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集成解决方案的USB线路保护与终止

安森美半导体提供了一系列的USB线路保护和终端整体解决方案。

集成IC解决方案结合了二极管，电阻和电容元件整合至单一封装，

提供：

参数稳定性

降低寄生电感

元件数量减少

相关应用笔记

（来自www.onsemi.com下载）

ESD保护的双USB 2.0端口使用低电容TVS二极管阵列， NUP4201DR2设备 - 下载AND8082 / D

传导EMI

过滤， USB上行线路终端和ESD保护利用STF202设备 - 下载AND8074 / D

微整合

为保护高速I / O数据线的技术解决方案 - 下载AND8104 / D

设计

注意事项ESD / EMI滤波器：（几乎所有你想知道的EMI滤波器和怯于

ASK） - 降负荷AND8200 / D

求解

EMI和ESD问题与集成无源器件低通滤波器丕 - 下载AND8026 / D

改进

板

空间减少

简化供应链

更低系统成本的

数据传输速度

PORT

串行端口

标准的并行端口

USB 1.1

低速

高速

USB 2.0

低速

全速

高速

1.5 Mbit / s的

12 Mbit / s的

480 Mbit / s的

1.5 Mbit / s的

12 Mbit / s的

速度

0.115 Mbit / s的

0.92 Mbit / s的

USB端口

典型的USB线路保护中的应用

上游

USB端口

公共汽车

D+

D–

GND

公共汽车

USB

调节器

公共汽车

D+

D–

GND

公共汽车

NUP2201/2202

单USB端口

保护

NUP4201/4202

双USB端口

保护

公共汽车

D+

D–

GND

下游

USB端口

下游

USB端口

第2页

USB解决方案

USB线路保护装置

综合保护装置的USB安森美半导体可以取代多达9个分立器件，减小了电路板

空间和简化电路板布局。我们的产品包括低速，全速和高速USB解决方案。我们所有的设备

是IEC61000-4-2标准。

1号线（1/2端口）

2线（ 1口）

4线（ 2端口）

低&完整

速度

I / O线

VBUS

SOT-23

SL05T1G

LC03–6R2

SO-8

SRDA05–4R2

SOT-723

ESD7A5.0DT5G*

SOD-923

ESD9A5.0ST5G

低速，全速&

高速

I / O线

VBUS

—

TSOP-6

SO-8

NUP2201MR6T1G

NUP2202W1T2G

SC-88

NUP4201DR2

NUP4201MR6T1G

NUP4202W1T2G

TSOP-6

SC-88

低速，全速&

高速

I / O线

—

SOT-563

NUP4060AXV6T1G

NUP8010MNT1G

DFN-8

低速，全速&

高速

I / O线

SOT-23

NUP1301ML3T1G

NUP2301MW6T1G

SC-88

NUP4301MR6T1G

NUP4304MR6T1G

TSOP-6

=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。

* =即将推出。

第3页

USB解决方案

USB设备过滤器

综合保护和终止设备的USB安森美半导体可以取代多达11台设备

结合TVS二极管，电阻和电容元件。它们适用于低收入和全速USB

的解决方案。我们所有的设备都符合IEC61000-4-2第4级标准。

上游Filters

OTG （在- The-Go的）

1.3 K

上游/下游的过滤器

RPU

GND

33 R

（ GND引脚）

GND

33 R

TSOP-6

STF202-22T1G

NUF2221W1T2G

NUF2015W1T2G

倒装芯片

SC-88

SOT-363

SC-88

SOT-363

NUF2222FCT1G

SOT-563

NUF2030XV6T1G

30 pF的（典型值） @ 2.5 V

NUF2030XV6T1G

30 pF的（典型值） @ 2.5 V

NUF2042XV6T1G

42 pF的（典型值） @ 2.5 V

NUF2042XV6T1G

42 pF的（典型值） @ 2.5 V

SC-88

SOT-363

SC-88

=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。

SOT-363

=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。

NUF2240W1T1G

17 pF的（典型值） @ 2.5 V

NUF2240W1T1G

17 pF的（典型值） @ 2.5 V

下游过滤器

D+

GND

D-

下游过滤器

15 k

D+

公共汽车

D-

安森美半导体的集成解决方案

由于提供有改进的插入损耗

较低的寄生效应相比分立式

该解决方案使用多个包。

-10

-20

增益（dB ）

-30

-40

-50

-60

-70

1.E+05

1.E+06

1.E+07

1.E+08

频率（Hz）

1.E+09

1.E+10

多种

分立器件

安森美半导体

集成芯片

解决方案

TSOP-6

NUF2101MT1G

55 pF的（典型值） @ 0 V

NUF2101MT1G

55 pF的（典型值） @ 0 V

=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。

TSOP-6

=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。

第4页

NLAS7222A双路SPDT开关

<7 pF的开开关电容

NLAS7222A双路SPDT

WQFN -10封装

USB

收发器

选择

控制

ESD / EMI

滤波器

连接器

1.4 mm

UART

选择

控制

1.8 mm

主要性能特点

通过USB 2.0高速信号

6.5

典型导通电阻@ 3.0 V

500 MHz带宽

低串扰： -45分贝@ 250兆赫

最小包装的行业

最大

(W)

