【初步数据表NP90N03VLGMOS场效应描述R07DS0129EJ0100Rev.1.002010】,IC型号NP90N03VLG,NP90N03VLG PDF资料,NP90N03VLG经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

NP90N03VLG

MOS场效应

描述

R07DS0129EJ0100

Rev.1.00

2010年9月24日

该NP90N03VLG是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

特点

低通态电阻

DS(on)1

= 3.2 mΩ以下。（V

= 10 V，I

= 45 A)

DS(on)2

= 8.0 mΩ以下。（V

= 4.5 V，I

= 35 A)

低输入电容

西塞= 5000 pF的典型。（V

= 25 V, V

= 0 V)

专为汽车应用和AEC- Q101标准

订购信息

产品型号

NP90N03VLG-E1-AY

NP90N03VLG-E2-AY

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带2500 P /卷

包

TO- 252 ，大坪（ E1型）

TO- 252 ，大坪（ E2型）

注意：

1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。

绝对最大额定值（T

= 25°C)

项

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

= 25°C)

漏电流（脉冲）

总功率耗散（T

= 25°C)

总功率耗散（T

= 25°C)

通道温度

储存温度

重复性雪崩电流

重复性雪崩能量

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

评级

±20

±90

±360

105

1.2

175

+175

168

单位

°C

注意事项：

1. T

= 25 ° C， PW

≤

S，占空比

≤

2. T

通道（峰值）

≤

150℃ ，R

= 25

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

TH（ CH-C ）

第（章-a）的

1.43

125

° C / W

R07DS0129EJ0100 Rev.1.00

2010年9月24日

第1页6

NP90N03VLG

章标题

电气特性（T

= 25°C)

项

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

漏极至源极导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意：

1.脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

= 20

→

0 V

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

| y

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

民

典型值

1.4

1.8

2.5

3.8

5000

600

420

0.9

最大

±10

2.5

3.2

8.0

7500

900

760

146

135

1.5

单位

mΩ

测试条件

= 30 V, V

= 0 V

±20

V, V

= 0 V

= V

, I

= 250

= 5 V，I

= 45 A

= 10 V，I

= 45 A

= 4.5 V，I

= 35 A

= 25 V,

= 0 V,

F = 1 MHz的

= 15 V，I

= 45 A,

= 10 V,

= 0

= 24 V,

= 10 V,

= 90 A

= 90 A，V

= 0 V

= 90 A，V

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

测试电路2开关时间

D.U.T.

PG 。

90%

10%

电波表

10%

90%

DSS

电波表

D（上）

= 1

占空比

≤

D（关闭）

关闭

起始物为

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

R07DS0129EJ0100 Rev.1.00

2010年9月24日

第2 6

NP90N03VLG

章标题

典型特征（T

= 25°C)

正向偏置安全的降额因子

工作区

总功耗对比

外壳温度

120

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

- 总功耗 - W

100

125

150

175

100

125

150

175

- 外壳温度 -

°C

正向偏置安全工作区

- 外壳温度 -

°C

1000

IT ê

林V）

)

D（ DC）的

D（ PUL SE ）

- 漏电流 - 一个

100

我是SS

= 25

单脉冲

M传

IT ê

0 M传

0.1

100

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

吨H（ CH- A）

= 125

C / W

100

吨H（ CH- C）

= 1.43

C / W

0.1

单脉冲

0.01

100

10 m

100 m

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R07DS0129EJ0100 Rev.1.00

2010年9月24日

第3页6

NP90N03VLG

漏电流与

漏源极电压

章标题

正向传递特性

400

脉冲

= 10 V

- 漏电流 - 一个

1000

100

0.1

0.01

0.001

- 漏电流 - 一个

300

200

4.5 V

= -55°C

-25°C

25°C

75°C

125°C

150°C

175°C

100

= 10 V

脉冲

0.5

1.5

0.0001

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

门源阈值电压

与通道温度

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

| - 正向转移导纳 - S

远期转移导纳主场迎战漏

当前

= V

100

= -55°C

-25°C

25°C

= 10毫安

1毫安

75°C

125°C

150°C

175°C

250

-75

0.1

= 5 V

脉冲

100

-25

125

175

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

漏电流

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

脉冲

- 栅极至源极电压 - V

= 4.5

10 V

= 45 A

脉冲

100

1000

- 漏电流 - 一个

R07DS0129EJ0100 Rev.1.00

2010年9月24日

第4 6

NP90N03VLG

漏极至源极导通电阻与

通道温度

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

章标题

电容与漏源极电压

= 4.5 V

10 V

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

= 45 A

脉冲

100000

= 0 V

F = 1 MHz的

10000

国际空间站

1000

OSS

RSS

-75

-25

125

175

100

0.01

0.1

100

- 通道温度 -

°C

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

动态输入/输出特性

1000

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

- 漏极至源极电压 - V

100

D（关闭）

= 24 V

15 V

= 90 A

100

D（上）

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极电荷 - 数控

反向恢复时间对比

漏电流

源极到漏极二极管的正向电压

1000

100

0.1

0.01

0.001

0.0

脉冲

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

- 反向恢复时间 - NS

- 二极管正向电流 - 一个

100

= 10 V

0.1

的di / dt = 100 A /

= 0 V

100

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 漏电流 - 一个

R07DS0129EJ0100 Rev.1.00

2010年9月24日

分页： 5 6

- 栅极至源极电压 - V

= 15 V

= 10 V

= 0

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