【数据表MOS场效应NP100P04PDG开关P沟道功率MOSFET描述该NP100P04PDG是P沟】,IC型号NP100P04PDG-E1-AY,NP100P04PDG-E1-AY PDF资料,NP100P04PDG-E1-AY经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

MOS场效应

NP100P04PDG

开关

P沟道功率MOSFET

描述

该NP100P04PDG是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。

<R>

订购信息

产品型号

NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E2-AY

记

记

铅电镀

纯Sn （锡）

填料

带800的P /卷

包

TO- 263 （ MP- 25ZP ）

记

无铅（此产品不含Pb在外部电极）。

特点

超低导通电阻

R

DS(on)1

= 3.5 mΩ以下。（V

GS

=

10

V，I

D

=

50

A)

R

DS(on)2

= 5.1 mΩ以下。（V

GS

=

4.5

V，I

D

=

50

A)

高额定电流：我

D（ DC）的

=

m100

A

(TO-263)

绝对最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T1

P

T2

T

ch

T

英镑

40

m20

m100

m300

200

1.8

175

55

to

+175

74

550

V

V

A

A

W

W

°C

°C

A

mJ

总功率耗散（T

C

= 25°C)

总功率耗散（T

A

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note2

Note2

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

μ

S，占空比

≤

1%

2.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

=

30

V ，R

G

= 25

Ω,

V

GS

=

20 →

0 V

热阻

通道到外壳热阻

通道到环境的热阻

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

0.75

83.3

° C / W

° C / W

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件D18692EJ3V0DS00 （第3版）

发布日期2007年5月NS CP （ K）

日本印刷

2007

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

NP100P04PDG

电气特性（T

A

= 25°C)

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门源阈值电压

正向转移导纳

记

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

测试条件

V

DS

=

40

V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

m20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

DS

=

10

V，I

D

=

50

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

50

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

50

A

V

DS

=

10

V,

V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

=

20

V，I

D

=

45

A,

V

GS

=

10

V,

R

G

= 0

Ω

分钟。

典型值。

马克斯。

10

m100

单位

μ

A

nA

V

S

1.0

43

1.6

88

2.8

3.4

15100

2400

1130

38

30

300

100

2.5

漏极至源极导通电阻

3.5

5.1

mΩ

mΩ

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

=

32

V,

V

GS

=

10

V,

I

D

=

100

A

I

F

=

100

A，V

GS

= 0 V

I

F

=

100

A，V

GS

= 0 V,

的di / dt =

100

A/

μ

s

320

37

85

0.91

70

123

1.5

V

ns

nC

记

脉冲测试PW

≤

350

μ

S，占空比

≤

2%

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

Ω

PG 。

V

GS

=

20 →

0 V

I

D

V

DD

50

Ω

L

V

DD

PG 。

BV

DSS

V

DS

V

GS

()

0

τ

起始物为

ch

τ

= 1

μ

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

测试电路2开关时间

D.U.T.

R

L

R

G

V

DD

V

DS

()

90%

10% 10%

90%

V

GS

()

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

I

AS

V

DS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

=

2

mA

PG 。

50

Ω

R

L

V

DD

2

数据表D18692EJ3V0DS

NP100P04PDG

典型特征（T

A

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

100

80

60

40

20

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

240

总功耗对比

外壳温度

P

T

- 总功耗 - W

200

160

120

80

40

0

0

25

50

75

100 125 150 175 200

T

ch

- 通道温度 -

°C

正向偏置安全工作区

T

C

- 外壳温度 -

°C

-1000

I

D（脉冲）

PW

=1

i

I

D

- 漏电流 - 一个

-100

00

μ

s

1

i

I

D（ DC）的

R

DS （ ON）

有限

(V

GS

=

10

V)

m

DC

w

Po

i

s

1

i

0

ms

i

-10

D

er

ip

我是SS

io

at

-1

T

C

= 25°C

单脉冲

d

IT ê

im

nL

-0.1

-0.1

-1

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

1000

100

10

1

R

TH（ CH-C ）

= 0.75 ° C /无线网络

0.1

0.01

单脉冲

0.001

1m

10 m

100 m

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

R

第（章-a）的

= 83.3 ° C /无线网络

数据表D18692EJ3V0DS

3

NP100P04PDG

漏电流与

漏源极电压

正向传递特性

-300

-250

I

D

- 漏电流 - 一个

-1000

V

GS

=

10

V

I

D

- 漏电流 - 一个

-100

4.5

V

-10

-1

-0.1

-0.01

脉冲

-0.001

V

DS

=

10

V

脉冲

-200

-150

-100

-50

0

0

-0.5

T

ch

=

55°C

25°C

25°C

75°C

125°C

150°C

175°C

0

-1

-2

-3

-4

-5

-1

-1.5

-2

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

门源阈值电压 -

通道温度

V

GS （ TH）

- 门源阈值电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

-3

-2.5

-2

-1.5

-1

-0.5

0

-75

-25

25

75

125

175

225

T

ch

- 通道温度 -

°C

漏极至源极导通电阻与

漏电流

1000

100

125°C

150°C

175°C

T

ch

=

55°C

25°C

25°C

75°C

10

1

V

DS

=

10

V

脉冲

0.1

-0.1

-1

V

DS

=

10

V

I

D

=

1

mA

-10

-100

-1000

I

D

- 漏电流 - 一个

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

6

5

4

3

2

1

脉冲

0

-1

-10

-100

-1000

I

D

- 漏电流 - 一个

10

8

6

4

2

脉冲

0

0

-5

-10

-15

-20

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

V

GS

=

4.5

V

I

D

=

100

A

50

A

20

A

10

V

4

数据表D18692EJ3V0DS

NP100P04PDG

漏极至源极导通电阻与

通道温度

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

电容与漏源极电压

8

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

100000

C

国际空间站

10000

C

OSS

6

V

GS

=

4.5

V

4

10

V

2

I

D

=

50

A

脉冲

0

-75

-25

25

75

125

175

225

T

ch

- 通道温度 -

°C

开关特性

10000

1000

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

100

-0.1

-1

C

RSS

-10

-100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

动态输入/输出特性

-40

-12

V

DD

=

32

V

20

V

8

V

1000

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

-30

-9

100

-20

V

GS

-10

V

DS

I

D

=

100

A

0

0

50

100

150

200

250

300

-6

10

1

-0.1

V

DD

=

20

V

V

GS

=

10

V

R

G

= 0

Ω

-1

-10

-100

-1000

-3

0

350

I

D

- 漏电流 - 一个

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

-1000

-100

-10

-1

-0.1

脉冲

-0.01

0

0.5

1

1.5

V

GS

=

10

V

0V

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

1000

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

100

10

的di / dt =

100

A / μs的

V

GS

= 0 V

1

-0.1

-1

-10

-100

V

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

I

F

- 二极管正向电流 - 一个

数据表D18692EJ3V0DS

5

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

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0.1

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68500

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2400

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651

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