【NTD2955功率MOSFET-60 V， -12 ， P沟道DPAK这个功率MOSFET被设计成能】,IC型号NTD2955D,NTD2955D PDF资料,NTD2955D经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTD2955

功率MOSFET

-60 V， -12 ， P沟道DPAK

这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。专为低电压，高

电源供应器，转换器和功率调速开关应用

电机控制，这些设备特别适合好桥梁

电路中的二极管速度和换向安全工作区域

关键的，并提供对意外的附加安全余量

电压瞬变。

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

60 V

R

DS （ ON）

典型值

155毫瓦@ -10 V ， 6的

I

D

最大

12 A

较高的雪崩能量

I

DSS

和V

DS （ ON）

指定高温

专为低电压，高速开关应用程序和

承受高能量的雪崩和减刑模式

无铅包可用

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

≤

10毫秒）

漏电流

- 连续@ T

a

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

p

≤

10毫秒）

总功率耗散@ T

a

= 25°C

工作和存储温度

范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25伏，V

GS

= 10伏，峰值

I

L

= 12 APK ， L = 3.0 mH的，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的，在1/8 。从案例

10秒

符号

V

DSS

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

60

±

20

±

25

12

36

55

-55

175

216

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W

°C

mJ

1 2

3

G

P- CHANNEL

D

S

记号

图表

4

漏

DPAK

CASE 369C

方式2

AYW

NT2955

2

1

3

漏

门

来源

4

漏

AYW

NT2955

1 2 3

门漏源

NT2955

A

Y

W

器件代码

=大会地点

=年

=工作周

4

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

2.73

71.4

100

260

° C / W

4

DPAK3

CASE 369D

方式2

1

2

°C

3

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.当表面安装用1片大小的FR4板

（铜面积= 1.127的

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜面积= 0.412的

2

).

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

NTD2955/D

NTD2955

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= -0.25毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0伏，V

DS

= -60伏直流，T

J

= 25°C)

(V

GS

= 0伏，V

DS

= -60伏直流，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

（负温度系数）

静态漏源导通电阻

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -6.0 ADC）

漏极 - 源极导通电压

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -12 ADC）

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -6.0 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 6.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注3和4）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= -48 VDC ，V

GS

= -10伏直流，

I

D

= 12 A)

漏源二极管特性

（注3）

二极管正向导通电压

(I

S

= 12 ADC ，V

GS

= 0 V)

(I

S

= 12 ADC ，V

GS

= 0 V ，T

J

= 150°C)

反向恢复时间

(I

S

= 12二

S

/ DT = 100 A / ，V

GS

= 0 V)

