NUF8410MN
低电容8号线EMI
带ESD保护过滤器
该装置是一个8行的EMI滤波器阵列，用于无线应用。
从频率得到大于-20 dB的衰减
800兆赫至3.0千兆赫。它还提供ESD保护钳位瞬变
静电放电。 ESD保护是所有电容器提供。
特点
http://onsemi.com
1
Cd
2
Cd
3
Cd
4
Cd
5
Cd
12
Cd
6
Cd
7
Cd
8
Cd
Cd
Cd
9
Cd
10
Cd
11
Cd
13
Cd
14
Cd
15
16
EMI滤波和ESD保护
40个分立元件集成
符合IEC61000-4-2 （4级）
> 8千伏（接触）
DFN封装， 1.6× 4.0毫米
湿度敏感度等级1
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
这是一个Pb - Free设备*
好处
降低EMI / RFI Emmisions上数据线
集成解决方案提供成本和节省空间
降低寄生电感它们提供一个更“理想”低通
滤波器响应
综合解决方案提高系统可靠性
应用
EMI滤波和ESD保护数据线
无线电话
手持式产品
笔记本电脑
LCD显示器
1
2
3
4
5
6
7
8
1
GND
840
A
Y
W
G
16
（ TOP VIEW ）
记号
图
1
DFN
CASE 506AC
840
AYW
G
16
15
14
13 12
11
（底视图）
10
9
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
图1.引脚连接
订购信息
设备
NUF8410MNT4G
包
DFN16
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年8月 - 修订版0
出版订单号：
NUF8410MN/D
NUF8410MN
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
接触放电
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
T
OP
T
英镑
T
L
符号
V
PP
8.0
-40到85
-55到150
260
°C
°C
°C
价值
单位
kV
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
电容（注1及2 ）
截止频率（注3 ）
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
Cd
f
3dB
上面的这个频率，
明显的衰减发生
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 20毫安
85
100
8.5
250
6.0
7.0
测试条件
民
典型值
最大
5.0
8.0
100
115
11
单位
V
V
nA
W
pF
兆赫
1，测量温度为25 ° C，V
R
= 2.5 V ， F = 1.0兆赫。
2.总线电容是2倍的二极管电容（镉） 。
3. 50
W
源和50
W
负载端接。
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2
NUF8410MN
包装尺寸
DFN16
CASE 506AC -01
问题B
D
A
B
销1
参考
2X
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于终端和
测量之间的0.25和0.30的MM
航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
E
0.15 C
2X
顶视图
0.15 C
(A3)
A
0.08 C
SIDE VIEW
A1
D2
(A3)
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
0.10 C
16X
座位
飞机
C
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.18
0.30
4.00 BSC
3.10
3.30
1.60 BSC
0.30
0.50
0.50 BSC
0.20
0.20
0.40
16X
L
1
e
8
2X
0.25× 0.40毫米
测试焊盘尺寸
焊接足迹*
4.10
14X
E2
K
16
9
16X
b
注3
0.50 PITCH
16X
0.10 C A B
0.05 C
0.50
1.91
底部视图
16X
0.28
16X
0.51
尺度16：1的
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
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有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
NUF8410MN/D
NUF8410MN
8通道EMI滤波器
集成ESD保护
该NUF8410MN是一款8通道（C -R -C ）丕式EMI滤波器
阵列集成的ESD保护。其典型的组件值
R = 100
W
和C = 8.5 pF的提供250 MHz的截止频率和
阻带衰减大于
20
分贝从800兆赫到3.0千兆赫。
这种性能使该器件非常适合与并行接口
数据传输速率高达167 Mbps的应用中，无线干扰
必须最小化。指定的衰减范围是非常有效的
在尽量减少2G / 3G ， GPS，蓝牙和干扰
WLAN信号。
该NUF8410MN是在低调的16引脚1.6毫米X可用
4.0毫米DFN16表面贴装封装。
特点/优势
http://onsemi.com
记号
图
16
1
840
A
Y
W
G
1
DFN
CASE 506AC
840
AYW
G
±8.0
kV ESD保护每个通道（ IEC61000-4-2第4级，
接触放电）
100 R / C值
W
和8.5 pF的提供卓越的S21
250 MHz的F性能特点
3dB
和
20
分贝阻带
从800MHz到3.0 GHz的衰减
在DFN封装提供集成的EMI / ESD系统解决方案
卓越的成本，系统可靠性和节省空间
这是一个Pb - Free设备
应用
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NUF8410MNT4G
包
DFN16
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
EMI滤波LCD和相机数据线
EMI滤波和保护I / O端口和键盘
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
0
5
10
15
S21 （ dB）的
滤波器+ ESD
n
R = 100
W
C
d
= 8.5 pF的
d
= 8.5 pF的
请参考表1引脚说明
滤波器+ ESD
n
20
25
30
35
40
45
1.0E+6
1.0E+7
1.0E+8
频率（Hz）
1.0E+9
1.0E+10
图1.电气原理图
图2.插入损耗特性
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第1版
1
出版订单号：
NUF84100MN/D
NUF8410MN
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
16
15
14
13 12
11
（底视图）
10
9
图3.引脚图
表1.引脚功能说明
滤波器
滤波器1
滤波器2
过滤器3
滤波器4
滤波器5
过滤器6
过滤器7
过滤器8
地垫
器件引脚
1 & 16
2 & 15
3 & 14
4 & 13
5 & 12
6 & 11
7 & 10
8&9
GND
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
过滤+ ESD频道7
过滤+ ESD频道8
地
描述
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
8.0
40
85
55
150
260
单位
kV
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
二极管电容
线路电容
3分贝截止频率（注1 ）
6分贝截止频率
1. 50
W
源和50
W
负载端接。
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
C
d
C
L
f
3dB
f
6dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
I
R
= 20毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
V
R
= 2.5 V ， F = 1.0 MHz的
上面的这个频率，
明显的衰减发生
上面的这个频率，
明显的衰减发生
85
100
8.5
17
250
395
6.0
7.0
测试条件
民
典型值
最大
5.0
8.0
100
115
11
22
单位
V
V
nA
W
pF
pF
兆赫
兆赫
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
