【NTLJS4149P功率MOSFET特点-30 V， -5.9 A，mCoolt单P沟道，2×2毫米】,IC型号NTLJS4149PTBG,NTLJS4149PTBG PDF资料,NTLJS4149PTBG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTLJS4149P

功率MOSFET

特点

-30 V， -5.9 A，

mCoolt

单P沟道，

2×2毫米， WDFN封装

WDFN封装，带有裸焊盘漏了优良的热

传导

2×2毫米的尺寸相同， SC- 88封装

薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境

这是一个Pb - Free设备

应用

（ BR ） DSS

-30 V

http://onsemi.com

DS （ ON）

最大

62毫瓦@ -4.5 V

75毫瓦@ -2.5 V

锂离子电池线性充电模式的移动电源

在嘈杂的环境管理

DC-DC转换降压/升压电路

高侧开关

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

稳定

状态

≤

功耗

（注1 ）

稳定

状态

≤

连续漏极

电流（注2 ）

功耗

（注2 ）

漏电流脉冲

= 25°C

稳定

状态

= 85°C

= 25°C

= 10

, T

英镑

= 25°C

= 85°C

= 25°C

3.2

-2.7

-2.0

0.7

-18

-55

150

-1.5

260

°C

（ TOP VIEW ）

符号

DSS

价值

-30

±12

-4.5

-3.3

-5.9

1.9

销1

单位

P沟道MOSFET

WDFN6

CASE 506AP

记号

图

2 J9MG

J9 =具体设备守则

M =日期代码

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

引脚连接

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）（注2 ）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸

[ 2盎司]包括痕迹）。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

订购信息

设备

NTLJS4149PTAG

NTLJS4149PTBG

包

WDFN6

（无铅）

WDFN6

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2007年

2007年7月 - 修订版0

出版订单号：

NTLJS4149P/D

NTLJS4149P

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 吨

≤

5秒（注3）

结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）

符号

qJA

最大

180

单位

° C / W

3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹）。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

MOSFET电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值

温度COEF网络cient

漏极 - 源极导通电阻

GS （ TH）

DS （ ON）

= -4.5 V，I

= -2.0 A

= -2.5 V，I

= -2.0 A

= -4.5 V，I

= -4.5 A

正向跨导

= -6.0 V，I

= -3.0 A

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 25°C

= 85°C

= -4.5 V, V

= -15 V,

= -2.0 A，R

= 2.0

6.9

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

= -4.5 V, V

= -15 V,

= -2.0 A

960

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= -15 V

130

9.9

0.8

1.45

2.75

= V

, I

= -250

-0.4

3.1

-1.0

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

GSS

= 0 V，I

= -250

毫安，

裁判25℃

= 25°C

= 85°C

-30

-1.8

-0.1

-1.0

-10

±0.1

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

= -24 V, V

= 0 V

= 0 V, V

±12

漏源二极管的特性

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

= 0 V ，D

= 100 A / MS ，

= -1.5 A

= 0 V，I

= -1.5 A

-0.75

-0.65

0.016

-1.2

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTLJS4149P

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

= -1.9 V至-7 V

-I

，漏极电流（ AMPS ）

= 25°C

-1.7 V

-1.6 V

-1.5 V

-1.4 V

-V

，漏极至源极电压（伏）

-1.3 V

-1.2 V

-1.1 V

-1.8 V

-I

，漏极电流（ AMPS ）

≥

-10 V

= 100°C

0.5

= 25°C

= -55°C

1.5

2.5

-V

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.2

= -2.0 A

= 25°C

0.15

0.07

= 25°C

0.06

= -2.5 V

0.05

0.1

0.05

0.04

= -4.5 V

0.03

-V

，栅极至源极电压（伏）

-I

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.6

= -2.0 A

= -4.5 V

-I

DSS

，漏电（ NA）

1.4

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

= 0 V

1.2

= 150°C

1.0

1000

= 100°C

100

0.8

0.6

-50

-25

100

125

150

，结温（ ° C）

-V

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTLJS4149P

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

= 25°C

-V GS ，栅极至源极电压（伏）

2400

= 0 V

国际空间站

= 0 V

-V DS ，漏极至源极电压（伏）

C，电容（pF ）

1800

1200

RSS

600

OSS

-V

= -4.5 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

1000

-I

，源电流（安培）

= -24 V

= -2.0 A

= -4.5 V

T， TIME （ NS ）

100

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

0.2

0.8

0.6

1.0

-V

，源极到漏极电压（伏）

0.4

1.2

D（关闭）

= 0 V

= 25°C

D（上）

，栅极电阻（欧姆）

100

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与电流

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NTLJS4149P

包装尺寸

WDFN6 2×2

CASE 506AP -01

问题B

注意事项：

1.尺寸和公差符合ASME

Y14.5M ， 1994年。

2.控制尺寸：毫米。

3.尺寸b适用于镀终端和

测量之间的0.15与0.20毫米从

终奌站。

4.共面性适用于裸露焊盘AS

以及端子。

5.中心终端LEAD是可选的。终奌站

导线被连接到终端线＃ 4 。

6引脚1 ， 2 ， 5和6是该标志打成平手。

暗淡

MILLIMETERS

民

最大

0.70

0.80

0.00

0.05

0.20 REF

0.25

0.35

0.51

0.61

2.00 BSC

1.00

1.20

2.00 BSC

1.10

1.30

0.65 BSC

0.15 REF

0.20

0.30

0.20

0.30

0.27 REF

0.65 REF

销1

参考

0.10 C

0.08 C

注5

mCool

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的商标。

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

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为了文学：

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座位

飞机

阻焊DEFINED

安装印迹*

2.30

0.10 C A

0.05 C

1.10

0.43

1.25

0.35

0.60

0.35

底部视图

0.10 C A

0.05 C

注3

0.34

0.66

外形尺寸：毫米

0.65

沥青

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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