NUS1204MN
过压保护IC
集成MOSFET
该设备代表了安全和集成了一个新的水平
用相结合的NCP304过压保护电路（OVP）
-12 V P沟道功率MOSFET 。它是专门设计来
保护敏感电子电路免受过压瞬态和
电源故障。在这样的危险事件时，迅速IC
断开与负载输入电压，从而保护了负载
前的任何损坏可能发生。
过压保护IC是使用外部AC -DC应用进行了优化
适配器或汽车配件充电器供电的便携式产品或
充电的内置电池。它的标称过压阈值
的4.725 V ，这使得它非常适用于单节锂离子电池，以及3/4
电池镍镉/镍氢电池应用。
特点
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记号
图
WDFN6
CASE 506AN
1
1
2 U2 M
G
3
6
5
4
U2 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
不到20 OvervoltageTurn ，关闭时间
ms
的4.725 V，额定准确的电压阈值
2.0 ％的高准确度欠电压阈值
-12 V集成的P沟道功率MOSFET
低R
DS （ ON）
= 75毫瓦@ -4.725 V
薄型2.0× 2.0毫米WDFN封装，适合便携式
应用
最大回流焊温度@ 260℃
该器件制造用无铅外部引线只完成。
好处
引脚连接
门
OUT
GND
1
2
3
8
6
5
漏
来源
IN
7
4
（ TOP VIEW ）
提供电池保护
集成解决方案提供成本和节省空间
综合解决方案提高系统可靠性
应用
订购信息
设备
NUS1204MNT1G
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
便携式电脑和PDA
手机和手持产品
数码相机
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年6月 - 第1版
出版订单号：
NUS1204MN/D
NUS1204MN
来源
漏
肖特基
二极管
的AC / DC适配器
附件充电器
P- CH
IN
门
+
+
V
REF
OUT
C1
负载
GND
图1.简化的原理图
引脚功能描述
针＃
1
2
符号
门
OUT
P沟道功率MOSFET的门销
这个信号驱动的P沟道功率MOSFET的栅极。它是通过在IN管脚上的电压电平来控制。
当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
IN
在不到20
毫秒
只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
电路接地
该引脚检测外部电压点。如果该输入的电压高于过电压阈值
(V
TH
） ， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
IN
，从而断开P沟道功率MOSFET 。
标称阈值电平为4.725 V和该阈值水平可以随着增加一个外部的
IN引脚和适配器之间的电阻。
P沟道功率MOSFET的源极引脚
漏P沟道功率MOSFET的管脚
引脚说明
3, 7
4
GND
IN
5
6, 8
来源
漏
过电压保护电路真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
OUT
GND
V
IN
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2
NUS1204MN
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
输出电压至GND
输入引脚对地电压
最大功率耗散
（注
1)
热阻结到空气
（注
1)
结温
工作环境温度
存储温度范围
ESD性能（ HBM ）
（注
2)
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，稳态，T
A
= 25 ° C（注1 ）
OVP IC
P沟道FET
针
2
4
2,3,4
符号
V
O
V
输入
P
D
R
θJA
T
J
T
A
T
英镑
V
DSS
V
GS
I
D
8
民
0.3
0.3
40
65
2.5
最大
12
12
0.96
130
130
150
85
150
12
8
0.6
单位
V
V
W
° C / W
°C
°C
°C
kV
V
V
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.人体模型（ HBM ） ： MIL STD 883C方法3015-7 ， （ R = 1500
W,
C = 100 pF的， F = 3脉冲延迟1秒） 。
电气特性
(T
A
= 25 ℃， Vcc的= 6.0 V时，除非另有规定）
特征
输入阈值（引脚4 ，V
in
增加）
输入阈值迟滞（引脚4 ，V
in
递减）
电源电流（引脚4 ）
(V
in
= 4.34 V)
(V
in
= 6.5 V)
最低工作电压（引脚4 ） （注3 ）
(T
A
= 25°C)
(T
A
= -40 ° C至85°C ）
输出电压高（V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 1.0 mA）的
输出电压高（V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0.25 mA）的
输出电压高（V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0 mA时）
输出电压低
（输入< 4.5 V ;我
SINK
= 0 mA时; CNTRL = 0 V）
传播延迟的输入到输出
互补输出NCP304系列
输出转换，高至低
输出转变，从低到高
3.通过设计保证。
t
PHL
t
PLH
10
21
60
符号
V
TH
V
HYS
I
in
V
IN（分钟）
V
oh
V
in
1.0
V
in
0.25
V
in
0.1
0.55
0.65
0.70
0.80
V
3.0
3.9
V
民
4.630
0.135
典型值
4.725
0.225
最大
4.820
0.315
单位
V
V
mA
V
ol
0.1
V
ms
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3
NUS1204MN
包装尺寸
WDFN6 ， 2×2
CASE 506AN -01
问题B
D
A
B
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.15 0.20毫米航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
J
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
0.00
0.05
0.20 REF
0.25
0.35
2.00 BSC
0.57
0.77
2.00 BSC
0.90
1.10
0.65 BSC
0.25 REF
0.20
0.30
0.15 REF
销1
参考
E
2X
0.10 C
2X
0.10 C
0.10 C
6X
0.08 C
D2
6X
L
1
3
6X
K
安森美半导体
和
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A3
A1
D2
e
2X
E2
6
4
A
C
座位
飞机
6X
阻焊DEFINED
安装印迹
2.30
6X
0.35
0.43
4X
1
0.65
沥青
b
6X
0.25
B
2X
6X
J
0.10 C A
0.05 C
底部视图
注3
0.72
1.05
外形尺寸：毫米
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5
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