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NUP8011MU
低电容瞬态
电压抑制器阵列
这种集成的瞬态电压抑制器设备( TVS )是
专为要求瞬态过电压保护的应用程序。它
旨在用于在敏感设备,如计算机,打印机,
商用机器,通信系统,以及其他的应用程序。
它的一体化设计提供了非常有效和可靠的保障
只用一包八条单独线路。这些器件非常适合
对于有些情况下电路板空间非常珍贵。
特点
http://onsemi.com
1
8
低电容
低漏电流< 1
mA
@ 4.3 V
ESD额定值:
IEC61000-4-2 , 8千伏(联系)
机型号= C类, 400 V
人体模型= 3B级, 8千伏
UDFN封装, 1.2× 1.8毫米
湿度敏感度等级1
这是一个Pb - Free设备
好处
2
7
3
6
4
5
( TOP VIEW )
8
1
UDFN8
CASE 517AD
P3M
G
1
为保护ESD行业标准: IEC 61000 , HBM
保护线路免受瞬态电压条件
最大限度地减少了系统功耗
尽量减少PCB板的面积
记号
应用
ESD保护数据线
无线电话
手持式产品
笔记本电脑
LCD显示器
P3
=具体设备守则
M
=月守则
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚连接
1
4
8
5
订购信息
设备
NUP8011MUTAG
UDFN8
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年9月 - 修订版0
出版订单号:
NUP8011MU/D
NUP8011MU
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
稳态功率 - 1二极管(注1 )
热阻,结到环境
高于25 ℃,降额
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
无铅焊锡温度(10秒持续时间)
符号
P
D
R
qJA
T
JMAX
T
OP
T
英镑
T
L
价值
380
327
3.05
150
-40至+85
-55到+150
260
单位
mW
° C / W
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
A
= 25°C)
击穿电压
V
BR
@ 1 MA(伏特)
6.47
6.8
最大
7.14
漏电流
I
RM
@ V
RM
V
RWM
4.3
I
RWM
(MA )
1.0
典型电容
@ 0 V BIAS (PF )
(注2 )
典型值
12
最大
14
典型电容
@ 3 V BIAS (PF )
(注2 )
典型值
6.7
最大
9.5
设备
NUP8011MUTAG
设备
记号
P3
在电源1.只有1二极管。对于在电力, P均4二极管
D
将是25%。安装在FR- 4板分板。
2.电容在f一个二极管= 1兆赫,V的
R
= 0 V ,T
A
= 25°C
http://onsemi.com
2
NUP8011MU
典型电气特性
5.0
典型电容(pF )
1 MHz频率
I
R
,反向漏( NA)
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
6
T,温度( ° C)
偏置电压( V)
T
A
= 25°C
4.0
3.0
2.0
1.0
0
-100
图1.反向漏抗
温度
图2.电容
1
I
F
,正向电流( A)
0.1
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
F
,正向电压( V)
图3.正向电压
http://onsemi.com
3
NUP8011MU
包装尺寸
UDFN8 , 1.8x1.2 , 0.4P
CASE 517AD -01
发行
D
2X
A
B
A3
2X
0.15 C
0.10 C
8X
0.08 C
8X
L
8X
K
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
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电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
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电子邮件: orderlit@onsemi.com
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美国/加拿大
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安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
D2
1
8
销1
参考
E
A1
顶视图
(A3)
A
细节A
SIDE VIEW
A1
C
座位
飞机
6X
e
4
E2
5
8X
b
底部视图
0.10 C A B
0.05 C
注3
http://onsemi.com
4
细节A
0.15 C
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸b适用于镀终端
与被测量0.15
0.20毫米航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
MILLIMETERS
喃最大
0.45
0.50
0.55
0.00
0.03
0.05
0.127 REF
0.15
0.20
0.25
1.80 BSC
0.90
1.00
1.10
1.20 BSC
0.20
0.30
0.40
0.40 BSC
0.20
---
---
0.20
0.25
0.30
NUP8011MU/D
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    NUP8011MU
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