NTTS2P02R2
功率MOSFET
-2.4安培，伏特-20
单P沟道Micro8t
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型微动-8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
无铅包装是否可用
2.4
安培
20
伏
R
DS （ ON）
= 90毫瓦
单P沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话，和PCMCIA卡
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注3 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，
峰值I
L
=
5.0
APK ， L = 28毫亨，
R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
EAS
价值
20
±8.0
160
0.78
2.4
1.92
20
88
1.42
3.25
2.6
30
55
to
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
标记图&
引脚分配
D D D D
8
WW
ADG
G
1
S S S摹
AD
WW
G
=具体设备守则
=工作周
= Pb-Free包装
8
1
Micro8
CASE 846A
风格1
（注：微球可在任一位置）
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTTS2P02R2
NTTS2P02R2G
包
Micro8
Micro8
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1平方， 2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启5
1
出版订单号：
NTTS2P02R2/D
NTTS2P02R2
功率MOSFET
-2.4安培，伏特-20
单P沟道Micro8t
特点
超低的RDS（on ）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
小型微动-8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
http://onsemi.com
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
蜂窝和无绳电话和PCMCIA卡
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 70℃
漏电流脉冲（注3 ）
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ TA = 25°C
连续漏电流@ TA = 70℃
漏电流脉冲（注3 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = -20伏直流， VGS = -4.5伏，
峰值IL = -5.0 APK， L = 28毫亨，
RG = 25
)
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
VDSS
VGS
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
TJ ， TSTG
EAS
价值
–20
±8.0
160
0.78
–2.4
–1.92
–20
88
1.42
–3.25
–2.6
–30
-55
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
8
-2.4安培
-20伏
RDS （ ON）= 90毫瓦
单P沟道
D
G
S
记号
图
1
Micro8
CASE 846A
风格1
YWW
AD
Y
WW
AD
TL
260
°C
来源
来源
来源
门
=年
=工作周
=器件代码
引脚分配
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，稳态。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
顶视图
订购信息
设备
NTTS2P02R2
包
Micro8
航运
4000 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年12月 - 第4版
出版订单号：
NTTS2P02R2/D
NTTS2P02R2
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明） *
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = -250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VGS = 0伏， VDS = -16伏直流， TJ = 25 ° C）
（ VGS = 0伏， VDS = -16伏直流， TJ = 125°C ）
零栅极电压漏极电流
（ VGS = 0伏， VDS = -20伏直流， TJ = 25 ° C）
门体漏电流
（ VGS = -8伏， VDS = 0伏）
门体漏电流
（ VGS = 8伏， VDS = 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = -250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = -4.5伏， ID = -2.4 ADC ）
（ VGS = -2.7伏， ID = -1.2 ADC ）
（ VGS = -2.5伏， ID = -1.2 ADC ）
正向跨导（ VDS = -10伏直流， ID = -1.2 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注4 & 5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注4 ）
二极管正向导通电压
反向恢复时间
（ IS = -2.4 ADC ， VGS = 0伏，
2 4广告
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
4.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
s
最大值，占空比= 2 ％ 。
5.开关特性是独立的工作结温。
*处理措施以防止静电放电是强制性的。
（ IS = -2.4 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = -2.4 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
–0.88
–0.75
37
16
21
0.025
–1.0
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDS = -16伏直流，
VGS = -4.5伏，
ID = -2.4 ADC ）
2 4 AD）
（ VDD = -10伏直流， ID = -1.2 ADC ，
10
1.2
VGS = -2.7伏， RG = 6.0
)
（ VDD = -10伏直流， ID = -2.4 ADC ，
10
2.4
VGS = -4.5伏， RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qtot
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
10
31
33
29
15
40
35
35
10
1.5
5.0
–
–
–
–
–
–
–
–
18
–
–
nC
ns
ns
（ VDS = -16 Vd的VGS = 0 Vd的
16伏直流电，
VDC ，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
550
200
100
–
–
–
pF
VGS （ TH）
–0.5
–
RDS （ ON）
–
–
–
政府飞行服务队
2.0
0.070
0.100
0.110
4.2
0.090
0.130
–
–
姆欧
–0.90
2.5
–1.4
–
VDC
毫伏/°C的
V（ BR ） DSS
–20
–
IDSS
–
–
IDSS
–
IGSS
–
IGSS
–
–
100
–
–100
NADC
–
–5.0
NADC
–
–
–1.0
–25
μAdc
–
–12.7
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
