合MIL-STD 883C ESD要求
工作温度范围用于汽车
应用
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和变更控制
无铅包可用
8
1
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记号
图表
8
SOIC8
后缀
CASE 751
1
1009D
ALYW
G
TO92
后缀
CASE 29
1009Z
ALYWW
G
G
A
L
Y
WW, W
G
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
NC
NC
NC
GND
1
8
NC
NC
V
REF
ADJ 。 PIN
5.0 V35 V
1.脚ADJ 。 PIN
2. V
REF
3. GND
1 2 3
3.6千瓦
V
REF
ADJ
10千瓦*
TRIM
订购信息
设备
NCV1009D
NCV1009DR2
* ± 5.0 %调整范围
如果不使用外部微调电阻,该“ ADJ。 PIN “应
悬空。在10K微调电位器不影响
该装置的温度系数。
NCV1009DR2G
NCV1009Z
NCV1009ZG
SOIC8
SOIC8
SOIC8
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
95单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2000单位/铁
2000磁带&卷轴
GND
图1.应用框图
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
1
出版订单号:
NCV1009/D
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年2月 - 修订版9
NCV1009
V
REF
10 pF的
P3
N14
N16
15 pF的
P1
14千瓦
20 pF的
P2
TRIM
20千瓦
20千瓦
10.15千瓦
63千瓦
N7
N12 N13
30千瓦
ADJ
N9
N10
N11
1.14千瓦
6.785千瓦
D1
N15
N2
N1
N3
N4
N8
N5
N6
1.14千瓦
基板
GND
图2.框图
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2
NCV1009
最大额定值*
等级
反向电流
前锋
封装热阻, SOIC - 8 :
结到外壳,R
QJC
结到环境,R
qJA
封装热阻, TO- 92 :
结到外壳,R
QJC
结到环境,R
qJA
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度焊接:
波峰焊(通孔样式只) (注1 )
回流焊: (只SMD样式) (注2,注3 )
价值
20
10
45
165
170
-40到+125
-65到+150
260峰
240峰
单位
mA
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
*最大包装功耗必须遵守。
1. 10秒最大
第二个最大以上183℃ 2。 60 。
3, -5 ° C / + 0 ℃的条件下允许的。
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 )
特征
反向击穿电压
反向击穿电压
反向击穿电压
更改与当前
反向动态阻抗
I
R
= 1.0毫安
40°C
T
A
125°C
400
mA
I
R
10毫安
(注4 )
I
R
= 1.0毫安
(注4 )
温度稳定性
平均温度系数
长期稳定性质
0°C
T
A
70 ° C, (注5 )
0°C
T
A
70 ° C, (注5 )
T
A
= 25°C
±0.1
C,我
R
= 1.0毫安
测试条件
2.492
2.480
典型值
2.500
2.500
2.6
3.0
0.2
0.4
1.8
15
20
最大
2.508
2.508
5.0
6.0
1.0
1.4
单位
V
V
mV
mV
W
W
mV
PPM /°C的
PPM / KHR
4.表示其适用于整个工作温度范围内的规格。
5.平均温度系数被定义为总的电压变化通过在指定的温度范围划分。
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3
NCV1009
典型性能特性
10
1
反向电压变化(毫伏)
1.4
1.8
反向电压( V)
2.2
2.6
5
反向电流(A)
10
2
4
3
10
3
2
10
4
T
J
= 25°C
1.0
1
10
5
0.5
0
0
4
8
12
16
反向电流(mA )
20
图3.反向电流和反向电压
图4.改变反向电压 -
反向电流
1.2
正向电压( V)
T
J
= 25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
100
动态阻抗( W)
0.01
0.1
1.0
10
10
1.0
0.1
10
100
正向电流(mA )
1.0 k
10 k
频率(Hz)
100 k
图5.正向电压与正向电流
图6.动态阻抗与频率的关系
250
正向电压( V)
电压摆幅( V)
I
R
=具备ImA
T
J
= 25°C
NOISE (NV / √Hz的)
200
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
5.0 k
输入
产量
150
100
10.0
50
10
100
1.0 k
频率(Hz)
10 k
100 k
4.0
0
0
1
时间(ms)
20
图7.齐纳噪声电压与频率的关系
图8.响应时间
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4
NCV1009
包装尺寸
SOIC8
CASE 751-07
发行公司
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3,维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 ( 0.006 )
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 ( 0.005 ) TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
MILLIMETERS
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
X
A
8
5
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
Y
G
C
Z
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
J
旋转Z Y
S
X
S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
焊接足迹*
1.52
0.060
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 : 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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