NUP4114HMR6
瞬态电压
抑制器
低电容ESD保护
高速数据线路
该NUP4114HMR6瞬态电压抑制器的设计
防止ESD高速数据线。超低电容和
ESD保护的高电平使该器件非常适合于使用在
HDMI和DVI的应用程序。
特点
http://onsemi.com
记号
图
6
1
TSOP6
CASE 318G
12风格
P4H MG
G
1
低电容（ 0.8 pF的典型之间的I / O线）
低钳位电压
低漏
关断电压： 5 V
保护以下IEC标准：
IEC 61000-4-2第4级ESD保护
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
典型应用
P4H =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚配置
和原理图
I / O 1
V
N
2
I / O 3
6 I / O
5 V
P
4 I / O
高速通信线路保护
数字视频接口（ DVI ）和HDMI
显示器和佛罗里达州的显示器
千兆以太网
笔记本电脑
USB 2.0高速数据线路和电源线路保护
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
IEC 61000-4-2接触（ ESD ）
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
40
+125
55
+150
260
16000
400
13000
单位
°C
°C
°C
V
订购信息
设备
包
航运
NUP4114HMR6T1G TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
参见应用笔记AND8308 / D为进一步说明
生存性规范。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年5月
第4版
1
出版订单号：
NUP4114HMR6/D
NUP4114HMR6
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1.0兆赫
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
单向TVS
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
结电容
钳位电压
钳位电压
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
C
J
C
J
V
C
V
C
（注1 ）
I
T
= 1毫安， （注2）
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 5 A（注3 ）
I
PP
= 8 A（注3 ）
8x20
ms
波形（注3 ）
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚之间兆赫
@ I
PP
= 1 （注4 ）
符合IEC 61000-4-2 （注5 ）
图1和图2
0.8
6.0
7.5
1.0
9.0
10
12
1.0
0.5
12.1
条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
V
A
pF
pF
V
V
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
2. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
3.非重复性电流脉冲（引脚5到引脚2 ）
按照图5 4.浪涌电流波形。
5.典型波形。对于测试过程参见图3和4及应用说明AND8307 / D转换。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
http://onsemi.com
2
NUP4114HMR6
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
3
NUP4114HMR6
瞬态电压
抑制器
低电容ESD保护
高速数据线路
该NUP4114HMR6瞬态电压抑制器的设计
防止ESD高速数据线。超低电容和
ESD保护的高电平使该器件非常适合于使用在
HDMI和DVI的应用程序。
特点
http://onsemi.com
记号
图
6
1
TSOP6
CASE 318G
12风格
P4H MG
G
1
低电容（ 0.8 pF的典型之间的I / O线）
低钳位电压
低漏
关断电压： 5 V
保护以下IEC标准：
IEC 61000-4-2第4级ESD保护
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
典型应用
P4H =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚配置
和原理图
I / O 1
V
N
2
I / O 3
6 I / O
5 V
P
4 I / O
高速通信线路保护
数字视频接口（ DVI ）和HDMI
显示器和佛罗里达州的显示器
千兆以太网
笔记本电脑
USB 2.0高速数据线路和电源线路保护
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大（ 10秒）
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
IEC 61000-4-2接触（ ESD ）
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
40
+125
55
+150
260
16000
400
13000
单位
°C
°C
°C
V
订购信息
设备
包
航运
NUP4114HMR6T1G TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
参见应用笔记AND8308 / D为进一步说明
生存性规范。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年1月
第3版
1
出版订单号：
NUP4114HMR6/D
NUP4114HMR6
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1.0兆赫
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
单向TVS
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
结电容
钳位电压
钳位电压
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
C
J
C
J
V
C
V
C
（注1 ）
I
T
= 1毫安， （注2）
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 5 A（注3 ）
I
PP
= 8 A（注3 ）
8x20
ms
波形
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V ， F = 1 I / O引脚之间兆赫
@ I
PP
= 1 （注4 ）
符合IEC 61000-4-2 （注5 ）
图1和图2
0.8
6.0
7.5
1.0
9.0
10
12
1.0
0.5
12.1
条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
V
A
pF
pF
V
V
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
2. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
3.非重复性电流脉冲（引脚5到引脚2 ）
按照图5 4.浪涌电流波形。
5.典型波形。对于测试过程参见图3和4及应用说明AND8307 / D转换。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
http://onsemi.com
2
NUP4114HMR6
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
（千伏）
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒（一）
4
8
12
16
电流
60纳秒（一）
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的，以限制
电压，一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
％的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统，它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图，其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释，请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度（T
P
）是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨，时间（ ms）的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
http://onsemi.com
3
QQ：2880707522 复制