4.5

TYP

（PF ）

6.5

0.75 mm

0.55 mm

WQFN-10

uQFN-10*

设备

NLAS7222A

NLAS4717EP

*即将推出

CON组fi guration

双路SPDT

包

WQFN -10， UDFN -10 *

倒装芯片10

安森美半导体

第5页

NUP1301ML3T1

低电容二极管

阵列的ESD保护

单根数据线

NUP1301ML3T1是一个微整合设备设计

从可能产生的有害敏感元件提供保护

电气瞬态;例如， ESD（静电放电）。

特点

http://onsemi.com

低电容（ 0.9 pF最大）

单封装集成设计

提供ESD保护JEDEC JESD22标准

机型号= C类

人体模型= 3B类

保护IEC61000-4-2 （ 4级）

8.0千伏（联系）

15千伏（空气）

确保数据的线速度和完整性

更少的元件和电路板空间更少

直接瞬态无论是正面还是侧面向地面

无铅包装是否可用

T1 / E1二级保护IC

T3 / E3二级保护IC

HDSL ， IDSL二级保护IC

视频线路保护

微控制器输入保护

基站

C总线保护

阳极

阴极

阴/阳极

SOT23

CASE 318

风格11

应用

标记图

53 M

53 =器件代码

M =日期代码

最大额定值

（每个二极管）（T

= 25 ° C除非另有说明）

等级

反向电压

正向电流

峰值正向浪涌电流

反向重复峰值电压

平均整流器前向编

电流（注1 ）

（平均超过任何20 ms周期）

重复峰值正向电流

非重复性峰值正向电流

t = 1.0

T = 1.0毫秒

T = 1.0秒

符号

FM （浪涌）

RRM

F（ AV ）

价值

215

500

715

单位

VDC

MADC

订购信息

设备

NUP1301ML3T1

NUP1301ML3T1G

包

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

SOT- 23 3000 /磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

FRM

FSM

450

2.0

1.0

0.5

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年1月 - 第4版

出版订单号：

NUP1301ML3T1/D

NUP1301ML3T1

热特性

特征

热阻结到环境

无铅焊锡温度

最大10秒的持续时间

结温

储存温度

符号

qJA

英镑

最大

625

260

-65到150

-65到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）（每个二极管）

特征

开关特性

反向击穿电压（I

（ BR ）

= 100

毫安）

反向电压漏电流

= 70 V直流）

= 25伏直流，T

= 150°C)

= 70伏直流，T

= 150°C)

（ BR ）

2.5

0.9

715

855

1000

1250

VDC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

二极管电容（输入/输出和地之间）

= 0中，f = 1.0 MHz）的

正向电压

= 1.0 MADC ）

= 10 MADC ）

= 50 MADC ）

= 150 MADC ）

2， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

3.氧化铝= 0.4

0.3

0.024中，99.5％的氧化铝。

http://onsemi.com

NUP1301ML3T1

ESD输入信号

图1. ESD测试电路

应用说明

静电放电

保护高速数据线的常用手段是

采用低电容二极管阵列在一个轨到轨

配置。每行两个设备之间的连接

两个固定参考电压，如V

和地面。当

瞬态电压超过正向电压（V

）降

二极管加的基准电压时，二极管指示

浪涌的电源轨或地。这种方法有几个

优点包括低负载电容，响应速度快

时间，和固有的双向性（基准内

电压）。参见图1所示的测试电路中使用，以验证

ESD额定值为这个设备。

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NUP1301ML3T1

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-08

ISSUE AK

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新

标准318-08 。

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0350

0.0440

0.0150

0.0200

0.0701

0.0807

0.0005

0.0040

0.0034

0.0070

0.0140

0.0285

0.0350

0.0401

0.0830

0.1039

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013

0.100

0.085

0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

B·S

暗淡

风格11 ：

PIN 1.阳极

2.阴极

3.阴极 - 阳极

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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安森美半导体

和

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