NBLVEP16VR
2.5V / 3.3V / 5V ECL
差分接收器/驱动器
与振荡器增益级
并启用高增益
输出
该NBLVEP16VR是与ECL / LVPECL振荡器增益级
高增益输出缓冲器，可选择的输出使能和一个反馈
缓冲区。该NBLVEP16VR为晶体振荡器的溶液和
基于SAW的电压控制振荡器。
Q和Q输出具有可选择4毫安或8毫安，自偏置电流
来源
QHG和QHG有一个可选10毫安，自偏置电流源
同步输出的高增益输出与启用
可选择禁用状态
可选的LVCMOS / LVTTL或LVPECL级别的输出输入
使能引脚
最大频率> 2.5 GHz的典型
（ LV ） PECL模式经营范围： V
CC
= 2.375 V至5.5 V带
V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围： V
CC
= 0 V带
V
EE
= -2.375 V至-5.5 V
温度补偿输入和输出
优良的时钟输入灵敏度
V
BB
输出支持有源/无源电流能力可达一
强大的1.5毫安
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标记图
底部视图
QFN16
MN后缀
CASE 485G
XXXX
A
L
Y
W
XXXX
XXXX
ALYW
=器件代码
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
订购信息
设备
NBLVEP16VRMN
NBLVEP16VRMNR2
包
QFN16
QFN16
航运
123 /铁
3000 /磁带&
REEL
请参阅
注： 1 。
NBWLVEP16VR
晶圆
1.请联系销售代表。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
4毫安EA 。 （ OPT ）宣传册， BRD8011 / D 。
4毫安EA 。
CS_SEL
V
EE
Q
Q
D
D
470
W
V
BB
V
BB_ADJ
OD_MODE
LEN Q
LATCH
D
470
W
0
V
BB
Q
Q
1
QHG
QHG
10毫安EA 。 （ OPT ）。
V
EEP
EN
LVCMOS / LVTTL
门槛
EN_SEL
图1.逻辑图
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
NBLVEP16VR/D
NBLVEP16VR
裸露焊盘
（EP）的
Q
16
1
2
NBLVEP16VR
D
V
BB
3
4
5
EN
6
7
8
10
9
QHG
EN_SEL
Q
15
NC
14
V
CC
13
NC
OD_MODE
D
12
11
CS_SEL
QHG
D
V
BB
V
BB
OD_MODE
D
NBLVEP16VR
CS_SEL
模具： 1.16倍1.19毫米
(x)
(y)
焊盘： 84
mm
直径
QHG
QHG
EN_SEL
V
EEP
V
CC
NC
Q
Q V
CC
EN V
BB_ADJ
V
EE
V
EE
V
BB_ADJ
V
EE
V
EEP
图4.模具地图
图3.引脚排列图
（ TOP VIEW ）
表4.引脚说明
针无
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
OD- MODE *
D
D
V
BB
EN *
V
BB_ADJ
V
EE
V
EEP
EN_SEL
QHG
QHG
CS_SEL
V
CC
NC
Q
Q
EP
正电源。
无连接
ECL / LVPECL输出
ECL / LVPECL输出
电源供应器（ OPT ）
LVCMOS / LVTTL输入（见表3 ）
ECL / LVPECL输出
ECL / LVPECL输出
负电源
I / O
LVCMOS / LVTTL输入（见表3 ）
ECL / LVPECL输入
ECL / LVPECL输入
参考电压输出
ECL / LVPECL或LVCMOS / LVTTL输入
（见表3）
描述
输出禁用级别可选模式
时钟/数据输入
反转时钟/数据输入
参考电压输出
输出使能同步与D和D
调整标准V
BB
水平往上当连接到V
CC
为
2.5 V电源。打开3.3 V和5 V电源。
负电源
打开或连接到V
EE
（见表1 ）可选10毫安电流
来源QHG和QHG
输入LVEL选择引脚为EN
倒高增益输出，增益> 200
高增益输出，增益> 200
选择Q和Q电流源幅度（见表1） ，
打开或连接到V
EE
或V
CC
正电源。
无连接
ECL / LVPECL输出的反馈回路
倒ECL / LVPECL输出的反馈回路
在包装袋底部裸露焊盘只应CON-
连接至V
EE
或悬空
*当悬空引脚默认为低电平。
时处于打开状态引脚将默认为高电平。
3
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NBLVEP16VR
应用信息
该NBLVEP16VR是ECL / LVPECL振荡器增益
