【NVTFS5811NL功率MOSFET特点40 V ， 6.7毫瓦， 40 A单N通道小尺寸（ 3.】,IC型号NVTFS5811NLTWG,NVTFS5811NLTWG PDF资料,NVTFS5811NLTWG经销商,ic,电子元器件-51电子网

NVTFS5811NL

功率MOSFET

特点

40 V ， 6.7毫瓦， 40 A单N通道

小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

NV前缀为汽车和其他需要的应用

AEC - Q101标准的网站和变更控制

这些无铅器件

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流

租金

YJ- MB

（注1 ，

2, 3, 4)

功耗

YJ- MB

（注1 ，2，3 ）

连续漏电流

租金

qJA

（注1 &

3, 4)

功耗

qJA

（注1,3）

漏电流脉冲

= 25°C

稳定

状态

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

稳定

状态

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25 ° C，T

= 10

, T

英镑

符号

DSS

价值

±20

3.2

1.6

354

+175

°C

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

40 V

单位

N沟道MOSFET

D (58)

DS （ ON）

最大

6.7毫瓦@ 10 V

10毫瓦@ 4.5 V

最大

40 A

G (4)

S (1,2,3)

标记图

WDFN8

(m8FL)

CASE 511AB

5811

AYWWG

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

= 25 ° C，V

= 50 V, V

= 10 V,

L（ PK）

= 36 A，L = 1.0 mH的，R

= 25

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

=具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

260

°C

（注：微球可在任一位置）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

订购信息

设备

NVTFS5811NLTAG

包

WDFN8

（无铅）

WDFN8

（无铅）

航运

1500 /磁带&

REEL

5000 /磁带&

REEL

热阻最大额定值

（注1 ）

参数

结到安装板（上）

稳定

状态（注2和3）

结到环境

稳态（注3 ）

符号

YJ- MB

qJA

价值

7.2

单位

° C / W

NVTFS5811NLTWG

1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，

它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。

2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中

大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。

3.表面安装在FR4板上用650毫米的

， 2盎司Cu焊盘。

4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1

第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年1月

第0版

出版订单号：

NVTFS5811NL/D

NVTFS5811NL

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

= 0 V ，二

/ DT = 100 A / MS ，

= 20 A

= 0 V,

= 20 A

= 25°C

= 125°C

= 4.5 V, V

= 32 V,

= 20 A，R

= 2.5

= 10 V, V

= 32 V，I

= 20 A

= 4.5 V, V

= 32 V，I

= 20 A,

= 2.5

= 0 V，I

= 250

= 0 V,

= 40 V

= 25°C

= 125°C

1.0

"100

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

"20

= V

, I

= 250

= 10 V，I

= 20 A

= 4.5 V，I

= 20 A

= 5 V，I

= 10 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 25 V

1.5

5.8

8.8

24.6

2.2

6.7

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

1570

215

157

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

0.83

0.70

1.2

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

5.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

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NVTFS5811NL

典型特征

100

，漏电流（ A）

10 V

，漏电流（ A）

= 125°C

= 25°C

55°C

≥

10 V

4.6 V

= 5 V

= 25°C

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

0.004

= 20 A

= 25°C

0.012

图2.传输特性

= 25°C

0.010

0.008

0.006

0.004

0.002

= 10 V

= 4.5 V

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70

，漏电流（ A）

，栅 - 源极电压（ V）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

2.00

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

1.80

1.60

1.40

1.20

1.00

0.80

0.60

100

125

150

175

100

= 20 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

1000

= 125°C

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NVTFS5811NL

典型特征

2200

2000

1800

C，电容（pF ）

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

RSS

漏极至源极电压（V ）

OSS

国际空间站

= 0 V

= 25°C

，栅极至源极电压

(V)

= 32 V

= 20 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极电压与总

收费

，源电流（ A）

1000

= 32 V

= 20 A

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

= 0 V

= 25°C

1.0

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

= 10 V

单脉冲

= 25°C

100

1毫秒

10毫秒

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

，漏极至源极电压（ V）

，栅极电阻（ W）

100

0.5

图10.二极管的正向电压与电流

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极到漏极电压（V ）

1.0

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

= 36 A

，漏电流（ A）

100

0.1

100

125

150

，起动结温（ ° C）

175

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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NVTFS5811NL

典型特征

100

qJA （T ）

（ ° C / W）有效的瞬变

热阻

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲时间（秒）

100

1000

0.01

0.000001

图13.热响应

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