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NTF6P02T3
功率MOSFET
-10安培，伏特-20
P沟道SOT- 223
特点
http://onsemi.com
低R
DS （ ON）
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
无铅包装是否可用
10
安培
20
伏
R
DS （ ON）
= 44毫瓦（典型值）。
S
典型应用
在便携设备和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 70°C
单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
5.0
VDC ，
I
L（ PK）
=
10
A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25W)
热阻
交界处领导（注1 ）
结到环境（注2 ）
结到环境（注3 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
价值
20
±8.0
10
8.4
35
8.3
55
to
+150
150
单位
VDC
VDC
ADC
APK
W
°C
mJ
1
2
3
G
D
P沟道MOSFET
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
AYW
6P02G
G
1
门
2
3
漏源
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
SOT223
CASE 318E
方式3
R
qJL
R
qJA
R
qJA
T
L
15
71.4
160
260
° C / W
°C
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
6P02
=具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.稳态。
2.表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜，面积1.127平方英寸） ，稳态。
3.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
尺寸（铜，面积0.412平方英寸） ，稳态。
订购信息
设备
NTF6P02T3
NTF6P02T3G
包
SOT223
航运
4000 /磁带&卷轴
SOT- 223 4000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年1月
第3版
1
出版订单号：
NTF6P02T3/D
NTF6P02T3
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压（注4 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
=
250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=
20
VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
=
20
VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±
8.0伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
20
25
11
1.0
10
±
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
I
DSS
I
GSS
NADC
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压（注4 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
6.0
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
4.0
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
3.0
ADC）
正向跨导（注4 ）
(V
DS
=
10
VDC ，我
D
=
6.0
ADC）
V
GS （ TH）
0.4
0.7
2.6
44
57
57
12
1.0
50
70
VDC
毫伏/°C的
mW
R
DS （ ON）
g
fs
姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
=
10
VDC ，V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DS
=
16
VDC ，V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
900
350
90
940
410
110
1200
500
150
pF
pF
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
=
16
VDC ，我
D
=
6.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ） （注4 ）
(V
DD
=
16
VDC ，我
D
=
6.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
R
G
= 2.5
W)
(V
DD
=
5.0
VDC ，我
D
=
1.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
gs
Q
gd
7.0
25
75
50
8.0
30
60
60
15
1.7
6.0
12
45
125
85
20
nC
ns
ns
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
=
2.1
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
V
SD
0.82
0.74
0.68
42
17
25
0.036
1.2
mC
VDC
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTF6P02T3
典型电气特性
12
10
V
7.0
V
5.0
V
9
12
I
D,
漏电流（安培）
V
DS
≥
10
V
10
8
6
4
T
J
=
55°C
2
0
T
J
= 25°C
0
0.5
1
T
J
= 100°C
1.5
2
2.5
3
2.2
V
I
D,
漏电流（安培）
2.0
V
T
J
= 25°C
2.4
V
3.2
V
4.4
V
1.8
V
6
1.6
V
3
1.4
V
V
GS
=
1.2
V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.2
0.08
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
2.5
V
0.15
I
D
=
6.0
A
T
J
= 25°C
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
2
4
6
8
10
12
14
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
I
D
=
6.0
A
V
GS
=
4.5
V
10,000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 100°C
100
25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTF6P02T3
典型电气特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
C，电容（pF ）
2400
1800
1200
600
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
T
V
DS
V
GS
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
3000
5
4
3
Q
gs
2
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Q
gd
I
D
=
6.0
A
T
J
= 25°C
20
T
J
= 25°C
16
12
8
4
0
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
=
16
V
I
D
=
3.0
A
V
GS
=
4.5
V
t
D（关闭）
t
f
t
r
7
6
5
4
3
2
1
0
0.3
0.6
1.2
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
4
NTF6P02T3
典型电气特性
1
R
thJA （T ）
，有效的瞬变
热响应
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.0175
W
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
T，时间（S ）
1.0E+01
1.0E+02
环境
1.0E+03
芯片
JUNCTION 0.0154 F
0.0710
W
0.0854 F
0.2706
W
0.5779
W
0.7086
W
0.3074 F
1.7891 F 107.55 F
归至R
qJA
AT稳态（ 1 “ PAD）
图11. FET热响应
http://onsemi.com
5
NTF6P02T3
功率MOSFET
-6.0安培，伏特-20
P沟道SOT- 223
特点
http://onsemi.com
低R
DS （ ON）
逻辑电平栅极驱动器