A,

A / MS V

V

SD

t

rr

t

a

t

b

反向恢复电荷存储

3.表示脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结温。

Q

RR

1.6

1.3

50

40

10

0.10

mC

2.5

ns

VDC

(V

DD

= -30伏直流，我

D

= 12 A,

V

GS

= -10 V ，R

G

= 9.1

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

GS

Q

GD

10

45

26

48

15

4.0

7.0

20

85

40

90

30

nC

ns

(V

DS

= -25伏直流，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

500

150

50

750

250

100

pF

V

GS （ TH）

2.0

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1.86

政府飞行服务队

符号

民

典型值

最大

单位

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

10

100

67

VDC

毫伏/°C的

MADC

NADC

VDC

2.8

4.5

0.155

4.0

0.180

VDC

2.6

2.0

姆欧

毫伏/°C的

W

8.0

http://onsemi.com

2

NTD2955

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

25

24

22

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

= 25°C

V

GS

= 10 V

9.5 V

9 V

8 V

7 V

6.5 V

6 V

I

D,

漏电流（ A）

V

DS

≥

10 V

T

J

= 55°C

25°C

125°C

I

D,

漏电流（ A）

20

15

10

5.5 V

5 V

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0

3

6

15

12

9

18

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

21

24

55°C

25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V

0.250

0.225

0.200

0.175

0.150

0.125

0.100

0.075

0.050

0

3

6

12

15

9

18

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

21

24

15

V

GS

= 10 V

T

J

= 25°C

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

25

0

25

50

75

100 125

T

J

，结温（ ° C）

150

175

V

GS

= 10 V

I

D

= 6 A

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

V

GS

= 0 V

100

T

J

= 125°C

10

100°C

1

5

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

60

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

http://onsemi.com

3

NTD2955

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

1200

C，电容（pF ）

1000

800

600

400

200

0

10

C

OSS

C

RSS

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

25

C

国际空间站

C

RSS

15

V

DS

Q

T

V

GS

7.5

5

2.5

0

2

4

6

8

10

12

14

Q

GS

Q

GD

30

20

10

0

16

60

50

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

12.5

10

I

D

= 12 A

T

J

= 25°C

C

国际空间站

Q

T

，总栅极电荷（ NC）

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

15

I

S

，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

1000

V

DD

= 30 V

I

D

= 12 A

V

GS

= 10 V

T

J

= 25°C

t

f

t

r

T， TIME （ NS ）

100

t

D（关闭）

10

t

D（上）

5

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

图10.二极管的正向电压与电流

V

GS

= 15 V

单脉冲

T

C

= 25°C

10

100

ms

1毫秒

1

的di / dt

I

S

10毫秒

dc

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

100

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

0.25 I

S

I

S

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

http://onsemi.com

4

NTD2955

1.0

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.1 0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

1.0E05

1.0E04

1.0E03

1.0E02

T，时间（S ）

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1.0E01

t

1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

1.0E+00

1.0E+01

图13.热响应

http://onsemi.com

5

NTD2955

功率MOSFET

-60 V， -12 ， P沟道DPAK

这个功率MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。专为低电压，高

电源供应器，转换器和功率调速开关应用

电机控制，这些设备特别适合好桥梁

电路中的二极管速度和换向安全工作区域

关键的，并提供对意外的附加安全余量

电压瞬变。

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

60 V

R

DS （ ON）

典型值

155毫瓦@ -10 V ， 6的

I

D

最大

12 A

较高的雪崩能量

I

DSS

和V

DS （ ON）

指定高温

专为低电压，高速开关应用程序和

承受高能量的雪崩和减刑模式

无铅包可用

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

- 连续

- 不重复（T

p

≤

10毫秒）

漏电流

- 连续@ T

a

= 25°C

漏电流

- 单脉冲（T

p

≤

10毫秒）

总功率耗散@ T

a

= 25°C

工作和存储温度

范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

J

= 25°C

(V

DD

= 25伏，V

GS

= 10伏，峰值

I

L

= 12 APK ， L = 3.0 mH的，R

G

= 25

W)

热阻

- 结到外壳

- 结到环境（注1 ）

- 结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的，在1/8 。从案例

10秒

符号

V

DSS

V

GS

V

GSM

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

60

±

20

±

25

12

36

55

-55

175

216

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W

°C

mJ

1 2

3

G

P- CHANNEL

D

S

记号

图表

4

漏

DPAK

CASE 369C

方式2

AYW

NT2955

2

1

3

漏

门

来源

4

漏

AYW

NT2955

1 2 3

门漏源

NT2955

A

Y

W

器件代码

=大会地点

=年

=工作周

4

R

QJC

R

qJA

R

qJA

T

L

2.73

71.4

100

260

° C / W

4

DPAK3

CASE 369D

方式2

1

2

°C

3

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

1.当表面安装用1片大小的FR4板

（铜面积= 1.127的

2

).

2.表面安装用最小的FR4板推荐

焊盘尺寸（铜面积= 0.412的

2

).