高增益输出缓冲器阶段，可选的输出
启用和一个反馈缓冲器。该NBLVEP16VR是
对晶体振荡器和溶液的基于SAW的
压控振荡器。设计的通用性
加强与EN ，同步输出使能引脚
消除欠幅脉冲; EN_SEL ，输入状态选择器引脚
提供LVCMOS / LVTTL或ECL / LVPECL电平控制
恩;和OD_MODE ，输出禁止模式状态引脚
它选用高增益输出的残疾人的极性
状态。
该NBLVEP16VR Q及输出是理想的
多见于晶体振荡器增益反馈应用
块。他们每个人都有一个可选的上拉下来
电流源。外部电阻器可用于增加
下拉电流的最大值为25毫安。该QHG和
QHG输出都具有一个可选的上拉下来
10 mA电流源。当V
EEP
处于打开状态时， 10毫安
输出电流源都被禁止和QHG和QHG
输出工作作为标准ECL / LVPECL 。当V
EEP
is
连接到V
EE
时，10毫安的电流源被激活。
该QHG和QHG下拉电流可下降
用一个电阻从V连接
EEP
到V
EE
。查看当前
来源真值表的功能和选项。
输出使能输入引脚，EN与同步
在配料毛刺的方法D和D数据输入信号
的QHG和QHG输出和门控可连续
振荡器工作。对于需要输出的应用
使能控制，该NBLVEP16VR提供了扩展
输出使能可选择性。输入状态的逻辑电平
选择引脚， EN_SEL ，将决定是否EN引脚
接受ECL / LVPECL或LVCMOS / LVTTL逻辑电平。
输出禁止模式状态引脚， OD_MODE ，增加了
通过给设计者的一个选择的功能灵活性
QHG输出的正负极，当这些高增益输出
禁用。例如，用OD_MODE LOW和
EN低（ LVPECL ） ，输入被传递到输出端，并
的数据输出等于输入的数据。如果D输入为低
当EN变为高电平，在下一个数据转换到一个高
被忽略， QHG仍较低， QHG仍
HIGH 。输入的数据的下一个正跳变不
通过对这些条件下的QHG输出。该
QHG和QHG输出保持在其禁用状态，只要
为EN输入保持高电平。 EN输入没有影响
在Q或Q输出和输入的数据被传递到
这些产出是否EN为高电平或低电平。当数据
输入为高电平， EN为高电平时，它会强制QHG低
和QHG高对D的下一个负转变
输入。该配置是理想的晶体振荡器
应用中，振荡器可以是自由运行和
QHG / QHG门开和关同步地不添加
额外计数到输出端。见真值表和时序图
详细的使能功能和选项。
该NBLVEP16VR提供了一个V
BB
和内部470
W
偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
为交流耦合
单端或差分输入信号（多个） 。在V
BB_ADJ
引脚用于2.5 V单端操作时，它是
连接到V
CC
。在V
BB
输出电流源/汇
能力可以支持一个健壮1.5毫安。
对于单端输入的条件下，未使用的差分
输入在内部连接到V
BB
作为切换基准
电压。去耦V
BB
和V
CC
用0.01
mF
电容。
这种内部V
BB
将rebias AC耦合输入（S ） 。输入端D
或D必须是信号驱动或自动振动可能导致。
D
D
（ PECL ）
EN_SEL HIGH （ OPEN ）
EN
EN_SEL低
（ CMOS ） （短路到V
EE
)
OD_MODE
Q
Q
QHG
QHG
图5.时序图
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NBLVEP16VR
ATTRIBUTES
特征
ESD保护
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 150 V
＆ GT ; 1千伏
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
BB
I
IN
I
OUT
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
LVPECL模式电源
NECL模式电源
LVPECL模输入电压
NECL模输入电压
V
BB
灌/拉电流
输入电流（V
IN
V
BB
)
B
470
W
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
0 LFPM
500 LFPM
标准局
D, D
连续
浪涌
参数
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
等级
6
6
6
6
$1.5
$5
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件以外的
表示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作不暗示。实用
操作应仅限于推荐工作条件。
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5
QQ：2880707522 复制
