NX3DV42
双高速USB 2.0双单刀双掷模拟
开关
第1版 - 2012年1月3日
产品数据表
1.概述
该NX3DV42是一个双刀双掷模拟开关适合用作模拟
或数字复用器/解复用器。其宽的带宽和低比特到比特歪斜允许
NX3DV42通过具有良好的信号完整性的高速差分信号。其高
通道间的串扰抑制的结果最小的噪音干扰。该
带宽足够宽，通过高速USB 2.0差分信号（ 480 Mb / s的） 。它
包括两个开关，每个开关具有两个独立的输入/输出（ HSDn +和HSDn ）
和一个通用输入/输出（ D）+（或D ） 。一个数字输入端（ S）被用来选择开关
位置。当销OE为高电平时，开关被关断。施密特触发器动作
选择输入（ S）和使能输入（ OE ）使电路容忍较慢的输入上升和
在整个V下降时间
CC
范围从3.0 V至4.3 V.
2.特点和好处科幻TS
电源电压范围为3.0 V至4.3 V
4
典型导通电阻
7.3 pF的典型导通电容
950 MHz的典型带宽或数据的频率，
低串扰
30
分贝在240兆赫
先开后合式开关
ESD保护：
HBM JESD22- A114F 3A级超过4000 V
CDM AEC - Q100-011修订版B超过1000 V
HBM超过12000 V的电源， GND保护
闭锁性能超过每JESD 78 II类A级100毫安
从指定的
40 C
+85
C
3.应用
手机，PDA ，数码相机和笔记本
液晶监视器，电视和机顶盒
恩智浦半导体
NX3DV42
双高速USB 2.0双单刀双掷模拟开关
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
NX3DV42GM
NX3DV42GU
40 C
+85
C
40 C
+85
C
名字
描述
VERSION
SOT1049-2
SOT1160-1
XQFN10U塑料超薄四方扁平封装;没有线索;
10个终端; UTLP基础;体2
1.55
0.5 mm
XQFN10
塑料，非常薄四方扁平封装;没有线索;
10个终端;体1.40 X 1.80 X 0.50毫米
类型编号
5.打标
表2中。
记号
标识代码
x4
x4
类型编号
NX3DV42GM
NX3DV42GU
6.功能图
HSD1-
D-
HSD2-
HSD1+
D+
HSD2+
S
OE
aaa-001356
图1 。
逻辑符号
NX3DV42
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2 16
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双高速USB 2.0双单刀双掷模拟开关
7.管脚信息
7.1钢钉
NX3DV42
V
CC
1号航站楼
索引区
9
8
7
OE
HSD2+
HSD2-
NX3DV42
9 V
CC
10 S
8 OE
7 HSD2 +
6 HSD2-
HSD1 + 5
aaa-001357
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S
1
D+
D-
2
3
10
D+ 1
D- 2
GND 3
HSD1-
aaa-001358
透明的顶视图
透明的顶视图
图2 。
引脚配置SOT1049-2 （ XQFN10U ）
图3 。
引脚配置SOT1160-1 （ XQFN10 ）
7.2引脚说明
表3中。
符号
HSD1 ， HSD2
HSD1 + ， + HSD2
D+, D
GND
OE
S
V
CC
引脚说明
针
SOT1049-2
5, 7
6, 8
2, 3
4
9
1
10
SOT1160-1
4, 6
5, 7
1, 2
3
8
10
9
独立的输入或输出
独立的输入或输出
公共输出或输入
接地（ 0 V ）
输出使能输入（低电平有效）
选择输入
电源电压
描述
8.功能描述
表4 。
输入
S
L
H
X
[1]
功能表
[1]
通道上
OE
L
L
H
HSD1 +和HSD1
HSD2 +和HSD2
关闭
H =高电压电平; L =低电压电平; X =无关。
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HSD1- 4
GND
4
6
HSD1+
5
3 16
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9.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
V
I
V
SW
I
IK
I
SK
I
SW
I
CC
T
英镑
P
合计
[1]
参数
电源电压
输入电压
开关电压
输入钳位电流
开关电流钳位
开关电流
电源电流
储存温度
总功耗
条件
销S和OE
V
I
＆ LT ;
0.5
V
V
I
＆ LT ;
0.5
V
[1]
民
0.5
0.5
0.5
50
-
-
-
65
最大
+5.5
V
CC
+5.5
-
50
100