订购信息

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1

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

NTD2955/D

NTD2955

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

(V

GS

= 0伏，我

D

= -0.25毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

(V

GS

= 0伏，V

DS

= -60伏直流，T

J

= 25°C)

(V

GS

= 0伏，V

DS

= -60伏直流，T

J

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

GS

=

±

20伏直流电，V

DS

= 0伏）

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

MADC ）

（负温度系数）

静态漏源导通电阻

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -6.0 ADC）

漏极 - 源极导通电压

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -12 ADC）

(V

GS

= -10伏直流，我

D

= -6.0 ADC ，T

J

= 150°C)

正向跨导（V

DS

= 10 VDC ，我

D

= 6.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注3和4）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

(V

DS

= -48 VDC ，V

GS

= -10伏直流，

I

D

= 12 A)

漏源二极管特性

（注3）

二极管正向导通电压

(I

S

= 12 ADC ，V

GS

= 0 V)

(I

S

= 12 ADC ，V

GS

= 0 V ，T

J

= 150°C)

反向恢复时间

(I

S

= 12二

S

/ DT = 100 A / ，V

GS

= 0 V)

A,

A / MS V

V

SD

t

rr

t

a

t

b

反向恢复电荷存储

3.表示脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

4.开关的特点是独立的工作结温。

Q

RR

1.6

1.3

50

40

10

0.10

mC

2.5

ns

VDC

(V

DD

= -30伏直流，我

D

= 12 A,

V

GS

= -10 V ，R

G

= 9.1

W)

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

T

Q

GS

Q

GD

10

45

26

48

15

4.0

7.0

20

85

40

90

30

nC

ns

(V

DS

= -25伏直流，V

GS

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

500

150

50

750

250

100

pF

V

GS （ TH）

2.0

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1.86

政府飞行服务队

符号

民

典型值

最大

单位

V

（ BR ） DSS

60

I

DSS

I

GSS

10

100

67

VDC

毫伏/°C的

MADC

NADC

VDC

2.8

4.5

0.155

4.0

0.180

VDC

2.6

2.0

姆欧

毫伏/°C的

W

8.0

http://onsemi.com

2

NTD2955

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

25

24

22

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

2

3

4

5

6

7

8

9

10

T

J

= 25°C

V

GS

= 10 V

9.5 V

9 V

8 V

7 V

6.5 V

6 V

I

D,

漏电流（ A）

V

DS

≥

10 V

T

J

= 55°C

25°C

125°C

I

D,

漏电流（ A）

20

15

10

5.5 V

5 V

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0

3

6

15

12

9

18

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

21

24

55°C

25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 10 V

0.250

0.225

0.200

0.175

0.150

0.125

0.100

0.075

0.050

0

3

6

12

15

9

18

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

21

24

15

V

GS

= 10 V

T

J

= 25°C

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（标准化）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

50

25

0

25

50

75

100 125

T

J

，结温（ ° C）

150

175

V

GS

= 10 V

I

D

= 6 A

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

V

GS

= 0 V

100

T

J

= 125°C

10

100°C

1

5

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

60

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

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3

NTD2955

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

1200

C，电容（pF ）

1000

800

600

400

200

0

10

C

OSS

C

RSS

5

V

GS

0

V

DS

5

10

15

20

25

C

国际空间站

C

RSS

15

V

DS

Q

T

V

GS

7.5

5

2.5

0

2

4

6

8

10

12

14

Q

GS

Q

GD

30

20

10

0

16

60

50

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

= 0 V

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

12.5

10

I

D

= 12 A

T

J

= 25°C

C

国际空间站

Q

T

，总栅极电荷（ NC）

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

15

I

S

，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

1000

V

DD

= 30 V

I

D

= 12 A

V

GS

= 10 V

T

J

= 25°C

t

f

t

r

T， TIME （ NS ）

100

t

D（关闭）

10

t

D（上）

5

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

图10.二极管的正向电压与电流

V

GS

= 15 V

单脉冲

T

C

= 25°C

10

100

ms

1毫秒

1

的di / dt

I

S

10毫秒

dc

t

rr

t

a

t

b

时间

t

p

100

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

0.25 I

S

I

S

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.二极管的反向恢复波形

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4

NTD2955

1.0

R（T ），规范有效

瞬态热阻

D = 0.5

0.2

0.1

0.1 0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.01

1.0E05

1.0E04

1.0E03

1.0E02

T，时间（S ）

t

2

占空比D = T

1

/t

2

1.0E01

t

1

P

（ PK）

R

QJC

（吨）= R（T ）R

QJC

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间AT＆T

1

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

R

QJC

(t)

1.0E+00

1.0E+01

图13.热响应

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