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
无铅包装是否可用
6.0
安培
20
伏
R
DS （ ON）
= 44毫瓦
（典型值）。
P- CHANNEL
D
典型应用
在便携设备和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（注1 ）
连续@ T
A
= 25°C
连续@ T
A
= 70°C
单脉冲（T
p
= 10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
价值
20
±8.0
10
8.4
35
8.3
55
to
+150
150
单位
VDC
VDC
4
G
S
ADC
APK
W
°C
1
2
3
记号
图
&引脚
转让
漏
4
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
SOT223
CASE 318E
方式3
1
门
AWW
6P02
G
G
2
3
漏源
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
5.0
VDC ，
I
L（ PK）
=
10
A，L = 3.0 mH的，R
G
= 25W)
热阻
交界处领导（注1 ）
结到环境（注2 ）
结到环境（注3 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
E
AS
mJ
R
qJL
R
qJA
R
qJA
T
L
15
71.4
160
260
° C / W
A
=大会地点
WW
=工作周
6P02
=具体设备守则
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
°C
订购信息
设备
NTF6P02T3
NTF6P02T3G
包
SOT223
航运
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.稳态。
2.表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，
（铜，面积1.127平方英寸） ，稳态。
3.表面贴装的FR4板采用最小建议垫
尺寸（铜，面积0.412平方英寸） ，稳态。
SOT- 223 4000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第1版
1
出版订单号：
NTF6P02T3/D
NTF6P02T3
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压（注4 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
=
250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=
20
VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
=
20
VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±
8.0伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
20
25
11
1.0
10
±
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
I
DSS
I
GSS
NADC
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压（注4 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
6.0
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
4.0
ADC）
(V
GS
=
2.5
VDC ，我
D
=
3.0
ADC）
正向跨导（注4 ）
(V
DS
=
10
VDC ，我
D
=
6.0
ADC）
V
GS （ TH）
0.4
0.7
2.6
44
57
57
12
1.0
50
70
VDC
毫伏/°C的
mW
R
DS （ ON）
g
fs
姆欧
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
输入电容
输出电容
传输电容
(V
DS
=
10
VDC ，V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DS
=
16
VDC ，V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
900
350
90
940
410
110
1200
500
150
pF
pF
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
=
16
VDC ，我
D
=
6.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ） （注4 ）
(V
DD
=
16
VDC ，我
D
=
6.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
R
G
= 2.5
W)
(V
DD
=
5.0
VDC ，我
D
=
1.0
ADC ，
V
GS
=
4.5
VDC ，
R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
gs
Q
gd
7.0
25
75
50
8.0
30
60
60
15
1.7
6.0
12
45
125
85
20
nC
ns
ns
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏） （注4 ）
(I
S
=
2.1
ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
(I
S
=
3.0
ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS ） （注4 ）
V
SD
0.82
0.74
0.68
42
17
25
0.036
1.2
mC
VDC
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
反向恢复电荷存储
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTF6P02T3
典型电气特性
12
10
V
7.0
V
5.0
V
9
12
I
D,
漏电流（安培）
V
DS
≥
10
V
10
8
6
4
T
J
=
55°C
2
0
T
J
= 25°C
0
0.5
1
T
J
= 100°C
1.5
2
2.5
3
2.2
V
I
D,
漏电流（安培）
2.0
V
T
J
= 25°C
2.4
V
3.2
V
4.4
V
1.8
V
6
1.6
V
3
1.4
V
V
GS
=
1.2
V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.2
0.08
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
2.5
V
0.15
I
D
=
6.0
A
T
J
= 25°C
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
2
4
6
8
10
12
14
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
I
D
=
6.0
A
V
GS
=
4.5
V
10,000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 100°C
100
25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTF6P02T3
典型电气特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C
国际空间站
C，电容（pF ）
2400
1800
1200
600
0
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
T
V
DS
V
GS
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
3000
5
4
3
Q
gs
2
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
Q
gd
I
D
=
6.0
A
T
J
= 25°C
20
T
J
= 25°C
16
12
8
4
0
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
V
DD
=
16
V
I
D
=
3.0
A
V
GS
=
4.5
V
t
D（关闭）
t
f
t
r
7
6
5
4
3
2
1
0
0.3
0.6
1.2
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
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4
NTF6P02T3
典型电气特性
1
R
thJA （T ）
，有效的瞬变
热响应
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
T，时间（S ）
1.0E+01
1.0E+02
归至R
qJA
AT稳态（ 1 “ PAD）
0.0175
W
0.0710
W
0.0854 F
0.2706
W
0.5779
W
0.7086
W
0.3074 F
1.7891 F 107.55 F
环境
1.0E+03
芯片
JUNCTION 0.0154 F
图11. FET热响应
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