【NTF3055100首选设备功率MOSFET3.0安培， 60伏N沟道SOT- 223在专为低电压，】,IC型号NTF3055-100T3G,NTF3055-100T3G PDF资料,NTF3055-100T3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTF3055100

首选设备

功率MOSFET

3.0安培， 60伏

N沟道SOT- 223

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

3.0 A， 60 V

R

DS （ ON）

= 110毫瓦

N沟道

D

无铅包可用

应用

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

G

S

最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 10毫瓦）

栅极 - 源极电压

连续

不重复（T

p

≤

10毫秒）

漏电流

连续@ T

A

= 25°C

连续@ T

A

= 100°C

单脉冲（T

p

≤

10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注2 ）

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源

起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25伏，V

GS

= 10 VDC ，

I

L

（ PK） = 7.0 APK， L = 3.0 mH的，V

DS

= 60 VDC ）

热阻

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

价值

60

±

20

±

30

3.0

1.4

9.0

2.1

1.3

0.014

55

175

74

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W

W / ℃，

°C

mJ

1

2

3

4

记号

图

&引脚

转让

漏

4

SOT223

CASE 318E

方式3

1

门

I

DM

P

D

I

D

I

D

AWW

3055

G

2

3

漏源

T

J

, T

英镑

E

AS

A

=大会地点

WW

=工作周

3055

=具体设备守则

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

包

SOT223

航运

1000 /磁带和放大器;卷轴

R

qJA

R

qJA

T

L

72.3

114

260

° C / W

NTF3055100T1

NTF3055100T1G

SOT- 223 1000 /磁带&卷轴

（无铅）

SOT223

（无铅）

4000 /磁带&卷轴

°C

NTF3055100T3

NTF3055100T3G

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。

（铜，面积1.127平方英寸）。

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272平方英寸）。

NTF3055-100T3LF SOT- 223

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年2月，

第3版

1

出版订单号：

NTF3055100/D

NTF3055100

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 1.5 ADC）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 3.0 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 1.5 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 8.0伏，我

D

= 1.7 ADC）

V

GS （ TH）

2.0

3.0

6.6

88

0.27

0.24

3.2

4.0

110

0.40

VDC

毫伏/°C的

mW

VDC

V

（ BR ） DSS

60

68

66

1.0

10

±

100

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

I

DSS

I

GSS

NADC

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

fs

姆欧

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ，

R

G

= 9.1

W)

（注3）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ）（注3 ）

Q

1

Q

2

324

35

110

455

50

155

pF

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

9.4

14

21

13

10.6

1.9

4.2

20

30

45

30

22

nC

ns

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

T

J

= 150℃）（注3）

V

SD

0.89

0.74

30

22

8.6

0.04

1.0

mC

VDC

反向恢复时间

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

http://onsemi.com

2

NTF3055100

6

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

5

4

3

2

1

0

V

GS

= 6 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 5 V

6

V

DS

≥

10 V

5

4

3

2

1

0

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

T

J

=

55°C

3

3.5

4

4.5

5

5.5

6

V

GS

= 4 V

3

4

0

1

2

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

图2.传输特性

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

V

GS

= 10 V

T

J

= 100°C

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

V

GS

= 15 V

T

J

= 100°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

1000

I

D

= 1.5 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

10

T

J

= 100°C

25

0

25

50

75

100

125

150

175

1

0

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTF3055100

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

800

700

C，电容（pF ）

600

500

400

300

200

100

0

10

5 V

GS

0 V

DS

5

C

RSS

C

OSS

C

RSS

C

国际空间站

12

10

8

6

4

2

0

I

D

= 3 A

T

J

= 25°C

2

4

6

8

10

12

Q

1

Q

T

V

GS

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

Q

2

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

100

V

DS

= 30 V

I

D

= 3 A

V

GS

= 10 V

t

D（关闭）

3

I

S

，源电流（安培）

t

f

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

2

T， TIME （ NS ）

t

r

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.54

0.58 0.62

0.66

0.7

0.74 0.78 0.82 0.86

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

100

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

80

70

60

50

40

30

20

10

0

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 7 A

10

1

10毫秒

0.1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

1毫秒

100

ms

dc

10

100

0.01

0.1

25

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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4

