【产品speci fi cationNTR1P02L ， NVTR01P02L功率MOSFET20V,】,IC型号NVTR01P02LT1G,NVTR01P02LT1G PDF资料,NVTR01P02LT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品speci fi cation

NTR1P02L ， NVTR01P02L

功率MOSFET

1.3

A， P沟道

SOT- 23封装

这些微型表面贴装MOSFET的低R

DS （ ON）

保证

最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用

对于空间敏感的电源管理电路使用。典型

应用的DC- DC转换器和电源管理

便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，

PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。

（ BR ） DSS

DS （ ON）

最大

220毫瓦@

4.5

P- CHANNEL

最大

1.3

低R

DS （ ON）

提供更高的效率和延长电池寿命

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

NVTR前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

合格的，有能力PPAP

无铅和无卤化物包可用

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

漏电流

连续@ T

= 25°C

漏电流脉冲（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

热阻

结到环境

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

±12

1.3

4.0

400

150

300

260

单位

°C

° C / W

°C

SOT23

CASE 318

21风格

特点

标记图&

引脚分配

漏

P02 M

门

来源

P02

=具体设备守则

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

订购信息

设备

NTR1P02LT1G

NTR1P02LT3G

NVTR01P02LT1G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

万胶带&

REEL

3000磁带&卷轴

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

NTR1P02L ， NVTR01P02L

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿

电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

毫安）

V, V

= 0 V)

V, V

= 0 V,

= 125°C)

12 V, V

= 0 V)

= V

, I

250

毫安）

4.5

V，I

0.75

2.5

V，I

0.5

5.0

（ BR ） DSS

DSS

1.0

±100

0.7

1.0

0.140

0.200

225

130

7.0

3.1

1.25

0.22

0.35

测试条件

符号

民

典型值

最大

单位

门体漏电流

TY特性

（注1 ）

栅极阈值电压

静态漏 - 源

·电阻

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

总栅极电荷

V，I

1.5

4.5

V, V

5.0

1.0

A，R

= 5.0

= 6.0

D（关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

连续电流

脉冲电流

正向电压（注2）

反向恢复时间

1.0

A，V

= 0 V,

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

= 0 V，I

0.6

5.5

8.5

0.6

0.75

1.0

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