+50
+150
250
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
C
mW
T
AMB
=
40 C
+85
C
-
如果输入电流额定值是所观察到的最小输入电压等级可能被超过。
10.推荐工作条件
表6 。
V
CC
V
I
V
SW
T
AMB
[1]
推荐工作条件
条件
销S和OE
[1]
符号参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
民
3.0
0
0
40
最大
4.3
V
CC
4.5
+85
单位
V
V
V
C
为了避免下沉的GND电流从端子D和D当在终端HSDn和HSDn ，电压降的开关电流流过
横跨双向开关必须不超过0.4伏。如果开关电流流入端子D和D ，没有GND电流会从流
终端HSDn和HSDn 。在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降。
11.静态特性
表7中。
静态特性
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
V
IH
V
IL
V
IK
I
I
I
S（ OFF）
参数
高级别输入
电压
低电平输入
电压
输入钳位
电压
输入漏
当前
关闭状态漏泄
当前
条件
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.3 V
V
CC
= 3.0 V至3.6 V
V
CC
= 4.3 V
V
CC
= 3.0 V ;我
I
=
18
mA
销S和OE ; V
I
= GND为4.3 V ;
V
CC
= 4.3 V
V
CC
= 4.3 V ;看
图4
T
AMB
=
40 C
+85
C
民
1.3
1.7
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
0.5
0.7
1.2
1
2
V
V
V
V
V
A
A
单位
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4 16
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双高速USB 2.0双单刀双掷模拟开关
表7中。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND （地0 V ） 。
符号
I
关闭
I
CC
I
CC
参数
关机泄漏
当前
电源电流
新增供应
当前
条件
V
I
或V
O
= 0 V至4.3 V ; V
CC
= 0 V
V
I
= V
CC
或GND ; V
SW
= GND或
V
CC
; V
CC
= 4.3 V
V
I
= 2.6 V; V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 4.3 V
V
I
= 1.8 V; V
SW
= GND或V
CC
;
V
CC
= 4.3 V
C
I
C
S（ OFF）
C
秒（上）
输入电容
关闭状态
电容
导通状态
电容
销S和OE
销HSDn +和HSDnV
CC
= 3.3
V; V
I
= 0 V至3.3 V
引脚D +和DV
CC
= 3.3 V;
V
I
= 0 V至3.3 V
T
AMB
=
40 C
+85
C
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
[1]
-
-
-
-
1.0
2.8
7.3
最大
2
1
10
15
-
-
-
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
[1]
典型值是在T测
AMB
= 25
C
和V
CC
= 3.3 V.
11.1测试电路
V
CC
S
D-
HSD2- 2
OE
V
IH
VI
开关
1
2
I
S
S
V
IL
V
IH
V
IL
或V
IH
HSD1- 1
开关
GND
VO
aaa-001365
V
I
= V
CC
或GND和V
O
= GND或V
CC
.
测试电路也适用于D + ， HSD1 +和HSD2 + 。
图4 。
用于测量断态泄漏电流测试电路
11.2导通电阻
表8 。
抗性
在推荐工作条件;电压参考GND（地= 0V）。
符号
R
ON
R
ON
参数
抗性
抗性
不匹配
频道
条件
V
I
= 0.4 V ;我
SW
= 8毫安;看
图5
V
CC
= 3.0 V
V
I
= 0.4 V ;我
SW
= 8毫安
V
CC
= 3.0 V
[2]
40 C
+85
C
民
-
-
典型值
[1]
3.9
0.65
最大
6.5
-
单位
[1]
[2]
典型值是在T测
AMB
= 25
C.
在相同的V测
CC
，温度和输入电压。
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