NTF3055100

10

R（T ），有效瞬态热响应

电阻（标准化）

1 ×1英寸1盎司的Cu焊盘（ 3× 3英寸的FR4 ）

1

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1

10

100

1000

图13.热响应

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5

NTF3055100

首选设备

功率MOSFET

3.0安培， 60伏

N沟道SOT- 223

在专为低电压，高速开关应用

电源，转换器和功率电机控制和桥

电路。

特点

http://onsemi.com

3.0 A， 60 V

R

DS （ ON）

= 110毫瓦

N沟道

D

无铅包可用

应用

电源

转换器

电源电机控制

桥电路

G

S

最大额定值

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

漏极至栅极电压（R

GS

= 10毫瓦）

栅极 - 源极电压

连续

不重复（T

p

≤

10毫秒）

漏电流

连续@ T

A

= 25°C

连续@ T

A

= 100°C

单脉冲（T

p

≤

10

女士）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

总功率耗散@ T

A

= 25 ° C（注2 ）

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源

起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25伏，V

GS

= 10 VDC ，

I

L

（ PK） = 7.0 APK， L = 3.0 mH的，V

DS

= 60 VDC ）

热阻

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

价值

60

±

20

±

30

3.0

1.4

9.0

2.1

1.3

0.014

55

175

74

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W

W / ℃，

°C

mJ

1

2

3

4

记号

图

&引脚

转让

漏

4

SOT223

CASE 318E

方式3

1

门

I

DM

P

D

I

D

I

D

AWW

3055

G

2

3

漏源

T

J

, T

英镑

E

AS

A

=大会地点

WW

=工作周

3055

=具体设备守则

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

包

SOT223

航运

1000 /磁带和放大器;卷轴

R

qJA

R

qJA

T

L

72.3

114

260

° C / W

NTF3055100T1

NTF3055100T1G

SOT- 223 1000 /磁带&卷轴

（无铅）

SOT223

（无铅）

4000 /磁带&卷轴

°C

NTF3055100T3

NTF3055100T3G

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.当表面安装用1“的焊盘尺寸， 1盎司的FR4板。

（铜，面积1.127平方英寸）。

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

尺寸， 2-2.4盎司（铜，面积0.272平方英寸）。

NTF3055-100T3LF SOT- 223

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年2月，

第3版

1

出版订单号：

NTF3055100/D

NTF3055100

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏，T

J

= 150°C)

门体漏电流

(V

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 1.5 ADC）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 3.0 ADC）

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 1.5 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（注3 ）

(V

DS

= 8.0伏，我

D

= 1.7 ADC）

V

GS （ TH）

2.0

3.0

6.6

88

0.27

0.24

3.2

4.0

110

0.40

VDC

毫伏/°C的

mW

VDC

V

（ BR ） DSS

60

68

66

1.0

10

±

100

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

I

DSS

I

GSS

NADC

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

fs

姆欧

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

(V

DS

= 25伏，V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

(V

DD

= 30伏直流电，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ，

R

G

= 9.1

W)

（注3）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

(V

DS

= 48伏直流，我

D

= 3.0 ADC ，

V

GS

= 10 VDC ）（注3 ）

Q

1

Q

2

324

35

110

455

50

155

pF

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

9.4

14

21

13

10.6

1.9

4.2

20

30

45

30

22

nC

ns

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏）

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

T

J

= 150℃）（注3）

V

SD

0.89

0.74

30

22

8.6

0.04

1.0

mC

VDC

反向恢复时间

(I

S

= 3.0 ADC ，V

GS

= 0伏，

dI

S

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

t

rr

t

a

t

b

Q

RR

ns

http://onsemi.com

2

NTF3055100

6

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

5

4

3

2

1

0

V

GS

= 6 V

V

GS

= 8 V

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 5 V

6

V

DS

≥

10 V

5

4

3

2

1

0

T

J

= 25°C

T

J

= 100°C

T

J

=

55°C

3

3.5

4

4.5

5

5.5

6

V

GS

= 4 V

3

4

0

1

2

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

图2.传输特性

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

V

GS

= 10 V

T

J

= 100°C

0.16

0.14

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

V

GS

= 15 V

T

J

= 100°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

I

D,

漏电流（安培）

I

D,

漏电流（安培）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

1000

I

D

= 1.5 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 125°C

10

T

J

= 100°C

25

0

25

50

75

100

125

150

175

1

0

10

20

30

40

50

60

T

J

，结温（ ° C）

V

DS ，

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTF3055100

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

800

700

C，电容（pF ）

600

500

400

300

200

100

0

10

5 V

GS

0 V

DS

5

C

RSS

C

OSS

C

RSS

C

国际空间站

12

10

8

6

4

2

0

I

D

= 3 A

T

J

= 25°C

2

4

6

8

10

12

Q

1

Q

T

V

GS

V

DS

= 0 V

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

Q

2

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压

（伏）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

100

V

DS

= 30 V

I

D

= 3 A

V

GS

= 10 V

t

D（关闭）

3

I

S

，源电流（安培）

t

f

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

2

T， TIME （ NS ）

t

r

t

D（上）

10

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.54

0.58 0.62

0.66

0.7

0.74 0.78 0.82 0.86

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

100

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

80

70

60

50

40

30

20

10

0

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 7 A

10

1

10毫秒

0.1

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

1毫秒

100

ms

dc

10

100

0.01

0.1

25

50

75

100

125

150

175

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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4

NTF3055100

10

R（T ），有效瞬态热响应

电阻（标准化）

1 ×1英寸1盎司的Cu焊盘（ 3× 3英寸的FR4 ）

1

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，时间（S ）

1

10

100

1000

图13.热响应

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5